一种高性能光电探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明专利技术适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。电探测器的制备方法。电探测器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能光电探测器的制备方法


[0001]本专利技术属于光电材料与器件
，具体涉及一种高性能光电探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]具有独特结构和物理性能的二维(2D)材料是下一代高性能光电探测器中急需开发的材料。二维过渡金属二卤化物(TMDC)由于其可调谐的带隙和优异的光电性能，在光探测应用中也引起了越来越多的关注。其中，二硒化钼(MoSe2)作为TMDC系列材料中不可或缺的候选者，具有1.55eV的直接带隙、较强光致发光和较大的激子结合能。与其他TMDC相比，它表现出更好的光吸收(5％
‑
10％)，这有利于灵敏的光探测。
[0003]然而，与其他TMDC类似，MoSe2也存在杂质、散射和结构缺陷，这大大限制了器件性能。对于MoSe2光电探测器，由于可控掺杂的困难，很难实现高光电性能。由此，需要开发有效的方法改善器件性能。近年来尽管采用了异质结和同质结结构，但是还面临着探测器检测率低的问题。此外，这些方法的制备过程复杂且难以控制，并且这些策略主要集中在改进一个性能参数上，却牺牲了其他的性能参数。除了结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；S3、再通过反应离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫江，黄一轩，任翱博，沈凯，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：