一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器及其制作方法，该电路拓扑结构包括六个电感即第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5和第六电感L6、三个电容即第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、两个晶体管即第一晶体管T1、第二晶体管T2以及若干互联线。与现有技术相比，与现有技术相比，本发明专利技术具有设计性能优秀、模型准确、实际电路受寄生等非理想特性影响小的优点。受寄生等非理想特性影响小的优点。受寄生等非理想特性影响小的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法


[0001]本专利技术属于柔性射频电路设计领域，特别是涉及一种针对柔性电容电感的ADS联合HFSS的设计方法以及柔性器件制作工艺。

技术介绍

[0002]近年来，不同于与传统半导体器件刚性和脆性的特点，基于柔性材料的柔性/可拉伸电子设备因其体积小、重量轻、对不规则表面的共形附着力等突出优点开辟了刚性芯片本身无法解决的新型应用空间(包括数字医疗、电子皮肤、人脑接口、可穿戴电子产品等)，在这些应用中，无线通信模块起着至关重要的作用。柔性电子设备特别是高速柔性设备(例如射频设备)越来越受到关注，大量半导体材料已被研究并用于高速柔性电子领域(例如有机材料、多晶或者非晶硅以及金属氧化物)，其中高速柔性晶体管需要可弯曲的高性能半导体材料，而单晶硅在大部分情况下都有其他材料不具备的价格和技术优势。薄膜转移技术是通过湿法转移将超薄的单晶硅薄膜转移到柔性衬底上，可以将传统的器件制作工艺应用到柔性器件上，使得柔性器件在高频高速领域有了更广阔的应用前景。虽然目前国内外在高速柔性电子领域已有众多研究，但研究成果大部分将关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器，其特征在于，该电路拓扑结构包括六个电感即第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5和第六电感L6、三个电容即第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、两个晶体管即第一晶体管T1、第二晶体管T2以及若干互联线；其中，第一电感L1、第二电感L2以及第一电容C1构成T型输入匹配网络，第四电感L4和第二C2构成了级间匹配网络，第六电感L6和第三电容C3构成了输出L型匹配网络，第三电感L3与电感L5分别对第一晶体管T1、第二晶体管T2起到负反馈作用，保证电路稳定性。2.如权利要求1所述的一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器，其特征在于，所述电感为柔性衬底上的螺旋型电感，所述晶体管为柔性晶体管，所述电容为柔性MIM电容。3.如权利要求1所述的一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一：使用ADS射频电路仿真软件生成低噪声放大器电路拓扑结构；步骤二、在ADS射频电路中对电容\电感值进行优化；步骤三、绘制研磨板，在柔性PET衬底上分别制作出离子注入区、孔层区、顶部金属层以及电容、电感区；步骤四、首先通过高浓度的磷离子注入在绝缘衬底上的硅SOI上，以形成源极和漏极区域，随后对其进行退火以获得更高的迁移率和更低的内阻有助于实现更高的频...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦国轩，胡开龙，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：