一种波长可调的宽光谱光电器件制造技术

本发明专利技术公开了一种波长可调的宽光谱光电器件，主要包括：由(1)～(5)构成的基本结构。(1)是硅层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是β

【技术实现步骤摘要】
一种波长可调的宽光谱光电器件


[0001]本专利技术涉及一种波长可调的宽光谱光电器件。

技术介绍

[0002]宽光谱光电器件是现代信息社会必不可少的元件之一。它能适应现代社会中对信息探测和处理的要求，能适应环境保护的要求。结构简单、易于制造、体积小，使用方便是宽光谱光电器件应该具备的特性之一。本器件结构简单、制造工艺兼容现代集成电路工艺、不污染环境，易于大规模生产和使用，能完成现代信息社会对信息处理的要求。
[0003]硅(Si)是现代硅基集成电路技术中必需的材料，其光学吸收系数高，仅需1μm厚度就可以吸收几乎全部太阳光；室温时的禁带宽度是1.12eV。二硅化铁(β
‑
FeSi2)是环境友好型半导体材料，其光学吸收系数更高，吸收太阳光的最佳厚度范围是0.2μm
‑
0.3μm，室温时的禁带宽度是通常认为是0.86eV，其制备工艺与现代硅基集成电路工艺兼容。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种宽光谱光电器件，从而能够完成信息处理的要求，结构简单，使用现有的集成电路工艺可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波长可调的宽光谱光电器件，主要包括：由(1)～(5)构成的基本结构。(1)是硅层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是β
‑
FeSi2层，位于结构中部；(3)是硅层，位于结构下部，是光线的出射面；(4)是上表面金属电极，与硅层形成欧姆接触；(5)是下表面金属电极，与硅层形成欧姆接触；(4)的面积占(1)面积的一小部分，保证足够的光线入射；(5)的面积占(3)面积的一部分，允许部分光线射出，或者占全...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊锡成，李敏，
申请(专利权)人：河南工程学院，
类型：发明
国别省市：