基于FRAM的电能表高精度扣费方法及组件技术

技术编号:33529195 阅读:11 留言:0更新日期:2022-05-19 01:56
本发明专利技术涉及基于FRAM的电能表高精度扣费方法及组件,其包括以下步骤;S1,执行程序,判断是否上电,若不是则进行休眠,否则,上电;S2,执行电能计量任务;S3,执行钱包文件ESAM卡扣费任务;S4,执行数据保存任务。执行数据保存任务。执行数据保存任务。

【技术实现步骤摘要】
基于FRAM的电能表高精度扣费方法及组件


[0001]本专利技术涉及基于FRAM的电能表高精度扣费方法及组件,属于电能表扣费方法
,具体涉及是一种电能表扣费方法,能够解决国南网电能表对内部ESAM卡钱包文件不能成功扣费,重复扣费的问题。

技术介绍

[0002]现今国内电能表在本地扣费流程方案主要分两步:
[0003]1.电能量累加后,单片机内部RAM进行运算扣款,并暂存RAM;
[0004]2.15分钟定时、上下电、插卡时将RAM中的扣款数据同步至ESAM卡内和EEPROM内。
[0005]在以上执行步骤中,需要依赖的硬件设备有RAM,EEPROM,ESAM卡,电解电容。
[0006]这些设备本身有各自的优缺点:
[0007]RAM的缺点是掉电后数据易失。
[0008]EEPROM和ESAM卡的缺点是速率慢,读写次数有限制,不能无限制的高速读写;
[0009]电解电容有衰减特性和器件一致性,最糟糕的状态下只剩下60%的容值。
[0010]基于以上的方案和器件特性,此类扣费方案在上下电,或电能表异常复位时造成扣费异常,数据同步丢失(15分钟内)。
[0011]例1:电能表运行过程中,因外部因数导致的电能表异常复位,此时RAM中的电量和扣费数据就有可能丢失,而从上一次EEPROM保存的数据中恢复,那这中间时间产生的数据就会不可逆的丢失了。
[0012]例2:电能表掉电瞬间,RAM中的数据保存至EEPROM和ESAM卡中,而此时的电解电容有可能衰减严重,从而无法支持数据保存时的电源,最终导致数据保存和扣费失败。从冻结数据来看,甚至出现电能量扣费倒走现象。
[0013]一旦发生这类现象,就会引起经济纠纷,给用户和电力公司造成不小的经济损失,同时也增加了线损。
[0014]因此,设计一种电能表扣费方法,以解决电能表扣费问题,很有社会价值和应用前景。

技术实现思路

[0015]本专利技术所要解决的技术问题总的来说是提供一种基于FRAM的电能表高精度扣费方法。本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺点,寻求设计一种电能表扣费方法,采用可靠的器件设备、数据校验方式和上电加载电量的纠错防护机制,对电量数据进行多种类和多备份处理。
[0016]为了实现上述目的,本专利技术涉及的电能表扣费方案需要增加一种存储装置“铁电存储器(FRAM)”,该存储器提供一种与RAM一致的无限的读写次数性能,但又有与ROM一样的非易失性。
[0017]为解决上述问题,本专利技术所采取的技术方案是:
[0018]一种基于FRAM的电能表高精度扣费方法,包括以下步骤;
[0019]S1,执行程序,判断是否上电,若不是则进行休眠,否则,上电;
[0020]S2,执行电能计量任务;
[0021]S3,执行钱包文件ESAM卡扣费任务;
[0022]S4,执行数据保存任务。
[0023]作为上述技术方案的进一步改进:
[0024]在S3中,当电能表在上电之初,FRAM定时进行数据备份。
[0025]在S3中,还包括S3.1,定时钱包文件ESAM卡刷新流程,首先,进行电能量累加;然后,到累计到设定阈值条件后,单片机内部RAM进行运算扣款,扣款数据暂存RAM中;其次,扣款数据同步到FRAM中并备份;再次,执行判断,是否超过设定时间段、是否上下电和/或是否插卡,当条件为是,则将RAM中的扣款数据同步至ESAM内和EEPROM内,当条件为否,则再进行电能量累加。
[0026]在S3中,还包括S3.2,钱包文件存储备份处理流程,首先,单片机内部RAM进行运算扣款,扣款数据暂存RAM中;然后,扣款数据同步到FRAM中进行若干组备份,每份备份中包含有钱包文件数据和MD5效验数据,且在各个备份区存有存储指针,用于定位到该备份当前的存储的位置;其次,FRAM存储指针+1,进行轮询存储,存储频率随扣费速率,扣费速率即工作负载,1个脉冲扣费一次;再次,执行判断FRAM存储指针是否大于或等于备份数据数,如果是,则FRAM存储指针从存储指针=1时对应的备份数据重复遍历,否则,从FRAM存储指针从存储指针+1时对应的备份数据重复遍历。
[0027]在S3中,还包括S3.3,钱包文件扣费流程,首先根据FRAM的存储指针对当前钱包文件进行定位并读取;然后,读取后进行MD5数据效验,若正确,则按该钱包文件数据继续运行,对钱包文件ESAM卡进行扣费操作;若错误,则获取FRAM中所有钱包文件数据,逐个效验,找出剩余金额最小,效验正确的一备份,并对该备份进行扣费操作。
[0028]借助于基于FRAM的电能表高精度扣费电路组件。
[0029]一种基于FRAM的电能表高精度扣费电路组件,包括
[0030]FRAM电路,包括芯片US20作为MCU,芯片US20脚1

