驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路制造技术

本发明专利技术涉及一种驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路，属于SiC MOSFET驱动技术领域，解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiC MOSFET器件、电源V

【技术实现步骤摘要】
驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路


[0001]本专利技术涉及SiC MOSFET驱动控制
，尤其涉及一种驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的高速发展，SiC MOSFET器件应运而生。其具有开关速度高、损耗低、使用频率高等特点，在电力电子变换器
具有广泛的应用。
[0003]目前，现有SiC MOSFET器件的源漏极输出电压/电流变化率较高，在开关速度低时寄生参数将对其性能产生明显影响，串扰问题严重，关断过电压及振荡严重，开关频率受到限制。
[0004]针对上述问题，现有技术主要有两种改善途径：一是增加栅极电阻，二是增加栅极电压。但是，第一种途径增加的栅极电阻越大，SiC MOSFET器件的开关速度越慢，损耗明显增加，即牺牲了器件可工作的最高开关频率。第二种途径增加的栅极电压V
G
正电压越高，栅源电压越快达到阈值电压，SiC MOSFET器件的开通速度越快，V
G
负电压越低，SiC MOSFET器件的关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
其中其中其中式中，V
th
为SiCMOSFET器件的阈值开通电压，g
fs
为SiCMOSFET器件的跨导，L
S
是SiCMOSFET器件的源极寄生电感，R
G1
、R
G2
、R
g
分别为R
G1
、R
G2
、R
g
的电阻值，C
gd
、C
gs
、C
ds
分别为C
gd
、C
gs
、C
ds
电容值，D为SiCMOSFET器件的工作占空比，f为SiCMOSFET器件的工作频率。6.根据权利要求5所述的驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路，其特征在于，所述控制芯片通过下面公式确定电阻R
G1
的电阻值R
G1
其中其中式中，L
pa
为线路中的寄生电感，R
pa
为线路中的寄生电阻，l、w、h分别为布设SiC MOSFET
驱动控制电路的PCB电路板上导线的长度、宽度和厚度，ρ为所述导线的电导率，V
bus
为负载额定输出电压。7.根据权利要求6所述的驱动电压和...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡西红，秦东东，吴元元，袁红升，
申请(专利权)人：北京机械设备研究所，
类型：发明
国别省市：