电子元器件布局结构及虚拟设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电子元器件布局结构及虚拟设备，第一连接端口、第二连接端口、第四连接端口及第三连接端口沿周向依次排列设置并呈行列矩阵分布；第一连接端口、第二连接端口、第三连接端口及第四连接端口构成用来与贴片电阻接触的电连接部件；第一芯片上设置有第一MOSI接口端和第一MISO接口端，第一MOSI接口端连接第一连接端口，第一MISO接口端连接第四连接端口；第二芯片上设置有第二MOSI接口端和第二MISO接口端，第二MOSI接口端连接第二连接端口，第三MISO接口端连接第三连接端口。本实用新型专利技术在发现MOSI和MISO信号接反时，将贴片电阻旋转贴片就可以了，省去了重新制版的时间和成本。和成本。和成本。

【技术实现步骤摘要】
电子元器件布局结构及虚拟设备


[0001]本技术涉及PCB
，具体地，涉及一种电子元器件布局结构及虚拟设备。

技术介绍

[0002]目前，常规的PCB板布局通常很难处理焊盘兼容信号质量问题，不能达到产品设计预期效果，且PCB板上的电子元器件所在空间较大，影响PCB板性能。同时，在进行线路连接时，如图1所示，图中R1和R2两个电阻信号为SPI总线的MOSI 和MISO，两个芯片Master IC和Slave IC通过SPI协议通讯，Master IC的MOSI 信号通过R1接Slave IC的MISO信号，Master IC的MISO信号通过R2接Slave IC 的MOSI信号，实际应用中由于Slave IC描述不够清晰等原因，很容易两个信号接错，一旦连接错了只能重新制版贴片，浪费时间和成本。
[0003]公开号为CN210670779U的专利文献公开了一种变频电控一体板及其PCB布局结构、空调器，包括PCB线路板主体，PCB线路板主体上设置有电子元器件布局区域，布局区域包括电源输入输出器件区域、大功率器件区域、变压模块区域和微型控制器件区域，大功率器件区域设置于布局区域的左部，电源输入输出器件区域、变压模块区域和微型控制器件区域设置于布局区域的右部，且电源输入输出器件区域设置于布局区域的右上部，微型控制器件区域设置于布局区域的右下部，变压模块区域设置于电源输入输出器件区域和微型控制器件区域之间。但是该专利文献仍然存在芯片Master IC和芯片Slave IC信号接错的问题。

