一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源PWM控制器MOS管驱动回路领域，且公开了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻、R2电阻、R4电阻、R5电阻、R6电阻、R7电阻、R8电阻、Q1三极管、Q2mos管、C1电容、C2电容、C3电容、C4电容、D1二极管、D2二极管、D3二极管、D4二极管以及T1变压器，该实用新型专利技术，Q2mos管关断时，Q1三极管工作在放大区，Q2mos管栅极电流经由R2电阻

【技术实现步骤摘要】
一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路


[0001]本技术涉及电源PWM控制器MOS管驱动回路领域，具体为一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路。

技术介绍

[0002]现有的PWM控制器中，一般PWM控制器用一个电阻驱动MOS管，MOS管开关栅极回路都经过此电阻，MOS管关断的时候回路经过电阻到芯片内部再到地，回路较长关断速度慢损耗较大。
[0003]为此，我们设计了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，解决了现有的设备损耗较大的问题。
[0005]为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻、R2电阻、R4电阻、R5电阻、R6电阻、R7电阻、R8电阻、Q1三极管、Q2mos管、C1电容、C2电容、C3电容、C4电容、D1二极管、D2二极管、D3二极管、D4二极管以及T1变压器，所述R1电阻一端与D1二极管相连接，R1电阻另一端与PWM芯片以及Q1三极管相连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻（1）、R2电阻（2）、R4电阻（3）、R5电阻（4）、R6电阻（5）、R7电阻（6）、R8电阻（7）、Q1三极管（8）、Q2mos管（9）、C1电容（10）、C2电容（11）、C3电容（12）、C4电容（13）、D1二极管（14）、D2二极管（15）、D3二极管（16）、D4二极管（17）以及T1变压器（18），其特征在于：所述R1电阻（1）一端与D1二极管（14）相连接，R1电阻（1）另一端与PWM芯片以及Q1三极管（8）相连接，R2电阻（2）一端与D1二极管（14）以及Q1三极管（8）相连接，R2电阻（2）另一端与Q2mos管（9）相连接，R4电阻（3）一端与PWM芯片相连接，R4电阻（3）另一端与C1电容（10）以及R7电阻（6）相连接，R5电阻（4）一端与D2二极管（15）相连接，R5电阻（4）另一端与PWM芯片以及R6电阻（5）相连接，R6电阻（5）一端与C3电容（...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱理贤，
申请(专利权)人：昆山硕通电子有限公司，
类型：新型
国别省市：