用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备。该用于磁共振成像设备的屏蔽组件，磁共振成像设备包括环形的射频线圈以及环绕射频线圈的梯度线圈，屏蔽组件环绕设置于射频线圈和梯度线圈之间。屏蔽组件包括：至少一个屏蔽环，每个屏蔽环上开设有沿着轴向的至少一个轴向缝隙以及垂直于轴向的至少一个环形缝隙，轴向缝隙贯穿屏蔽环的两端。该用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备，能够提升射频线圈的性能，有利于降低磁共振成像设备的制造成本以及运行成本。降低磁共振成像设备的制造成本以及运行成本。降低磁共振成像设备的制造成本以及运行成本。

【技术实现步骤摘要】
用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备


[0001]本专利技术涉及医疗器械
，特别是涉及一种用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备。

技术介绍

[0002]目前，磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging，MRI)设备包含梯度线圈和射频线圈，其中，射频线圈可以指射频发射线圈，或射频接收线圈，或者射频发射线圈和射频接收线圈。
[0003]在相关技术中，为了提升磁共振成像设备的性能并改善图像质量，梯度线圈和射频线圈之间的相互干扰越小越好，减小干扰的通常做法是在两个线圈之间加无源屏蔽环，以降低或消除梯度线圈对射频线圈的干扰。然而，无源屏蔽环的引入会导致磁场强度大大衰减，为了满足磁场强度的要求只能加大射频线圈的功率，不利于降低磁共振成像设备的运行成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种用于磁共振成像设备的屏蔽组件以及磁共振成像设备，能够提升射频线圈的性能，有利于降低磁共振成像设备的制造成本以及运行成本。
[0005]其技术方案如下：
[0006]根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种用于磁共振成像设备的屏蔽组件，磁共振成像设备包括环形的射频线圈以及环绕射频线圈的梯度线圈，屏蔽组件环绕设置于射频线圈和梯度线圈之间，屏蔽组件包括：至少一个屏蔽环，每个屏蔽环上开设有沿着轴向的至少一个轴向缝隙以及垂直于轴向的至少一个环形缝隙，轴向缝隙贯穿第一屏蔽环的两端。
[0007]本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0008]该屏蔽组件应用于磁共振成像设备时，至少一个屏蔽环设置于射频线圈与梯度线圈之间，利用环形缝隙切断梯度线圈的涡流回路，减少梯度线圈在屏蔽组件上产生的涡流；再利用轴向缝隙可以改变射频线圈在对应屏蔽环的感应电流的方向，使屏蔽环上与相应的射频线圈中的电流同向，进而可以增强射频线圈内部的磁场强度，避免射频线圈内部的磁场强度的衰减。如此，本公开实施例的屏蔽组件具有良好的屏蔽效果，且能够增强射频线圈性能。
[0009]下面进一步对本公开实施例的技术方案进行说明：
[0010]在一些实施例中，屏蔽环还设置有跨接于轴向缝隙的至少一个电容。如此，通过设置电容，可以增强感应电流回路中的电流强度以及调节感应电流回路的谐振频率，进而可以进一步增强射频线圈内部的磁场强度射频线圈内部的磁场强度或射频线圈性能。
[0011]在一些实施例中，至少一个电容用于使得射频线圈与屏蔽组件产生共振。
[0012]在一些实施例中，至少一个电容的数量与至少一个环形缝隙的数量相对应。
[0013]在一些实施例中，屏蔽环为非磁性金属。
[0014]在一些实施例中，屏蔽组件包括至少两个屏蔽环。
[0015]在一些实施例中，至少两个屏蔽环中包括第一屏蔽环以及第二屏蔽环。第一屏蔽环的环形缝隙与第二屏蔽环的环形缝隙在轴向方向上错位设置。
[0016]如此，第一屏蔽环的环形缝隙与第二屏蔽环的环形缝隙在绝缘环的轴向方向错位设置，可以减小磁场在第一屏蔽环的环形缝隙处向外部的磁泄露。
[0017]在一些实施例中，第一屏蔽环的轴向缝隙与第二屏蔽环的轴向缝隙在环周向错位设置。
[0018]如此，第一屏蔽环的轴向缝隙与第二屏蔽环的轴向缝隙在绝缘环的周向方向错位设置，可以减小磁场在第一屏蔽环的轴向缝隙处向外部的磁泄露。
[0019]在一些实施例中，第一屏蔽环与第二屏蔽环在至少两个屏蔽环中相邻设置。
[0020]在一些实施例中，第一屏蔽环的轴向缝隙和第二屏蔽环的轴向缝隙之间的夹角为180
°
。
