一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于蜀葵茎秆合成g

【技术实现步骤摘要】
一种基于蜀葵茎秆合成g
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C3N4/C复合材料的方法


[0001]本专利技术属于材料合成领域，具体涉及一种基于蜀葵茎秆合成g
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C3N4/C复合材料的方法。

技术介绍

[0002]作为一种无机非金属半导体光催化材料，石墨相氮化碳（g
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C3N4）由于具有独特的能带结构和晶体结构特征，在环境治理和清洁能源领域受到了广泛的关注。然而单一相g
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C3N4存在对太阳光的响应范围偏小、比表面积小、反应活性位点少和光生电子
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空穴对易复合等问题，限制了其在光催化领域的大规模利用。
[0003]蜀葵茎秆具有天然生物结构，能为g
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C3N4提供刚性骨架支撑，使前驱体能沿茎秆表面结晶，宏观上形成特殊的管状形貌。同时茎秆表面凹凸不平，能避免前驱体热聚合过程中形成的g
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C3N4片层结块。制备得到的复合材料结构疏松，呈多孔状，比表面积大大提高。
[0004]经对现有技术的文献检索，围绕g
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>C3N4/C复合材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于蜀葵茎秆合成g
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C3N4/C复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）蜀葵茎秆的预处理将新鲜采摘的蜀葵茎秆切段并用去离子水多次洗涤，浸泡于预处理液中以脱除其中的叶绿素和生物活性物质，浸泡结束后将茎秆用去离子水洗涤后自然晾干，避免阳光直射，收集备用；（2）制备g
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C3N4/C复合材料以双氰胺为前驱体配制浸渍溶液，将步骤（1）预处理过的茎秆浸渍于其中进行处理，然后经脱水并热处理即可生成g
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C3N4/C复合材料；其中蜀葵茎秆和双氰胺的质量比为1:1
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1:4。2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步骤（1）中茎秆切段的长度为3
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5cm。3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步骤（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成宝，唐飞，金涛，陈丰，钱君超，陈志刚，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：