一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器，包括单相交流电源V

【技术实现步骤摘要】
一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器


[0001]本技术涉及电力电子领域，具体涉及一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器。

技术介绍

[0002]近些年来，功率半导体器件及控制技术得到快速的发展，并在电力电子领域得到广泛应用。随着技术的不断革新，各种电力电子设备应运而生。整流器是一种利用电力电子开关将交流电能转换成直流电的装置，可以把交流电能转化成人们需要利用的直流电能，随着整流技术的发展，在一些关键
已经有了很大的进步。
[0003]由于内部MOSFET体二极管反向恢复问题，图腾极PFC不适用于CCM大功率应用。过去，由于IGBT开关频率的限制，将IGBT用于图腾极功率因数校正是不现实的。然而，在当今先进的半导体技术下，已经出现了开关频率超过100kHz的IGBT。由于IGBT的快速出现，使得CCM图腾极功率因数校正在大功率条件下的应用成为可能。
[0004]如果输入电网的电流有位移和较大的谐波畸变，则会导致功率因数低。较低的功率因数会造成能量浪费。畸变电流会产生谐波，污染电网。一方面，流经线路阻抗的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于超快速IGBT的高增益无桥PFC变换器，其特征是：包括单相交流电源V
g
、第一绕组和第二绕组分别为L1和L2的耦合电感、开关管S1和S2、SiC二极管D1和D2、开关管S
D3
和S
D4
、隔离变压器P、二极管VD、电容C0和负载R
L
；所述耦合电感的第一绕组L1的同名端与输入交流电源V
g
的一端连接，耦合电感第一绕组L1的异名端分别与开关管S1的发射极和开关管S2的集电极连接；耦合电感的第二绕组L2的同名端分别与开关管S1的集电极和开关管S
D3
的漏极连接，耦合电感第二绕组L2的异名端与隔离变压器一次侧同名端连接；隔离变压器一次侧异名端分别于开关管S2的发射极和开关管S
D4
的源极连接；输入交流电源V
g
的另一端分别与开关管S
D3
的源极和开关管S
D4
的漏极连接；SiC二极管D1的阳极与开关管S1的发射极连接，SiC二极管D1阴极与开关管S1的集电极连接；SiC二极管D2的阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜景斌，许森洋，王玺哲，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：新型
国别省市：