[0021]在一些实施例中，屏蔽组件还包括至少一个绝缘环，绝缘环环绕设置于至少两个屏蔽环中的两个相邻屏蔽环之间。
[0022]在一些实施例中，屏蔽组件还包括：端口屏蔽环，端口屏蔽环设置于至少一个屏蔽环中的第一屏蔽环的端口处。如此，利用端口屏蔽环可以增强沿着轴向的磁场均匀度以及阻拦线圈沿着轴向向外辐射的强度。
[0023]在一些实施例中，至少一个屏蔽环中的部分或全部屏蔽环的一端设置有端口屏蔽环。
[0024]在一些实施例中，端口屏蔽环与第一屏蔽环的端口固定连接，端口屏蔽环包括与第一屏蔽环的轴向缝隙连通的第一缝隙。
[0025]此时，可选地，端口屏蔽环向第二屏蔽环延伸并包围至少部分第二屏蔽环。
[0026]在另一些实施例中，端口屏蔽环与第二屏蔽环的端口固定连接，端口屏蔽环包括与第二屏蔽环的轴向缝隙连通的第二缝隙，其中第二屏蔽环环绕设置于第一屏蔽环内侧或外侧。
[0027]此时，可选地，端口屏蔽环向第一屏蔽环延伸并包围至少部分第一屏蔽环。
[0028]在一些实施例中，屏蔽环包括相对设置的第一端口和第二端口，第一端口和第二端口均设置有端口屏蔽环。
[0029]根据本专利技术实施例的第三方面，还提供了一种磁共振成像设备，包括主磁体、匀场线圈、梯度线圈、射频线圈以及屏蔽组件，屏蔽组件环绕设置于射频线圈和梯度线圈之间。
[0030]本专利技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0031]该磁共振成像设备采用了上述屏蔽组件，具有良好的屏蔽性能，且能够增强射频线圈性能，进而能够降低磁共振成像设备的制造成本以及运行成本。
[0032]下面进一步对本公开的技术方案进行说明：
[0033]在一些实施例中，射频线圈包括环形的线圈支架以及环绕线圈支架设置的多匝线圈本体，多匝线圈本体包括多个线圈组，多个线圈组中的不同线圈组的线圈本体沿着轴向间隔设置，每个线圈组中包括的多匝线圈本体在环周向层叠设置。
[0034]在一些实施例中，线圈本体为八匝，有三匝线圈本体依次层叠设置于线圈支架的一端，另有三匝线圈本体依次层叠设置于线圈支架的另一端，其余两匝线圈本体依次设置
于两组三匝线圈本体之间。
[0035]在一些实施例中，线圈支架的长度为280mm，且线圈支架的外半径为150mm；两组三匝线圈本体之间的间距为200mm，一匝线圈本体靠近三匝线圈本体设置，与另一匝线圈本体的间距为60mm。
[0036]在一些实施例中，第一屏蔽环的外径为165mm，第二第一屏蔽环的外径为166mm。
[0037]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。
附图说明
[0038]附图说明构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为本公开实施例提供的磁共振成像设备示例的结构示意图。
[0041]图2为本公开一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于磁共振成像设备的屏蔽组件，其特征在于，所述磁共振成像设备包括环形的射频线圈以及环绕所述射频线圈的梯度线圈，所述屏蔽组件环绕设置于所述射频线圈和所述梯度线圈之间，所述屏蔽组件包括：至少一个屏蔽环，每个所述屏蔽环上开设有沿着轴向的至少一个轴向缝隙以及垂直于轴向的至少一个环形缝隙，所述轴向缝隙贯穿所述屏蔽环的两端。2.根据权利要求1所述的屏蔽组件，其特征在于，所述屏蔽环还设置有跨接于所述轴向缝隙的至少一个电容。3.根据权利要求2所述的屏蔽组件，其特征在于，所述至少一个电容用于使得所述射频线圈与所述屏蔽组件产生共振；和/或，所述至少一个电容的数量与所述至少一个环形缝隙的数量相对应。4.根据权利要求1至3中任一项所述的屏蔽组件，其特征在于，所述屏蔽环为非磁性金属。5.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽组件，其特征在于，所述屏蔽组件包括至少两个屏蔽环，所述至少两个屏蔽环中包括第一屏蔽环以及第二屏蔽环；其中，所述第一屏蔽环的环形缝隙与所述第二屏蔽环的环形缝隙在所述轴向方向上错位设置；和/或，所述第一屏蔽环的轴向缝隙与所述第二屏蔽环的轴向缝隙在环周向错位设置。6.根据权利要求5所述的屏蔽组件，其特征在于，所述第一屏蔽环与所述第二屏蔽环在所述至少两个屏蔽环中相邻设置。7.根据权利要求5或6中任一项所述的屏蔽组件，其特征在于，所述第一屏蔽环的轴向缝隙和所述第二屏蔽环的轴向缝隙之间的夹角为180
°
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵安平，任周游，白玉坤，
申请(专利权)人：合肥泽璞医疗系统有限公司，
类型：发明
国别省市：