技术实现思路

>[0004]针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种电子元器件布局结构及虚拟设备。
[0005]根据本技术提供的一种电子元器件布局结构，包括设置于PCB板上的第一芯片、第二芯片、第一连接端口、第二连接端口、第三连接端口及第四连接端口；
[0006]所述第一连接端口、所述第二连接端口、所述第四连接端口及所述第三连接端口沿周向依次排列设置并呈行列矩阵分布；所述第一连接端口、所述第二连接端口、所述第三连接端口及所述第四连接端口构成用来与贴片电阻接触的电连接部件；
[0007]所述第一芯片位于正方形所述第一连接端口和所述第三连接端口所在的一侧；所述第二芯片位于正方形所述第一连接端口和所述第三连接端口所在的一侧；
[0008]所述第一芯片上设置有第一MOSI接口端和第一MISO接口端，所述第一MOSI接口端连接所述第一连接端口，所述第一MISO接口端连接所述第四连接端口；
[0009]所述第二芯片上设置有第二MSIO接口端和第二MOIS接口端，所述第二MSIO接口端连接所述第二连接端口，所述第二MOIS接口端连接所述第三连接端口。
[0010]优选的，还包括第一贴片电阻R1和第二贴片电阻R2；
[0011]在所述第一MOSI接口端与所述第二MSIO接口端的位置对应、所述第一MISO接口端
与所述第二MOIS接口端的位置对应时，所述第一贴片电阻R1的两端分别连接所述第一连接端口和所述第二连接端口，所述第二贴片电阻R2的两端分别连接所述第三连接端口和所述第四连接端口；
[0012]在所述第一MOSI接口端与所述第二MOIS接口端的位置对应、所述第一MISO接口端与所述第二MSIO接口端的位置对应时，所述第一贴片电阻R1的两端分别连接所述第一连接端口和所述第三连接端口，所述第二贴片电阻R2的两端分别连接所述第二连接端口和所述第四连接端口。
[0013]本技术还提供一种虚拟设备，包括上述的电子元器件布局结构。
[0014]优选的，所述虚拟设备为VR设备、AR设备或者MR设备。
[0015]与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：
[0016]1、本技术在发现MOSI和MISO信号接反时，将R1和R2旋转90度贴片就可以了，省去了重新制版的时间和成本；
[0017]2、本技术节省摆件空间，又可以减少多余出线，优化高速线阻抗，兼容设计的同事保证信号质量；
[0018]3、本技术射频上信号好的时候，直接贴电阻，可以降低成本；信号差的时候，贴上滤波器滤除杂波，优化信号，节约重新制版的时间和成本。
附图说明
[0019]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0020]图1为相关技术的走线示意图；
[0021]图2为本技术的电子元器件布局结构的结构示意图。
[0022]图中示出：
[0023]PCB板1
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第一MOSI接口端8
[0024]第一芯片2
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第一MISO接口端9
[0025]第二芯片3
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第二MSIO接口端10
[0026]第一连接端口4
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第二MOIS接口端11
[0027]第二连接端口5
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第一贴片电阻R112
[0028]第三连接端口6
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第二贴片电阻R213
[0029]第四连接端口7
具体实施方式
[0030]下面结合具体实施例对本技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本技术，但不以任何形式限制本技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本技术的保护范围。
[0031]如图2所示，本技术提供的一种电子元器件布局结构，包括设置于PCB板 1上的第一芯片2、第二芯片3、第一连接端口4、第二连接端口5、第三连接端口 6及第四连接端口7、第一贴片电阻R112以及第二贴片电阻R213。
[0032]第一连接端口4、第二连接端口5、第四连接端口7及第三连接端口6沿周向依次排列设置并呈行列矩阵分布，第一连接端口4、第二连接端口5、第三连接端口6及第四连接端口7构成用来与贴片电阻接触的电连接部件，第一芯片2位于正方形第一连接端口4和第三连接端口6所在的一侧，位于行列矩阵的左侧，第二芯片3位于正方形第二连接端口5和第四连接端口7所在的一侧，位于行列矩阵的右侧。第一芯片2上设置有第一MOSI接口端8和第一MISO接口端9，第一MOSI接口端8电连接第一连接端口4，第一MISO接口端9电连接第四连接端口7，第二芯片3上设置有第二MSIO接口端10和第二MOIS接口端11，第二MSIO接口端10电连接第二连接端口5，第二MOIS接口端11电连接第四连接端口6。
[0033]在第一MOSI接口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件布局结构，其特征在于，包括设置于PCB板(1)上的第一芯片(2)、第二芯片(3)、第一连接端口(4)、第二连接端口(5)、第三连接端口(6)及第四连接端口(7)；所述第一连接端口(4)、所述第二连接端口(5)、所述第四连接端口(7)及所述第三连接端口(6)沿周向依次排列设置并呈行列矩阵分布；所述第一连接端口(4)、所述第二连接端口(5)、所述第三连接端口(6)及所述第四连接端口(7)构成用来与贴片电阻接触的电连接部件；所述第一芯片(2)位于正方形所述第一连接端口(4)和所述第三连接端口(6)所在的一侧；所述第二芯片(3)位于正方形所述第二连接端口(5)和所述第四连接端口(7)所在的一侧；所述第一芯片(2)上设置有第一MOSI接口端(8)和第一MISO接口端(9)，所述第一MOSI接口端(8)连接所述第一连接端口(4)，所述第一MISO接口端(9)连接所述第四连接端口(7)；所述第二芯片(3)上设置有第二MSIO接口端(10)和第二MOIS接口端(11)，所述第二MSIO接口端(10)连接所述第二连接端口(5)，所述第二MOIS接口(11)端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弘，黄正江，吴庆成，黄信良，
申请(专利权)人：上海趣立信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：