半导体器件及方法技术

本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。整层上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及方法


[0001]本公开总体涉及半导体器件及方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序地沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：沟道区域；栅极电介质层，位于所述沟道区域上；第一功函数调整层，位于所述栅极电介质层上，所述第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于所述第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于所述阻挡层上，所述第二功函数调整层包括p型功函数金属，所述p型功函数金属与所述n型功函数金属不同；以及填充层，位于所述第二功函数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：沟道区域；栅极电介质层，位于所述沟道区域上；第一功函数调整层，位于所述栅极电介质层上，所述第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于所述第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于所述阻挡层上，所述第二功函数调整层包括p型功函数金属，所述p型功函数金属与所述n型功函数金属不同；以及填充层，位于所述第二功函数调整层上。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡层包括非晶硅。3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡层包括氮化钽。4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡层包括无氟钨。5.根据权利要求1所述的器件，还包括：纳米结构，位于衬底上，所述纳米结构包括所述沟道区域。6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述栅极电介质层的相应部分围绕所述纳米结构中的每个纳米结构，并且其中，所述第一功函数调整层的相应部分填充所述栅极电介质层的所述相应部分之间的区域。7.根据权利要求1所述的器件，还包括：鳍，从衬底延伸，所述鳍包括所述沟道区域。8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡层的厚度在到的范围内。9.一种半导体器件，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣怡，张文，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：