充电电路和电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种充电电路和电子设备，该充电电路包括第一开关电路、第二开关电路和NTC电路；第一开关电路的第一端被配置为连接蓄电池，第一开关电路的第二端被配置为连接正充电端口，第一开关电路的第三端耦合至第二开关电路的第一端；第二开关电路的第二端与NTC电路的第一端相连，第二开关电路的第三端耦合至NTC电路的第二端；NTC电路的第一端被配置为连接负充电端口，NTC电路的第二端被配置为连接温度检测端，被配置为获取接入电压，根据接入电压控制第一开关电路和第二开关电路工作。本技术方案能够提高对电子设备充电过程中的安全性。中的安全性。中的安全性。

【技术实现步骤摘要】
充电电路和电子设备


[0001]本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种充电电路和电子设备。

技术介绍

[0002]随着近些年集成电路技术的不断发展，对于电子设备的大功率快充技术的安全性能提出了更高的要求。
[0003]现有的电子设备大功率充电过程的安全检测，主要是通过判断充电器输出电压幅值，间接判断充电器是否正常充电，但是，仅依靠检测充电器输出电压的状态无法有效判断充电器是否拔出，容易导致误检测，并存在一定的安全隐患，难以满足对手机大功率充电的安全要求。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种充电电路和电子设备，以解决电子设备在大功率充电过程中的安全性较差的问题。
[0005]一种充电电路，包括第一开关电路、第二开关电路和NTC电路；
[0006]所述第一开关电路的第一端被配置为连接蓄电池，所述第一开关电路的第二端被配置为连接正充电端口，所述第一开关电路的第三端耦合至所述第二开关电路的第一端；
[0007]所述第二开关电路的第二端与所述NTC电路的第一端相连，所述第二开关电路的第三端耦合至所述NTC电路的第二端；
[0008]所述NTC电路的第一端被配置为连接负充电端口，所述NTC电路的第二端被配置为连接温度检测端，用于获取所述温度检测端上的接入电压，根据所述接入电压控制所述第一开关电路和第二开关电路工作。
[0009]进一步地，在所述接入电压不为零时，所述第二开关电路导通，所述第一开关电路导通；在所述接入电压为零时，所述第二开关电路关断，所述第一开关电路关断。
[0010]进一步地，所述第一开关电路包括场效应晶体管，所述第二开关电路包括场效应晶体管或三极管。
[0011]进一步地，所述第一开关电路包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接至所述正充电端口，所述PMOS晶体管的漏极连接至所述正充电端口，所述PMOS晶体管的栅极耦合至所述第二开关电路。
[0012]进一步地，所述第二开关电路包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的源极与所述NTC电路的第一端相连，所述NMOS晶体管的漏极耦合至所述第一开关电路的第三端，所述NMOS晶体管的栅极耦合至所述NTC电路的第二端。
[0013]进一步地，所述第二开关电路包括N型三极管，所述N型三极管的集电极与所述NTC电路的第一端相连，所述N型三极管的发射极耦合至所述第一开关电路的第三端，所述N型三极管的基极耦合至所述NTC电路的第二端。
[0014]进一步地，所述NTC电路包括NTC电阻，所述NTC电阻的第一端与第二开关电路的第
二端和负充电端口相连，所述NTC电阻的第二端与所述第二开关电路的第三端和温度检测端相连。
[0015]进一步地，所述NTC电路还包括第一电容；所述第一电容的一端与所述NTC电阻的第一端相连，所述第一电容的另一端与所述NTC电阻的第二端相连。
[0016]一种电子设备，包括蓄电池、充电端口和上述的充电电路。
[0017]进一步地，所述充电端口包括正充电端口、负充电端口和温度检测端；
[0018]所述正充电端口与所述充电电路中的第一开关电路的第二端相连；
[0019]所述负充电端口与所述充电电路中的NTC电路的第一端相连；
[0020]所述温度检测端与所述充电电路中的NTC电路的第二端相连。
[0021]上述充电电路和电子设备，通过将第一开关电路的第一端连接蓄电池，将第一开关电路的第二端连接正充电端口，将第一开关电路的第三端耦合至第二开关电路的第一端，将第二开关电路的第二端与NTC电路的第一端相连，将第二开关电路的第三端耦合至NTC电路的第二端，并将NTC电路的第一端连接负充电端口，将NTC电路的第二端连接温度检测端，便能够利用NTC电路的第二端连接的温度检测端上的接入电压，对电子设备充电过程的进行充电保护，即根据接入电压控制第一开关电路和第二开关电路工作，以提高对电子设备充电过程中的安全性。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术一实施例中充电电路的一电路示意图。
[0024]图中：10、第一开关电路；20、第二开关电路；30、NTC电路。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0027]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部
分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0028]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0029]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，包括第一开关电路、第二开关电路和NTC电路；所述第一开关电路的第一端被配置为连接蓄电池，所述第一开关电路的第二端被配置为连接正充电端口，所述第一开关电路的第三端耦合至所述第二开关电路的第一端；所述第二开关电路的第二端与所述NTC电路的第一端相连，所述第二开关电路的第三端耦合至所述NTC电路的第二端；所述NTC电路的第一端被配置为连接负充电端口，所述NTC电路的第二端被配置为连接温度检测端，用于获取所述温度检测端上的接入电压，根据所述接入电压控制所述第一开关电路和第二开关电路工作。2.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，在所述接入电压不为零时，所述第二开关电路导通，所述第一开关电路导通；在所述接入电压为零时，所述第二开关电路关断，所述第一开关电路关断。3.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一开关电路包括场效应晶体管，所述第二开关电路包括场效应晶体管或三极管。4.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一开关电路包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接至所述正充电端口，所述PMOS晶体管的漏极连接至所述正充电端口，所述PMOS晶体管的栅极耦合至所述第二开关电路。5.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第二开关电路包括NMOS晶体管，所述NMOS晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：马林梓，
申请(专利权)人：博科能源系统深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：