DRAM测试方法、电子设备和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明专利技术的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。DRAM容量。DRAM容量。

【技术实现步骤摘要】
DRAM测试方法、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及DRAM
，尤其是涉及一种DRAM测试方法、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，集成电路的密度越来越高、速度越来越快，与此同时，集成电路的故障率也随着提高。对于DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)而言，在没有ECC(Error Checking and Correcting，错误检查和纠正)的情况下，不能允许1个bit(比特)数据的错误，否则产品运用在手机、平板等设备中会造成系统死机、重启应用程序崩溃等不良现象发生。
[0003]为了提升DRAM的使用体验和稳定性，需要对其进行必要的功能测试。现下大部分智能平台所进行的DRAM测试，是无法直接使用开机和系统测试的，所以就需要进行DRAM初始化阶段的效验和测试。而基于普遍32位模式启动的引导固件对于现下的大容量内存而言，测试是有很大限制的，比如内存超过4GB，引导固件就无法完整覆盖测试了(32位引导系统，只能支持最大4GB寻址)。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种DRAM测试方法、电子设备和存储介质，能够提升可测试的DRAM容量。
[0005]一方面，根据本专利技术实施例的DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM 的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM 的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK 的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK 切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。
[0006]根据本专利技术实施例的DRAM测试方法，至少具有如下有益效果：能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量；同时，根据本申请的DRAM 测试方法，可以在32位的初始化模式下进行提升寻址能力，可以在未进入系统和DRAM被使用前，进行全覆盖功能测试，最大化的提升测试精度和准确性。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化，具体包括：根据所述时序参数，配置测试平台的外部存储器接口的寄存器，以对所述DRAM进行初始化。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述DRAM控制器进入自刷新模式，具体包括：配置所述DRAM控制器的DRAM寄存器，使所述DRAM控制器进入自刷新模式，以拉低第二个RANK的时钟使能引脚。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述同步第二个RANK的使能时钟，具体包括：配置所述
DRAM控制器的CKE寄存器，以同步第二个RANK的使能时钟。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述激活第二个RANK的初始校验参数，具体包括：配置所述DRAM控制器的TXrank寄存器，以激活第二个RANK的初始校验参数。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述将片选时钟由第一个RANK切换至第二个 RANK，具体包括：配置测试平台的CS SWAP寄存器，以将片选时钟由第一个RANK 切换至第二个RANK。
[0012]另一方面，根据本专利技术实施例的电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的DRAM测试方法。
[0013]另一方面，根据本专利技术实施例的计算机可读存储介质，所述存储介质存储有程序，所述程序被处理器执行时实现上述的DRAM测试方法。
[0014]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0015]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0016]图1为本专利技术实施例的DRAM测试方法的步骤流程图。
具体实施方式
[0017]本部分将详细描述本专利技术的具体实施例，本专利技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。
[0018]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0019]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0020]RANK：在内存条上会贴有很多内存颗粒，贴内存颗粒的面数就是RANK，如果只有一面贴有内存颗粒，叫做single RANK，如果两面都贴有内存颗粒，叫做dual RANK。本专利技术实施例的DRAM测试方法，主要适用于DRAM具有两个RANK 的情况。
[0021]如图1所示，根据本专利技术实施例的DRAM测试方法，包括以下步骤：
[0022]步骤S100：获取DRAM的时序参数，该DRAM具有两个RANK，每个RANK 具有对应的片选引脚CS和时钟使能引脚CKE；
[0023]步骤S200：根据DRAM的时序参数，对DRAM进行初始化；
[0024]步骤S300：测试DRAM的第一个RANK；
[0025]步骤S400：待第一个RANK测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；
[0026]步骤S500：同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；
[0027]步骤S600：待第二个RANK测试完成后，DRAM控制器退出自刷新模式。
[0028]具体地，首先，在对DRAM进行测试前，可以先查看物料规格书，以了解 DRAM的时序参数，时序参数用于表征DRAM的RANK数量、内存容量以及内存颗粒的行列分布等。在获取到DRAM的时序参数后，开始配置测试平台的外部存储器接口的寄存器(EMI寄存器)，此时测试平台的内部程序会自动识别DRAM 的时序参数，并开始对DRAM进行初始化。需要说明的是，在本申请示例中，测试平台指的是MTK(MediaTek，中国台湾联发科技股份有限公司)平台；可以理解的是，其它类似平台同样可应用本申请的方法。
[0029]待DRAM初始化完成后，此时测试平台会开始对DRAM的第一个RANK进行测试。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。2.根据权利要求1所述的DRAM测试方法，其特征在于，所述根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化，具体包括：根据所述时序参数，配置测试平台的外部存储器接口的寄存器，以对所述DRAM进行初始化。3.根据权利要求1所述的DRAM测试方法，其特征在于，所述DRAM控制器进入自刷新模式，具体包括：配置所述DRAM控制器的DRAM寄存器，使所述DRAM控制器进入自刷新模式，以拉低第二个RANK的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文杰，
申请(专利权)人：深圳市晶存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：