光敏装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光敏装置，其包含衬底和分布在衬底上的高通滤光器半导体纳米颗粒。布在衬底上的高通滤光器半导体纳米颗粒。布在衬底上的高通滤光器半导体纳米颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光敏装置


[0001]本专利技术属于光敏感器领域。特别地，本专利技术涉及光敏装置、制备光敏装置的方法和图像传感器。

技术介绍

[0002]为了测量各种光的颜色，通常将光分解为三个互补的组分，特别是红色、绿色和蓝色。这些组分允许通过原色混合进一步重构颜色。
[0003]为了准确捕捉颜色，光敏感器必须具有高选择性。通常光敏感器使用半导体材料，通常是半导体电荷耦合装置，将光转换为电荷。为了分别检测红色、绿色和蓝色，将一种称为拜耳滤光器的结构化吸收层沉积在半导体材料上。使用这种滤光器，定义了称为像素的相邻区域，每个像素吸收到达传感器的一部分光。通过适当的信号处理，确定入射光的颜色组分。
[0004]拜耳滤光器通常由通过立体光刻工艺沉积的有机染料组成。本质上，有机染料具有限制光敏感器选择性的宽吸收带。此外，由于很难将这些染料沉积在非常精确的图案上，因而降低了光敏感器的灵敏度和分辨率。
[0005]半导体纳米颗粒，通常称为“量子点”，被称为吸光材料。所述物体是高通滤光器，因为它们在从紫外线波长范围到紫外光、可见光或近红外光范围内的明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光敏装置，其包括衬底和根据图案分布在衬底上的半导体纳米颗粒，其中衬底包括至少一个光敏感器，其中半导体纳米颗粒是紫外光
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可见光
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近红外光范围内的高通滤光器，并且其中光敏装置的每表面单位的半导体纳米颗粒密度大于5x109个纳米颗粒/cm2。2.根据权利要求1所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒沉积在衬底上，厚度小于10000nm且大于100nm，半导体纳米颗粒在光敏装置中的体积分数为10％至90％。3.根据权利要求1或2所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒的最长尺寸小于1μm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒是无机的，优选半导体纳米颗粒为包含式M
x
Q
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E
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的材料的半导体纳米晶体，其中：M选自Zn、Cd、Hg、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Ru、Os、Mn、Tc、Re、Cr、Mo、W、V、Nd、Ta、Ti、Zr、Hf、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Cs；Q选自Zn、Cd、Hg、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Ru、Os、Mn、Tc、Re、Cr、Mo、W、V、Nd、Ta、Ti、Zr、Hf、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Cs；E选自O、S、Se、Te、C、N、P、As、Sb、F、Cl、Br、I；A选自O、S、Se、Te、C、N、P、As、Sb、F、Cl、Br、I；x、y、z和w独立地为0至5的有理数；x、y、z和w不同时等于0；x和y不同时等于0；z和w不同时等于0。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒的最长尺寸大于25纳米。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒以其最长尺寸基本沿预定方向排列而沉积。7.根据权利要求1至4中任一项所述的光敏装置，其中纳米颗粒的沉积厚度小于3000nm且大于200nm。8.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒的截止波长在近红外范围内。9.根据权利要求1至7中任一项所述的光敏装置，其中半导体纳米颗粒为复合纳米颗粒，所述复合纳米颗粒包括包封在基质中的吸收性半导体纳米颗粒，所述基质优选无机基质。10.根据权利要求1至8中任一项所述的光敏装置，其中图案是周期性的，所述图案的重复单元的最小尺寸小于100微米，且包括至少两个像素。11.根据权利要求9所述的光敏装置，其中图案在二维上是周期性的，优选地，所述图案为矩形晶格或正方形晶格。12.根据权利要求9或10所述的光敏装置，其中至少两个像素中的第一像素上的半导体纳米颗粒与至少两个像素中的第二像素上的半导体纳米颗粒不同。13.一种用于制造光敏装置的方法，所述光敏装置包括衬底和根据图案分布在衬底上的半导体纳米颗粒，所述方法包括以下步骤：i)提供驻极体膜；ii)根据图案在驻极体膜上写入表面电势；iii)使驻极体膜与作为在紫外光
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可见光
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近红外光范围内的高通滤光器的半导体纳米颗粒的胶体分散体接触小于15分钟的接触时间；和iv)将膜转移至光敏感器片上，得到所述衬底；
其中光敏装置的每表面单位的半导体纳米颗粒密度大于5x109个纳米颗粒/cm2。14.一种用于制造光敏装置的方法，所述光敏装置包括衬底和根据图案分布在衬底上的半导体纳米颗粒，其中图案包括两个子图案，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：米歇尔，
申请(专利权)人：奈科斯多特股份公司，
类型：发明
国别省市：