一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源PWM控制器MOS管驱动回路领域，且公开了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻、R2电阻、R4电阻、R5电阻、R6电阻、R7电阻、R8电阻、Q1三极管、Q2mos管、C1电容、C2电容、C3电容、C4电容、D1二极管、D2二极管、D3二极管、D4二极管以及T1变压器，该实用新型专利技术，Q2mos管关断时，Q1三极管工作在放大区，Q2mos管栅极电流经由R2电阻

【技术实现步骤摘要】
一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路


[0001]本技术涉及电源PWM控制器MOS管驱动回路领域，具体为一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路。

技术介绍

[0002]现有的PWM控制器中，一般PWM控制器用一个电阻驱动MOS管，MOS管开关栅极回路都经过此电阻，MOS管关断的时候回路经过电阻到芯片内部再到地，回路较长关断速度慢损耗较大。
[0003]为此，我们设计了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，解决了现有的设备损耗较大的问题。
[0005]为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻、R2电阻、R4电阻、R5电阻、R6电阻、R7电阻、R8电阻、Q1三极管、Q2mos管、C1电容、C2电容、C3电容、C4电容、D1二极管、D2二极管、D3二极管、D4二极管以及T1变压器，所述R1电阻一端与D1二极管相连接，R1电阻另一端与PWM芯片以及Q1三极管相连接，R2电阻一端与D1二极管以及Q1三极管相连接，R2电阻另一端与Q2mos管相连接，R4电阻一端与PWM芯片相连接，R4电阻另一端与C1电容以及R7电阻相连接，R5电阻一端与D2二极管相连接，R5电阻另一端与PWM芯片以及R6电阻相连接，R6电阻一端与C3电容相连接，R6电阻另一端与PWM芯片相连接，R7电阻一端与C2电容以及D3二极管相连接，R7另一端与C1电容以及R4电阻相连接，R8电阻一端与T1变压器相连接、PWM芯片、R6电阻以及C3电容相连接，R8电阻另一端与Q1三极管以及Q2mos管相连接，C4电容一端与T1变压器相连接，C4电容另一端与D4二极管相连接。
[0006]进一步的，所述T1变压器一端与DET辅助绕组相连接。
[0007]进一步的，所述R6电阻、R8电阻、C3电容以及D2二极管一端接地。
[0008]进一步的，所述C1电容一端接地。
[0009]本技术的有益效果为：该技术，通过T1变压器，DET辅助绕组为PWM芯片U1供电，U1 3PIN为电流采样PIN，通过采样电阻R8接地，U1 5PIN为MOS管驱动PIN，R1电阻、R2电阻、D1二极管、Q1三极管组成驱动回路驱动Q2mos管，一般设置R1电阻阻值略大，R2电阻阻值较小。PWM驱动Q2mos管导通时，经由回路R1电阻
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D1二极管
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R2电阻驱动Q2mos管导通，R1电阻阻值占主要分量，略大的取值有利于减小开关噪声，EMI效果更好；Q2mos管关断时，Q1三极管工作在放大区，Q2mos管栅极电流经由R2电阻
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Q1三极管
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R8电阻直接到地，而非经过阻值较大的R1电阻到PWM 5PIN再到地，这样可以减小关断回路的阻抗，使Q2mos管快速关断，减小MOS损耗，提高电源效率。
附图说明
[0010]图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的俯视示意图；图3为本技术的电路图。
[0011]图中：1、R1电阻；2、R2电阻；3、R4电阻；4、R5电阻；5、R6电阻；6、R7电阻；7、R8电阻；8、Q1三极管；9、Q2mos管；10、C1电容；11、C2电容；12、C3电容；13、C4电容；14、D1二极管；15、D2二极管；16、D3二极管；17、D4二极管；18、T1变压器。
具体实施方式
[0012]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0013]参看图1
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3：一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻1、R2电阻2、R4电阻3、R5电阻4、R6电阻5、R7电阻6、R8电阻7、Q1三极管8、Q2mos管9、C1电容10、C2电容11、C3电容12、C4电容13、D1二极管14、D2二极管15、D3二极管16、D4二极管17以及T1变压器18，所述R1电阻1一端与D1二极管14相连接，R1电阻1另一端与PWM芯片以及Q1三极管8相连接，R2电阻2一端与D1二极管14以及Q1三极管8相连接，R2电阻2另一端与Q2mos管9相连接，R4电阻3一端与PWM芯片相连接，R4电阻3另一端与C1电容10以及R7电阻6相连接，R5电阻4一端与D2二极管15相连接，R5电阻4另一端与PWM芯片以及R6电阻5相连接，R6电阻5一端与C3电容12相连接，R6电阻5另一端与PWM芯片相连接，R7电阻6一端与C2电容11以及D3二极管16相连接，R7另一端与C1电容10以及R4电阻3相连接，R8电阻7一端与T1变压器18相连接、PWM芯片、R6电阻5以及C3电容12相连接，R8电阻7另一端与Q1三极管8以及Q2mos管9相连接，C4电容13一端与T1变压器18相连接，C4电容13另一端与D4二极管17相连接。
[0014]其中，T1变压器18一端与DET辅助绕组相连接，所述R6电阻5、R8电阻7、C3电容12以及D2二极管15一端接地，所述C1电容10一端接地。
[0015]综上所述，本技术在使用时，通过T1变压器18，DET辅助绕组为PWM芯片U1供电，U1 3PIN为电流采样PIN，通过采样电阻R8接地，U1 5PIN为MOS管驱动PIN，R1电阻1、R2电阻2、D1二极管14、Q1三极管8组成驱动回路驱动Q2mos管9，一般设置R1电阻1阻值略大，R2电阻2阻值较小。PWM驱动Q2mos管9导通时，经由回路R1电阻1
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D1二极管14
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R2电阻2驱动Q2mos管9导通，R1电阻1阻值占主要分量，略大的取值有利于减小开关噪声，EMI效果更好；Q2mos管9关断时，Q1三极管8工作在放大区，Q2mos管9栅极电流经由R2电阻2
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Q1三极管8
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R8电阻7直接到地，而非经过阻值较大的R1电阻1到PWM 5PIN再到地，这样可以减小关断回路的阻抗，使Q2mos管9快速关断，减小MOS损耗，提高电源效率。
[0016]以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效能的PWM控制器MOS驱动回路，包括R1电阻（1）、R2电阻（2）、R4电阻（3）、R5电阻（4）、R6电阻（5）、R7电阻（6）、R8电阻（7）、Q1三极管（8）、Q2mos管（9）、C1电容（10）、C2电容（11）、C3电容（12）、C4电容（13）、D1二极管（14）、D2二极管（15）、D3二极管（16）、D4二极管（17）以及T1变压器（18），其特征在于：所述R1电阻（1）一端与D1二极管（14）相连接，R1电阻（1）另一端与PWM芯片以及Q1三极管（8）相连接，R2电阻（2）一端与D1二极管（14）以及Q1三极管（8）相连接，R2电阻（2）另一端与Q2mos管（9）相连接，R4电阻（3）一端与PWM芯片相连接，R4电阻（3）另一端与C1电容（10）以及R7电阻（6）相连接，R5电阻（4）一端与D2二极管（15）相连接，R5电阻（4）另一端与PWM芯片以及R6电阻（5）相连接，R6电阻（5）一端与C3电容（...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱理贤，
申请(专利权)人：昆山硕通电子有限公司，
类型：新型
国别省市：