【技术实现步骤摘要】
一种直流变换器及其供电电源
[0001]本技术属于电子电路
,更具体的说,尤其涉及一种直流变换器及其供电电源。
技术介绍
[0002]在MOS(Metal
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Oxide
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SemiconductorField
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EffectTransistor,金属
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氧化物半导体场效应晶体管)器件的VGS耐压最高为5V的工艺中,DC
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DC转换器输出高于5V电压时,PMOS管的驱动部分需要低于输出电压,也即不超过5V的电压,否则将超出MOS管的耐压损坏器件。
[0003]在DC
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DC转换器的同步BOOST架构中,功率PMOS管在开关过程中通常使用与输出电压相等的电压值来关闭PMOS管,0V电压值开启PMOS管。但在特定的工艺下,NMOS、PMOS管的VGS电压值最高只能达到5V,当BOOST的输出电压需要达到超过5V的情况下,当PMOS管开启时,若依然使用0V电压开启,则PMOS管的VGS电压会超过5V,损坏器件,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种直流变换器的供电电源,其特征在于,包括:低压电源;所述低压电源的输入端接收所述直流变换器的输出电压;所述低压电源的输出端作为所述供电电源的低压输出端;所述低压电源包括:第一钳位二极管、电流源、第一开关管;当所述输出电压大于第一预设输出电压时,所述第一钳位二极管反向击穿,以使所述低压电源的供电电压为所述输出电压与第一预设电压之间的差;其中,所述第一预设电压为所述第一钳位二极管的击穿电压与所述第一开关管的阈值电压的差。2.根据权利要求1所述的直流变换器的供电电源,其特征在于,在所述输出电压小于所述第一预设输出电压时,所述第一钳位二极管截止,以使所述低压电源的供电电压为第二预设电压;其中,所述第二预设电压小于所述第一预设电压。3.根据权利要求1所述的直流变换器的供电电源,其特征在于,所述第一钳位二极管的阴极与直流变换器的输出端相连、以接收直流变换器的输出电压;所述第一钳位二极管的阳极分别与所述电流源的一端和所述第一开关管的控制端相连;所述电流源的另一端和所述第一开关管的第一端接地;所述第一开关管的第二端作为所述低压电源的输出端。4.根据权利要求3所述的直流变换器的供电电源,其特征在于,所述第一开关管为PMOS管;所述第一开关管的第一端为所述PMOS管的漏极;所述第一开关管的第二端为所述PMOS管的源极;所述第一开关管的控制端为所述PMOS管的栅极。5.根据权利要求1所述的直流变换器的供电电源,其特征在于,还包括:高压电源;所述高压电源的输入端接收所述直流变换器的输出电压;所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷雪薇,
申请(专利权)人:上海艾为电子技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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