【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及薄型晶圆的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种能够有效获得薄型晶圆的晶圆加工用粘合材料、晶圆加工体及薄型晶圆的制造方法。
技术介绍
[0002]半导体的三维安装对于实现进一步的高密度、大容量化而言逐渐变得必不可缺。三维安装技术是指一种将一个半导体芯片薄型化，并进一步将其边通过硅穿孔(TSV；through silicon via)进行连线边层叠为多层的半导体制造技术。为了实现该技术需要进行如下工序：对于形成有半导体电路的基板通过非电路形成面(也称作“背面”)的研磨而使其薄型化，并进一步在背面形成包含TSV的电极。以往，在硅基板的背面研磨工序中，在研磨面的相反侧贴有背面保护胶带，其可防止研磨时发生晶圆破损。然而，该胶带将有机树脂膜用作支撑基材，其虽然具有柔软性，但强度、耐热性不充分，不适于进行TSV形成工序、在背面形成布线层的工序。
[0003]对此，提出了一种通过经由粘合层将半导体基板与硅、玻璃等支撑体接合，能够充分耐受背面研磨、TSV、背面电极形成工序的系统。此时重点在于将基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的2层结构的复合临时粘合材料层，所述第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，所述第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。2.根据权利要求1所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述光固化硅氧烷聚合物层(B)为含有以下成分的光固化硅氧烷组合物的固化物层：(B
‑
1)在1分子中具有两个以上的烯基的有机聚硅氧烷；(B
‑
2)在1分子中含有两个以上的与硅原子键合的氢原子(Si
‑
H基)的有机氢聚硅氧烷，其为使(B
‑
2)成分中的Si
‑
H基相对于所述(B
‑
1)成分中的烯基的摩尔比为0.3～10的量；(B
‑
3)光活性型氢化硅烷化反应催化剂，其相对于所述(B
‑
1)成分及所述(B
‑
2)成分的合计质量以金属原子量换算计为1～5,000ppm。3.根据权利要求2所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述光固化硅氧烷组合物进一步含有作为(B
‑
4)成分的氢化硅烷化反应控制剂，且所述(B
‑
3)成分的添加量相对于所述(B
‑
1)成分、所述(B
‑
2)成分及所述(B
‑
4)成分的合计质量以金属原子量换算计为1～5,000ppm。4.根据权利要求2或3所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述(B
‑
3)成分的光活性型氢化硅烷化反应催化剂为(η5‑
环戊二烯基)三(σ
‑
烷基)铂(IV)络合物及β
‑
二酮合铂(II)络合物中的任一者或两者。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述光固化硅氧烷聚合物层(B)的固化后的宽度为25mm的试验片在25℃下对热塑性树脂层(A)的180
°
剥离力为2gf(0.0196N)以上且50gf(0.490N)以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述光固化硅氧烷聚合物层(B)固化后在25℃下的储能模量为1,000Pa以上且1,000MPa以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶圆加工用临时粘合材料，其特征在于，所述热塑性树脂层(A)为非有机硅树脂。8.一种薄型晶圆的制造方法，其特征在于，包括：(a)在经由具有权利要求1～7中任一项所述的晶圆加工用临时粘合材料中所使用的所述热塑性树脂层(A)和所述光固化硅氧烷聚合物层(B)的临时粘合材料层，将表面具有电路形成面且背面具有非电路形成面的晶圆的所述电路形成面与支撑体接合时，在所述支撑体上形成所述光固化硅氧烷聚合物层(B)之后，将其与形成有所述热塑性树脂层(A)的带电路的晶圆在真空下接合的工序；(b)使所述聚合物层(B)进行光固化的工序；(c)对与所述支撑体接合的所述晶圆的非电路形成面进行研磨或抛光的工序；(d)对所述晶圆的非电路形成面实施加工的工序；及(e)将实施了所述加工的晶圆从所述支撑体上剥离...
【专利技术属性】
技术研发人员：武藤光夫，田上昭平，菅生道博，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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