磁传感器和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁传感器，其具备：树脂层，其具有第1面和与该第1面相对的第2面；和检测规定方向的磁场的磁阻效应部，磁阻效应部至少包含检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部，第1方向是与树脂层的第1面正交的方向，在树脂层的第1面形成相对于第1面以规定的角度倾斜的倾斜面，第1磁阻效应部设置于倾斜面。第1磁阻效应部设置于倾斜面。第1磁阻效应部设置于倾斜面。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器和其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种磁传感器和其制造方法。

技术介绍

[0002]一直以来，作为检测规定方向的磁场的磁传感器，例如已知有以使磁阻效应元件或霍尔元件等磁检测元件的磁敏方向与应检测磁场(被检测磁场)的磁场方向一致的方式将该磁检测元件设置于基板的的磁传感器。通过使各被检测磁场的磁场方向与各磁检测元件的磁敏方向一致，从而能够检测出规定方向的磁场。
[0003]专利文件1公开有一种3轴磁传感器，作为检测相互正交的3轴(X轴、Y轴、Z轴)方向的磁场的磁传感器，在挠性基板上至少具有3个霍尔元件，通过将该挠性基板折弯，从而各个霍尔元件能够检测X轴方向、Y轴方向和Z轴方向的磁场。此外，专利文献2公开有一种磁检测装置，其具有在半导体基板的主面侧形成有霍尔元件的霍尔元件形成部、和配置于半导体基板的背面且保持半导体基板及霍尔元件形成部的基座，该基座具有处于相对于半导体基板的保持面倾斜的方向上的斜面，且霍尔元件形成部保持于斜面。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2004
‑
165362号公报
[0007]专利文献2：日本特开2005
‑
223221号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]专利文献1中公开的3轴磁传感器中，通过折弯挠性基板，3个霍尔元件能够分别检测X轴方向、Y轴方向和Z轴方向的磁场。另一方面，上述现有的3轴磁传感器中，虽然通过折弯挠性基板从而3个霍尔元件能够检测规定方向的磁场，但是追求磁传感器的低背化中，因为折弯挠性基板的角度由各霍尔元件能够检测各3方向的磁场的角度唯一确定，所以磁传感器的尺寸由折弯的挠性基板的大小唯一确定，而难以推进磁传感器的进一步低背化。
[0010]专利文献2的磁检测装置通过在基座形成斜面，并在斜面保持霍尔元件形成部，由此能够检测处于配置霍尔元件的斜面的平面方向上的磁场分量。另一方面，为了在由半导体基板构成的基座形成斜面，在晶圆加工中形成斜面，但是在之后的涂敷光致抗蚀剂(photoresist)时，有可能不均匀性增加、成品率恶化，难以在由半导体基板构成的基座形成斜面。
[0011]本专利技术是鉴于上述技术问题而完成的，目的在于提供一种能够高精度地检测规定方向的磁场、且可低背化的磁传感器及其制造方法。
[0012]用于解决技术问题的手段
[0013]为了达成这样的目的，本专利技术提供一种磁传感器，其特征在于，具备：具有第1面和与该第1面相对的第2面的树脂层；和检测规定方向的磁场的磁阻效应部，所述磁阻效应部
至少包含检测第1方向的所述磁场的第1磁阻效应部，所述第1方向是与所述树脂层的所述第1面正交的方向，在所述树脂层的所述第1面形成相对于所述第1面以规定的角度倾斜的倾斜面，所述第1磁阻效应部设置于所述倾斜面。
[0014]所述磁阻效应部还包括检测第2方向的所述磁场的第2磁阻效应部，所述第2方向是平行于所述树脂层的所述第1面的方向，在所述树脂层的所述第1面形成有1个所述倾斜面，所述第1磁阻效应部和所述第2磁阻效应部也可以设置于所述1个倾斜面。所述倾斜面包含倾斜方向相互不同的第1倾斜面和第2倾斜面，所述第1磁阻效应部和所述第2磁阻效应部也可以设置于所述第1倾斜面或所述第2倾斜面。也可以是所述倾斜面包含倾斜方向相互不同的第1倾斜面和第2倾斜面，所述第1磁阻效应部设置于所述第1倾斜面，所述第2磁阻效应部设置于所述第2倾斜面，所述第1倾斜面的外周边之中的一边与所述第2倾斜面的外周边之中的一边是共用的。
[0015]所述磁阻效应部还包含检测第3方向的所述磁场的第3磁阻效应部，所述第3方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，并且是与所述第2方向正交的方向，所述倾斜面还包括与所述第1倾斜面的倾斜方向和所述第2倾斜面的倾斜方向都不同的倾斜方向的第3倾斜面，所述第3磁阻效应部也可以设置于所述第3倾斜面，所述第3倾斜面的外周边之中的一边与所述第1倾斜面的外周边之中的一边是共用的，所述第3倾斜面的外周边之中的另一边与所述第2倾斜面的外周边之中的一边是共用的。
[0016]所述倾斜面可以从所述树脂层的所述第1面向所述第2面倾斜，所述倾斜面也可以在从所述树脂层的所述第1面突出的方向倾斜，所述磁阻效应部包含至少具有由反铁磁性材料构成的反铁磁性层的磁阻效应元件，所述树脂层由热塑性树脂构成，且所述热塑性树脂的软化温度可以比所述反铁磁性材料的奈耳温度低，所述磁阻效应元件可以是GMR元件或者TMR元件。
[0017]还可以进一步具备具有第1面和与该第1面相对的第2面的基板，所述树脂层设置于所述基板的所述第1面上，且所述树脂层的所述第2面比所述树脂层的所述第1面更靠所述基板的所述第1面侧，所述基板可以是硅基板，还可以进一步具备将所述树脂层以及所述磁阻效应部一体地密封的密封部。
[0018]此外，本专利技术提供一种磁传感器的制造方法，是制造磁传感器的方法，其特征在于，包括：形成具有第1面和与该第1面相对的第2面的树脂材料层的工序；和在所述树脂材料层的所述第1面形成相对于该第1面以规定的角度倾斜的倾斜面的工序，所述磁阻效应部至少包括检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部，所述第1方向是与所述树脂材料层的所述第1面正交的方向，以使设置于所述树脂材料层的所述第1面的所述第1磁阻效应部位于所述倾斜面的方式形成所述倾斜面。
