【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
[0001]本公开的实施例涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展,含有屏下传感器的显示装置的显示技术成为新一代显示技术的研究焦点。带有屏下传感器的显示装置的显示技术是为了提高显示装置的屏占比所提出的一种全新的技术,通过将传感器设置在屏幕之下,从而使屏幕的屏占比大大提高。全屏幕显示技术使得屏幕不再是刘海屏或水滴屏,因而实现真正的全面屏。其中,典型的含有屏下传感器的显示装置的显示技术包括屏下摄像头技术。
技术实现思路
[0003]本公开的至少一实施例涉及一种显示面板及显示装置。
[0004]本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板,具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧,所述第二显示区包括发光元件设置区和透光区;第一电极层,包括多个第一电极,所述多个第一电极位于所述发光元件设置区和所述第一显示区;第二电极层,包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分位于所述第一显示区,所述第二部分位于所述发光元件设置区 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧,所述第二显示区包括发光元件设置区和透光区;第一电极层,包括多个第一电极,所述多个第一电极位于所述发光元件设置区和所述第一显示区;第二电极层,包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分位于所述第一显示区,所述第二部分位于所述发光元件设置区,所述第三部分位于所述透光区;以及发光功能层,位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,其中,所述第一电极层比所述第二电极层更靠近所述衬底基板,所述第一电极层、所述发光功能层、以及所述第二电极层形成位于所述第一显示区的多个第一发光元件和位于所述发光元件设置区的多个第二发光元件,所述第二电极层的所述第二部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第一部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括遮光层,其中,所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部,所述第一遮光部与所述第一显示区至少部分交叠,所述第二遮光部与所述第二显示区至少部分交叠,所述第一遮光部的厚度与所述第二遮光部的厚度不等。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部的厚度小于所述第二遮光部的厚度。5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述发光元件设置区在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二遮光部被配置为在采用激光束图形化处理进行减薄操作形成所述第二电极层的所述第三部分时至少部分遮挡所述激光束的能量。6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述透光区在所述衬底基板上的正投影不交叠或部分交叠。7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括控制电路层,其中,所述控制电路层位于所述第一电极层的靠近所述衬底基板的一侧,所述遮光层位于所述控制电路层和所述衬底基板之间。8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括覆盖层和涂覆层,其中,所述覆盖层比所述涂覆层更靠近所述第二电极层。9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述覆盖层的材料的折射率和所述涂覆层的材料的折射率相同。10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影与所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。11.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影。12.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层与所述覆盖层接触。13.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述覆盖层在所述发光元件设置区
和所述透光区至少之一中具有凸起结构。14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构的高度大于或等于5 nm,并且小于或等于20 nm。15.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层包括有机材料涂覆层或无机材料涂覆层。16.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层包括下述材料中的至少一种:氧化锌、氧化钛、聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二氧硅烷、六甲基二甲硅醚、聚苯乙烯、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、对二甲基聚合物、乙烯醇类或者共混物。17.根据权利要求1
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16任一项所述的显示面板,其特征在于,位于所述透光区的膜层构成透光膜层,其中,所述透光膜层被配置为透过照射到其上的光。18.根据权利要求17所述的显示面板,其特征在于,所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑克宁,郝学光,乔勇,刘莹,范磊,王登宇,王景泉,徐晶晶,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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