基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法技术方案

本发明专利技术涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，用于解决现有电子系统总剂量效应试验方法不能完全保证电子系统抗总剂量性能评价的可靠性及准确性的不足之处。该基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，结合电子系统试验的特点设计了方法一至方法四，使本发明专利技术相较于基于始点对齐的总剂量效应试验方法符合实际情况，且易于操作，保证了空间电子系统抗总剂量性能评价的准确性，以及航天器在轨安全可靠运行。轨安全可靠运行。轨安全可靠运行。

【技术实现步骤摘要】
基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法


[0001]本专利技术涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法。

技术介绍

[0002]空间的天然辐射环境会在电子系统或电子器件中产生电离辐射累积效应即空间总剂量效应，从而导致电子系统电参数的退化甚至功能失效，严重影响航天器的寿命及可靠性，因此必须在应用前开展电子系统的抗总剂量性能评估试验。
[0003]目前针对电子器件已经建立了较为成熟的总剂量效应试验方法如GJB548B 1019.2、GJB5422
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2005和美军标MIL
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STD
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883H 1019.6等，但对于电子系统的总剂量效应试验方法，还处于探索阶段。目前认为电子系统的辐射效应形成机理与电子器件是相同的，但相比于电子器件，电子系统中电阻、电容、PCB板、接插件等的抗辐射性能都远高于电子器件，并且由于空间辐射环境及总剂量加固技术手段，电子系统中的各电子器件抗总剂量性能或在空间实际承受的总剂量是不相同的，因此电子器件的总剂量效应试验方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)、在辐照试验前，获取试验电子系统中各电子器件不进行辐射屏蔽加固时的抗总剂量水平，筛选出达到系统抗辐射性能要求的达标电子器件和未达到系统抗辐射性能要求的未达标电子器件，并按照抗总剂量水平将未达标电子器件从高到低排序；步骤(2)、设置辐照试验的具体试验参数，所述试验参数包括试验总剂量、辐照剂量率、辐照偏置、测试参数和测试规范；步骤(3)、选择辐照试验的具体实现方法条件如下：
①
为步骤(1)未达标电子器件分别安装屏蔽体后，试验时屏蔽体不影响未屏蔽电子器件的辐照剂量率和总剂量；
②
试验时缺少任一未达标电子器件，不影响已安装电子器件的辐照偏置；
③
试验时缺少任一未达标电子器件会明显影响试验电子系统工作状态或其中已安装电子器件的辐照偏置；
④
定义步骤(1)中未达标电子器件所在的模块为未达标模块，且试验时缺少这些未达标模块的情况下，其它模块上的已安装电子器件仍处于加电状态，以及缺少任一未达标模块时，该未达标模块输出处于一个固定状态；若满足条件
①
，则执行步骤(4)；若满足条件
②
，则执行步骤(5)；若满足条件
③
，则执行步骤(6)；若满足条件
④
，则执行步骤(7)；若同时满足两个以上条件，则按照序号在前的条件执行；步骤(4)、方法一；(4.1)对步骤(1)中未达标电子器件分别制作屏蔽体，并在试验前安装所有屏蔽体；(4.2)进行辐照实验，当试验总剂量剩余值等于某屏蔽体对应未达标器件的抗总剂量值时，执行步骤(4.3)；(4.3)降源、拆除该屏蔽体，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个屏蔽体对应未达标器件的抗总剂量值或为零，执行步骤(4.4)；(4.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8)；否则返回步骤(4.3)；步骤(5)、方法二；(5.1)试验时，不安装步骤(1)中未达标电子器件，依据步骤(1)中未达标电子器件的抗总剂量水平确定其对应的安装总剂量值；(5.2)当试验总剂量剩余值等于某未达标电子器件的安装总剂量值时，执行步骤(5.3)；(5.3)降源后，安装该未达标电子器件，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个未达标电子器件的安装总剂量值或为零，执行步骤(5.4)；(5.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚志斌，陈伟，盛江坤，何宝平，马武英，郭晓强，徐娜军，李斌，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：