一种基于氧化镓的半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于氧化镓的半导体装置，本实用新型专利技术通过对硅衬底进行图形化处理，在硅衬底上表面加工隔离带，将硅衬底层上表面分离出多个互不相连的六边形生长平台，然后在六边形生长平台上生长GaN薄膜层，再在GaN薄膜层上生长α

【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化镓的半导体装置


[0001]本技术涉及半导体装置及制造
，特别涉及基于氧化镓的半导体装置。

技术介绍

[0002]电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电路控制，是工业设施、家用电器等设备电能控制与转换的核心器件，可以进行典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。硅基半导体功率器件是目前电力系统使用最普遍的功率器件，但其性能已接近由其材料决定的理论极限，使得其功率密度的增长呈饱和趋势。
[0003]氧化镓作为一种新的宽禁带半导体材料，其禁带宽度在4.7～5.3eV之间，在击穿场强、巴利加优值和成本等方面优势突出，目前共发现α、β、γ、δ、ε五种氧化镓的结晶形态，现阶段的研究，以围绕β
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Ga2O3和α
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Ga2O3的研究居多；其中，β
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Ga2O3最为稳定，其禁带宽度约为4.8eV；α
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Ga2O3稳定性次之，其禁带宽度约为5.3eV；
[0004]国际上，通常用巴利加优值来表征材料适合功率器件的程度，对于β
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化镓的半导体装置，自下而上包括：氧化镓单晶衬底和层叠结构；其特征在于：所述的氧化镓单晶衬底具有绝缘特性，所述的氧化镓单晶衬底局部被蚀穿，并在该局部被蚀穿的区域沉积有下金属层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的氧化镓单晶衬底是具有单斜晶系结构的结晶体。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述层叠结构，包括结晶性氧化物半导体薄膜层、多晶体层、金属薄膜层、绝缘层或者钝化层中的一层或者多层。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零一L二九二四，
申请(专利权)人：广州华瑞升阳投资有限公司，
类型：新型
国别省市：