4、7接地,脚8一路接系统电源MVDD另一通过隔离电容CS20接地,脚6连接至时钟信号FRAM_SCL MCU,脚5通过电阻RS22接数据信号FRAM_SDA;
[0031]系统电源MVDD分别通过电阻RS20及电阻RS23分别接电阻RS22输出端及脚6;
[0032]FRAM电路,用于读取备份数据;
[0033]ESAM卡,保持并具有钱包文件存储;
[0034]FRAM电路电连接有掉电检测电路;
[0035]8.根据权利要求7所述的基于FRAM的电能表高精度扣费电路组件,ESAM卡,在扣费、充值、插卡及设定分钟段内定时进行数据同步更新,FRAM中的钱包文件包括若干个备份,每份备份中包含有钱包文件数据和MD5效验数据,在各个备份区存有存储指针,用于定位到该备份当前的存储的位置;该若干个备份区进行轮询存储,存储频率随扣费速率而定,扣费速率即工作负载,1个脉冲扣费一次;
[0036]FRAM的一条数据存储时间<<两个脉冲之间的间隔时间,即两个脉冲之间的间隔时间是FRAM的一条数据存储时间若干倍。
[0037]作为上述技术方案的进一步改进:
[0038]在掉电检测电路中,包括电阻RT30

32;二极管DT30、电容CT30;系统电源MVDD通过串接电阻RT30、31输出三路,一路经过电阻RT32接地,一路经过二极管DT30接DVDD,一路通过PUDTest_1_ADC连接至MCU的比较器输入引脚;
[0039]当系统电源MVDD没有电压的时候,该引脚会触发MCU的比较器信号翻转,从而检测到掉电标志。
[0040]电能表的电源系统,包括电阻RP11、RP2、RP21、二极管DP1、DP3

8,电容EP1

3、CP3,互感器TRP1;
[0041]在外部输入UN、UL之间接电阻RP11,外部输入UN经过电阻RP2后分两路,一路经过RP21接外部输入UL,一路接互感器TRP1脚1,脚4通过二本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于:包括以下步骤;S1,执行程序,判断是否上电,若不是则进行休眠,否则,上电;S2,执行电能计量任务;S3,执行钱包文件ESAM卡扣费任务;S4,执行数据保存任务 。2.根据权利要求1所述的基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于: 在S3中, 当电能表在上电之初,FRAM定时进行数据备份。3. 根据权利要求1所述的基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于:在S3中,还包括S3.1,定时钱包文件ESAM卡刷新流程,首先,进行电能量累加;然后,到累计到设定阈值条件后, 单片机内部RAM进行运算扣款,扣款数据暂存RAM中;其次,扣款数据同步到FRAM中并备份;再次,执行判断,是否超过设定时间段、是否上下电和/或是否插卡,当条件为是,则将RAM中的扣款数据同步至ESAM内和EEPROM内,当条件为否,则再进行电能量累加。4.根据权利要求1所述的基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于:在S3中,还包括S3.2,钱包文件存储备份处理流程,首先,单片机内部RAM进行运算扣款,扣款数据暂存RAM中;然后,扣款数据同步到FRAM中进行若干组备份,每份备份中包含有钱包文件数据和MD5效验数据,且在各个备份区存有存储指针,用于定位到该备份当前的存储的位置;其次,FRAM存储指针+1,进行轮询存储,存储频率随扣费速率 ,扣费速率即工作负载, 1个脉冲扣费一次;再次,执行判断FRAM存储指针是否大于或等于备份数据数,如果是,则FRAM存储指针从存储指针=1时对应的备份数据重复遍历,否则,从FRAM存储指针从存储指针+1时对应的备份数据重复遍历。5.根据权利要求1所述的基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于:在S3中,还包括S3.3,钱包文件扣费流程,首先 根据FRAM的存储指针对当前钱包文件进行定位并读取;然后,读取后进行MD5数据效验,若正确,则按该钱包文件数据继续运行,对钱包文件ESAM卡进行扣费操作;若错误,则获取FRAM中所有钱包文件数据,逐个效验,找出剩余金额最小,效验正确的一备份,并对该备份进行扣费操作。6.根据权利要求1所述的基于FRAM的电能表高精度扣费方法,其特征在于: 借助于基于FRAM的电能表高精度扣费电路组件。7.一种基于FRAM的电能表高精度扣费电路组件,其特征在于:包括FRAM电路,包括芯片US20作为MCU,芯片US20脚1

4、7接地,脚8一路接系统电源MVDD另一通过隔离电容CS20接地,脚6连接至时钟信号FRAM_SCL MCU,脚5通过电阻RS22接数据信号FRAM_SDA ;...

【专利技术属性】
技术研发人员:耿纪萌孙凡刘建垒单宝华李吉林张宇菲张连霞
申请(专利权)人:青岛乾程科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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