一种毫米波单刀单掷开关制造技术

本发明专利技术公开了一种毫米波单刀单掷开关。该单刀单掷开关包括：第一射频输入输出端、第二射频输入输出端、并联反射式结构、串联谐振结构和串并联吸收式结构；其中，并联反射式结构连接于第一射频输入输出端与串联谐振结构之间，串并联吸收式结构连接于串联谐振结构与第二射频输入输出端之间；并联反射式结构、串联谐振结构与串并联吸收式结构依次连接，构成非对称式开关结构。本发明专利技术实施例的技术方案可同时实现毫米波开关在导通状态时具有低插入损耗，在关断状态时具有高隔离度，并且可提高毫米波开关的稳定性。米波开关的稳定性。米波开关的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种毫米波单刀单掷开关


[0001]本专利技术实施例涉及微波开关
，尤其涉及一种毫米波单刀单掷开关。

技术介绍

[0002]在卫星、广播、雷达和通信系统中，需要对电路参量进行控制，例如：控制电路的通断、相移量和衰减量等。微波开关因体积小、用途广泛等优点，成为微波控制电路中的重要组成部分，具有信号连接及切换的重要作用。
[0003]在毫米波频段领域，传统的毫米波开关控制电路通常采用单级串联或并联晶体管的结构或者两级串并联晶体管的结构。但单级的串联结构具有适用带宽较宽、高频插入损耗大和隔离度小的特点；单级的并联结构具有适用带宽较窄、高频插入损耗小而隔离度大的特点。而两级串并联结构虽可结合单级串联结构和单机并联结构的优点，但仍无法同时实现低插入损耗和高隔离度的效果。因此，现有技术中的毫米波开关控制电路无法同时满足低插入损耗、高隔离度及高稳定性的要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种毫米波单刀单掷开关，以解决毫米波开关难以同时实现低插入损耗、高隔离度及高稳定性的问题。
[0005]根据本专利技术的一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种毫米波单刀单掷开关，其特征在于，包括：第一射频输入输出端、第二射频输入输出端、并联反射式结构、串联谐振结构和串并联吸收式结构；其中，所述并联反射式结构连接于所述第一射频输入输出端与所述串联谐振结构之间，所述串并联吸收式结构连接于所述串联谐振结构与所述第二射频输入输出端之间；所述并联反射式结构、所述串联谐振结构与所述串并联吸收式结构依次连接，构成非对称式开关结构。2.根据权利要求1所述的毫米波单刀单掷开关，其特征在于，还包括第一控制端口和第二控制端口；所述第一控制端口与所述并联反射式结构的控制端以及所述串并联吸收式结构的第一控制端相连接；所述第二控制端口与所述串联谐振结构的控制端以及所述串并联吸收式结构的第二控制端相连接；所述第一射频输入输出端与所述并联反射式结构的第一端相连接，所述第二射频输入输出端与所述串并联吸收式结构的第二端相连接。3.根据权利要求2所述的毫米波单刀单掷开关，其特征在于，所述并联反射式结构包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的漏极与所述并联反射式结构的第一端电连接，所述第一晶体管的栅极与所述并联反射式结构的控制端电连接，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述并联反射式结构的控制端电连接，所述第二晶体管的源极接地。4.根据权利要求3所述的毫米波单刀单掷开关，其特征在于，所述并联反射式结构还包括：第一电阻、第二电阻、第一电容匹配单元、第二电容匹配单元、第一过孔和第二过孔；所述第一晶体管的漏极通过所述第一电容匹配单元与所述第一射频输入输出端电连接，所述第一电阻串联电连接于所述第一晶体管的栅极与所述第一控制端口之间，所述第一晶体管的源极通过所述第一过孔直接接地；所述第二晶体管的漏极通过所述第二电容匹配单元与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第二电阻串联电连接于所述第二晶体管的栅极与所述第一控制端口之间，所述第二晶体管的源极通过所述第二过孔直接接地。5.根据权利要求2所述的毫米波单刀单掷开关，其特征在于，所述串联谐振结构包括第三晶体管；所述第三晶体管的漏极与所述串联谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐步坤，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：