抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。芳香族基团)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对于多层抗蚀剂工艺用的抗蚀剂下层膜材料，要求特别是对短波长的曝光发挥防反射膜的功能，并具有适当的光学常数，同时还要兼具基板加工中的耐蚀刻性，已提出了利用具有包含苯环的重复单元的聚合物(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
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技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]为了抗蚀剂图案的微细化所伴随的对抗蚀剂层薄膜化的要求，已知有形成至少2层抗蚀剂下层膜，使用该抗蚀剂下层膜作为掩模材料的光刻工艺。该工艺是在半导体基板上设置至少一层有机膜(下层有机膜)和至少一层无机下层膜，将形成于上层抗蚀剂膜的抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂；式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的Ar为苯基、萘基、蒽基、芘基、或它们的组合。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的Ar为萘基、蒽基、或它们的组合。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含交联剂。5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含酸和/或产酸剂。6.根据权利要求1所述的抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，西卷裕和，中岛诚，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：