本发明专利技术涉及一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其中，高压先导式电磁阀用自动控温线圈包括电磁线圈、电磁驱动芯片和微处理器，所述电磁驱动芯片的输出端与所述电磁线圈的电压输入端电连接，所述微处理器的信号输出端与所述电磁驱动芯片的控制输入端相连，其中，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号输出对应的电压值至所述电磁线圈。本申请能够在保证产品的稳定性和工作可靠性的同时，防止电磁阀线圈过热，满足危险工况下的温度认证要求。工况下的温度认证要求。工况下的温度认证要求。
【技术实现步骤摘要】
一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈
[0001]本专利技术涉及电气设备
，具体涉及一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈。
技术介绍
[0002]电磁阀（Electromagnetic valve）是用电磁控制的工业设备，是用来控制流体的自动化基础元件，属于执行器，并不限于液压、气动。用在工业控制系统中调整介质的方向、流量、速度和其他的参数。电磁阀可以配合不同的电路来实现预期的控制，而控制的精度和灵活性都能够保证。
[0003]然而，在防爆危险区使用电磁阀，由于被控介质压力非常高，需要驱动的电磁阀线圈功率非常大才能打开，但对于电磁阀线圈而言，功率越大也就意味着发热越大。当电磁阀应用于危险工作场景下时，电磁阀的防爆认证会对发热有明显的要求，不能持续发热升温，如：工作于氢气防爆环境下的温度认证，申请的认证温度组别是T6，那就是要求电磁阀线圈本身温度不能大于85度。
[0004]因此，如何有效抑制电磁阀线圈的持续发热，是目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是要提供一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其能够在保证产品的稳定性和工作可靠性的同时，防止电磁阀线圈过热，满足危险工况下的温度认证要求。
[0006]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术提供了一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈，用于高压先导式电磁阀，高压先导式电磁阀用自动控温线圈包括电磁线圈、电磁驱动芯片和微处理器，所述电磁驱动芯片的输出端与所述电磁线圈的电压输入端电连接，所述微处理器的信号输出端与所述电磁驱动芯片的控制输入端相连，其中，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号输出对应的电压值至所述电磁线圈。
[0007]对于上述技术方案，申请人还有进一步的优化措施。
[0008]可选地，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，是在电磁阀上电时发出占空比D为90%~100%的PWM信号，在电磁阀上电完成后微处理器保持发出占空比D为10%~40%的PWM信号用于维持电磁线圈的工作。
[0009]可选地，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值为D*V
h
，其中，D为所述PWM信号的占空比，V
h
为所述电磁驱动芯片的最大输出幅值。
[0010]进一步地，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值为0~24V。
[0011]可选地，在关停所述高压先导式电磁阀用自动控温线圈时，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片输出占空比D为0的PWM信号。
[0012]可选地，所述微处理器采用的是ARM m0内核的MCU。
[0013]可选地，所述电磁驱动芯片采用的是栅极驱动IC。
[0014]可选地，自动控温线圈还包括用于检测电磁线圈温度的温度采集电路，所述温度采集电路的信号输出端接入所述微处理器。
[0015]进一步地，所述温度采集电路包括数字式单总线温度传感器、信号放大器以及滤波电路，数字式单总线温度传感器与所述电磁线圈表面相接触，用于检测电磁线圈的温度，所述数字式单总线温度传感器的输出端经所述信号放大器及滤波电路处理后送入所述微处理器，所述微处理器根据所述数字式单总线温度传感器的反馈信号检测所述电磁线圈的状态并进行应急处理。
[0016]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：本专利技术的高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其通过PWM（脉冲宽度调制）来调节给电磁线圈加载的电压，由于电磁线圈的电阻的固定的，那加载在线圈上的电压实现了前期启动时的大功率输出，而打开后即维持低功率下的输出位置，使得线圈不发热或者维持于低温状态，如此能够更好地迎合危险工况或者高爆环境下的温度要求，提高电磁阀的工作安全性和稳定性。
附图说明
[0017]后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本专利技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：图1是根据本专利技术一个实施例的高压先导式电磁阀用自动控温线圈的原理框图。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0020]本实施例描述了一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈，用于高压先导式电磁阀，如图1所示，高压先导式电磁阀用自动控温线圈包括电磁线圈、电磁驱动芯片和微处理器，所述电磁驱动芯片的输出端与所述电磁线圈的电压输入端电连接，所述微处理器的信号输出端与所述电磁驱动芯片的控制输入端相连，其中，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号输出对应的电压值至所述电磁线圈。
[0021]具体说来，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，是在电磁阀上电时发出占空比D为90%~100%的PWM信号，在电磁阀上电完成后微处理器保持发出占空比D为10%~40%的PWM信号用于维持电磁线圈的工作。在关停所述高压先导式电磁阀用自动控温线圈时，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片输出占空比D为0的PWM信号。
[0022]相对应地地，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值为D*V
h
，其中，D
为所述PWM信号的占空比，V
h
为所述电磁驱动芯片的最大输出幅值。
[0023]按照公式来推算，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值Vs= V
h *D，P=V2/R；其中，D：PWM占空比；Vs：电磁阀线圈电压；R：电磁阀线圈电阻；P：电磁阀线圈功率。
[0024]因此，当关闭电磁阀，只要使PWM输出占空比为0%，在电磁阀线圈的输入处就是0V；要使电磁阀全功率开启，只要使PWM输出占空比为100%；要使电磁阀低功率开启，只要使PWM输出占空比降低至10~40%。
[0025]通常而言，所述电磁驱动芯片的最大输出幅值V
h
为24V，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值Vs可在0~24V间进行调整。
[0026]可选地，所述微处理器采用的是ARM m0内核的MCU，所述电磁驱动芯片采用的是栅极驱动IC。
[0027]可选地，自动控温线圈还包括用于检测电磁线圈温度的温度采集电路，所述温度采集电路的信号输出端接入所述微处理器。
[0028]进一步地，所述温度采集电路包括数字式单总线温度传感器、信号放大器以及滤波电路，数字式单总线温本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其特征在于，高压先导式电磁阀用自动控温线圈包括电磁线圈、电磁驱动芯片和微处理器，所述电磁驱动芯片的输出端与所述电磁线圈的电压输入端电连接，所述微处理器的信号输出端与所述电磁驱动芯片的控制输入端相连，其中，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号输出对应的电压值至所述电磁线圈。2.根据权利要求1所述的高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其特征在于，所述微处理器控制向所述电磁驱动芯片分阶段的输出不同占空比的PWM信号，是在电磁阀上电时发出占空比D为90%~100%的PWM信号，在电磁阀上电完成后微处理器保持发出占空比D为10%~40%的PWM信号用于维持电磁线圈的工作。3.根据权利要求1或2所述的高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其特征在于，所述电磁驱动芯片根据所述PWM信号所输出的电压值为D*V
h
，其中，D为所述PWM信号的占空比，V
h
为所述电磁驱动芯片的最大输出幅值。4.根据权利要求3所述的高压先导式电磁阀用自动控温线圈，其特征在于，所述电磁驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋华，
申请(专利权)人：张家港氢芯电气系统科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。