【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其形成方法
[0001]本揭露是有关于一种半导体元件及其形成方法。
技术介绍
[0002]锗用于形成各种半导体元件，例如互补金属氧化物半导体影像感测器(CIS)和电荷耦合元件(CCD)感测器。CIS和CCD用于以高帧频和/或在弱光条件下产生二维影像。锗可用于CIS或CCD以提供对光的高灵敏度。
技术实现思路
[0003]在本揭露的一些实施方式中，一种半导体元件包含半导体基板、氧化硅层以及第一介电材料层。半导体基板包含硅层以及被硅层横向围绕的含锗材料部。氧化硅层覆盖半导体基板，其中含锗材料部被氧化硅层横向围绕。第一介电材料层覆盖氧化硅层并且包含自含锗材料部凸起的凸台区域，其中不含固相材料的封装空腔位于含锗材料部以及第一介电材料层的凸台区域之间，并且封装空腔包含至少一通腔，至少一通腔延伸至第一介电材料层的凸台区域中。
[0004]在本揭露的一些实施方式中，一种半导体元件包含半导体基板、氧化硅层、硅覆盖层以及第一介电材料层。半导体基板包含硅层以及被硅层横向围绕的含锗材料部。氧化硅层覆盖半导体基板...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体基板，包含一硅层以及被该硅层横向围绕的一含锗材料部；一氧化硅层，覆盖该半导体基板，其中该含锗材料部被该氧化硅层横向围绕；以及一第一介电材料层，覆盖该氧化硅层并且包含自该含锗材料部凸起的一凸台区域，其中不含一固相材料的一封装空腔位于该含锗材料部以及该第一介电材料层的该凸台区域之间，并且该封装空腔包含至少一通腔，该至少一通腔延伸至该第一介电材料层的该凸台区域中。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该封装空腔的一横向延伸部在该含锗材料部的一表面以及该第一介电材料层的一表面之间垂直延伸。3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含覆盖该第一介电材料层的一第二介电材料层，其中该第二介电材料层的一部位接触该至少一通腔的一侧壁。4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：一第二介电材料层，覆盖该第一介电材料层并且于该凸台区域上方从该含锗材料部垂直地突伸；一第三介电材料层，覆盖该第二介电材料层；以及一第四介电材料层，覆盖该第三介电材料层，其中该至少一通腔垂直延伸至该第二介电材料层以及该第三介电材料层中，并且该第四介电材料层的一部分与该至少一通腔的一侧壁接触。5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含嵌入于该硅层中的至少一掺杂硅区域，其中该半导体元件包含位于该至少一掺杂硅区域的一者以及该含锗材料部之间的一p
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄振浩，卢皓彦，许隨赢，李玥瑩，吴建瑩，赖佳平，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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