一种氮化镓半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓半导体器件，包括器件本体，器件本体的正面穿插连接有多个连接件，器件本体一侧的四个边角处均穿插连接有第一缓冲垫，四个第一缓冲垫的顶端均穿插连接有缓冲柱，四个缓冲柱的外部均缠绕有第一弹簧，四个缓冲柱的顶端均设有第二缓冲垫，其中两个第二缓冲垫和其中两个第一缓冲垫的一侧均开设有辅助槽，本实用新型专利技术一种氮化镓半导体器件，通过设置了第二缓冲垫、第一缓冲垫、支撑架、连接板、限位柱和支撑座，四个第一缓冲垫分别位于四个第二缓冲垫的底部，四个支撑架与四个连接板设置的材质均为硅胶，表面较为柔软，可以对器件本体的表面进行防护，避免了器件本体的表面受到较大的挤压而受损。体的表面受到较大的挤压而受损。体的表面受到较大的挤压而受损。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓半导体器件


[0001]本技术涉及氮化镓
，特别涉及一种氮化镓半导体器件。

技术介绍

[0002]氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高，氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生激光，避免接触氧化物，热，水分/潮湿。
[0003]但现有的半导体器件仍然有一些不足之处：
[0004]器件的表面和内部的强度较弱，在受到外界的冲击力时，半导体器件的表面将出现凹陷，降低了器件的使用寿命，同时，器件不能有效的对潮气和水分进行遮挡，潮气容易通过圆孔渗入到器件的内部，造成器件的损坏，降低了半导体器件的易用性。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种氮化镓半导体器件，以解决上述
技术介绍
中提出的器件的表面和内部的强度较弱，在受到外界的冲击力时，半导体器件的表面将出现凹陷，潮气容易通过圆孔渗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓半导体器件，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)的正面穿插连接有多个连接件(2)，所述器件本体(1)一侧的四个边角处均穿插连接有第一缓冲垫(3)，四个所述第一缓冲垫(3)的顶端均穿插连接有缓冲柱(4)，四个所述缓冲柱(4)的外部均缠绕有第一弹簧(5)，四个所述缓冲柱(4)的顶端均设有第二缓冲垫(6)，其中两个所述第二缓冲垫(6)和其中两个第一缓冲垫(3)的一侧均开设有辅助槽(15)，四个所述辅助槽(15)的内部均穿插连接有支撑架(11)，四个所述支撑架(11)的一侧分别与另外两个第二缓冲垫(6)和另外两个第一缓冲垫(3)的一侧相固定。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体器件，其特征在于：四个所述缓冲柱(4)的顶端分别与四个第二缓冲垫(6)的底端穿插连接，四个所述第二缓冲垫(6)设置的位置为等间距排列，相邻的两个所述第二缓冲垫(6)和两个第一缓冲垫(3)的内壁之间均固定安装有连接板(14)。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈琨，沈承刚，沈振宇，
申请(专利权)人：江苏布里其曼科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：