[0019]此外，本专利技术提供一种磁传感器的制造方法，是制造磁传感器的方法，其特征在于，包括：形成具有第1面和与该第1面相对的第2面的树脂材料层的工序；在所述树脂材料层的所述第1面形成相对于所述第1面以规定角度倾斜的倾斜面的工序；和在所述倾斜面设置磁阻效应部的工序，所述磁阻效应部至少包含检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部，所述第1方向是与所述树脂层的所述第1面正交的方向。
[0020]所述磁阻效应部还包括检测第2方向的磁场的第2磁阻效应部，所述第2方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，所述倾斜面包括倾斜方向相互不同的第1倾斜面和第
2倾斜面，也可以在所述第1倾斜面设置所述第1磁阻效应部，在所述第2倾斜面设置所述第2磁阻效应部，所述磁阻效应部还包含检测第3方向的所述磁场的第3磁阻效应部，所述第3方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，并且是与所述第2方向正交的方向，所述倾斜面还包含第3倾斜面，该第3倾斜面的倾斜方向与所述第1倾斜面的倾斜方向以及所述第2倾斜面的倾斜方向都不同，也可以在所述第3倾斜面设置所述第3磁阻效应部。
[0021]所述树脂材料层由热塑性树脂构成，可以通过使所述热塑性树脂软化，并将具有包含与所述倾斜面对应的倾斜面的凹凸结构的模板按压在所述树脂材料层，从而形成所述倾斜面，所述磁阻效应部包括至少具有由反铁磁性材料形成的反铁磁性层的磁阻效应元件，所述热塑性树脂的软化温度比所述反铁磁性材料的奈耳温度低，可以通过以所述热塑性树脂的软化温度以上且低于所述反铁磁性材料的奈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：树脂层，其具有第1面以及与该第1面相对的第2面；和检测规定方向的磁场的磁阻效应部，所述磁阻效应部至少包含检测第1方向的所述磁场的第1磁阻效应部，所述第1方向是与所述树脂层的所述第1面正交的方向，在所述树脂层的所述第1面形成相对于所述第1面以规定的角度倾斜的倾斜面，所述第1磁阻效应部设置于所述倾斜面。2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应部还包含检测第2方向的所述磁场的第2磁阻效应部，所述第2方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，在所述树脂层的所述第1面形成有1个所述倾斜面，所述第1磁阻效应部和所述第2磁阻效应部设置于所述1个倾斜面。3.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应部还包括检测第2方向的所述磁场的第2磁阻效应部，所述第2方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，所述倾斜面包含倾斜方向相互不同的第1倾斜面和第2倾斜面，所述第1磁阻效应部和所述第2磁阻效应部设置于所述第1倾斜面或者所述第2倾斜面。4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应部还包含检测第2方向的所述磁场的第2磁阻效应部，所述第2方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，所述倾斜面包含倾斜方向相互不同的第1倾斜面和第2倾斜面，所述第1磁阻效应部设置于所述第1倾斜面，所述第2磁阻效应部设置于所述第2倾斜面。5.如权利要求3或4所述的磁传感器，其特征在于：所述第1倾斜面的外周边之中的一边与所述第2倾斜面的外周边之中的一边是共用的。6.如权利要求3或4所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应部还包含检测第3方向的所述磁场的第3磁阻效应部，所述第3方向是与所述树脂层的所述第1面平行的方向，并且是与所述第2方向正交的方向，所述倾斜面还包括倾斜方向与所述第1倾斜面的倾斜方向以及所述第2倾斜面的倾斜方向都不同的第3倾斜面，所述第3磁阻效应部设置于所述第3倾斜面。7.如权利要求6所述的磁传感器，其特征在于：所述第3倾斜面的外周边之中的一边与所述第1倾斜面的外周边之中的一边是共用的，所述第3倾斜面的外周边之中的与所述第1倾斜面的所述一边共用的一边以外的一边，与所述第2倾斜面的外周边之中的一边是共用的。8.如权利要求1或者2所述的磁传感器，其特征在于：所述倾斜面从所述树脂层的所述第1面向所述第2面倾斜。
9.如权利要求1或者2所述的磁传感器，其特征在于：所述倾斜面在从所述树脂层的所述第1面突出的方向倾斜。10.如权利要求1或者2所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应部包含至少具有由反铁磁性材料形成的反铁磁性层的磁阻效应元件，所述树脂层由热塑性树脂构成，所述热塑性树脂的软化温度比所述反铁磁性材料的奈耳温度低。11.如权利要求10所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应元件是GMR元件或者TMR元件。12.如权利要求1或者2所述的磁传感器，其特征在于：还具备基板，该基板具有第1面以及与该第1面相对的第2面，所述树脂层设置于所述基板的所述第1面上，所述树脂层的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田尚城，山崎宽史，三浦聪，穴川贤吉，驹崎洋亮，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：