量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板。所述量子点彩膜基板具有透光区以及与所述透光区连接的非透光区。所述量子点彩膜基板包括基层、挡墙层、反射层以及色阻层。所述挡墙层设于所述非透光区内的基层上。所述反射层覆于所述挡墙层的表面上。所述色阻层设于所述透光区内的基层上，并且所述色阻层中含有量子点材料。阻层中含有量子点材料。阻层中含有量子点材料。

【技术实现步骤摘要】
量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及光电显示领域，特别是一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着高端显示的发展，量子点色转换技术受到了业界的高度关注。这种量子点色转换是基于量子点的光致发光性能。由于量子点本身的半峰宽较窄、荧光量子效率较高和发光波长易调等特性，使得量子点色转换的色域较高、视角较宽。
[0003]一般地，量子点彩膜中的像素之间会使用黑色挡墙层(Bank)，以防止临近像素的光串扰问题。但是，这种黑色Bank材料会完全吸收量子点激发的光线，故会造成很大的亮度损失。因此，开发具有高反射的Bank意义重大。
[0004]由于图案化蒸镀的精细掩模版(Fine Metal Mask，FMM)制作成本较高，我们利用整面蒸镀金属来制作高反射Bank时，经常会出现Bank底部区域因金属阻挡导致透光率下降的问题，严重影响了出光效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板，以解决现有彩膜基板由于黑色挡墙层所造成的亮度损失问题以及由于制备工艺上的缺陷而导致透光率下降的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种量子点彩膜基板，所述量子点彩膜基板具有透光区以及与所述透光区连接的非透光区。所述量子点彩膜基板包括挡墙层、反射层以及色阻层。所述挡墙层设于一基层上，并位于所述非透光区中。所述反射层覆于所述挡墙层的表面上。所述色阻层设于所述基层上，并位于所述透光区中。所述色阻层中含有量子点材料。
[0007]进一步地，所述量子点彩膜基板还包括保护层，所述保护层设于所述反射层远离所述挡墙层的一表面上。
[0008]进一步地，所述反射层中含有金属材料，所述保护层中含有无机材料。
[0009]进一步地，所述量子点彩膜基板还包括黑色矩阵，所述黑色矩阵设于所述挡墙层与所述基层之间。
[0010]所述色阻层包括第一色阻层和第二色阻层。所述第一色阻层设于所述基层上。所述第二色阻层设于至少一部分所述第一色阻层上。其中，所述第二色阻层中含有所述量子点材料。
[0011]进一步地，所述挡墙层的厚度为5
‑
200微米，所述反射层的厚度为100
‑
200纳米。
[0012]本专利技术中还提供一种量子点彩膜基板的制备方法，用以制备如上所述的量子点彩膜基板。所述制备方法中包括以下步骤：
[0013]提供一基层，并在所述基层上定义出透光区和非透光区；在所述透光区内的基层上形成光阻层；在所述非透光区内的基层上形成挡墙层；在所述光阻层和所述挡墙层上形成反射层；剥离所述光阻层和所述光阻层上的反射层；在所述透光区内的基层上形成色阻
层，所述色阻层中含有量子点材料。
[0014]进一步地，所述光阻层包括顶面和底面，所述顶面为所述光阻层远离所述基层的一表面，所述底面为所述光阻层靠近所述基层的一表面。其中，所述底面的面积小于所述顶面的面积。
[0015]进一步地，所述量子点彩膜基板的制备方法还包括以下步骤：在所述反射层上形成保护层。
[0016]进一步地，在所述透光区内的基层上形成所述光阻层步骤前还包括以下步骤：在所述非透光区内的基层上形成黑色矩阵。在所述透光区内的基层上形成所述色阻层步骤中包括以下步骤：在所述透光区内的基层上形成第一色阻层；在至少一部分所述第一色阻层远离所述基层的一表面上形成第二色阻层，所述第二色阻层中含有所述量子点材料。
[0017]本专利技术中还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的量子点彩膜基板。
[0018]本专利技术的优点是：本专利技术中的一种量子点彩膜基板，通过在其挡墙层上设置反射层，将入射至所述挡墙层上的光线反射回所述量子点彩膜基板的透光区中，提高所述量子点彩膜基板的出光率以及所述显示面板的光线利用率，减少光线的浪费。同时，本专利技术中还提供了一种量子点彩膜基板的制备方法，该制备方法通过光阻层辅助金属膜层的整面蒸镀，形成非连续反射层，便于后续制程中将所述反射层图案化，并且还不易在所述透光区中产生金属残留。
附图说明
[0019]图1为本专利技术实施例中显示面板的层状结构示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例中量子点彩膜基板的层装结构示意图；
[0021]图3为本专利技术实施例中量子点彩膜基板的层装结构示意图；
[0022]图4为本专利技术实施例中量子点彩膜基板制备方法的流程示意图；
[0023]图5为本专利技术实施例中步骤S20中量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0024]图6为本专利技术实施例中步骤S20后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0025]图7为本专利技术实施例中步骤S30后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0026]图8为本专利技术实施例中步骤S40后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0027]图9为本专利技术实施例中步骤S50后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0028]图10为本专利技术实施例中步骤S60后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0029]图11为本专利技术实施例中步骤S70后量子点彩膜基板的层状结构示意图；
[0030]图12为本专利技术实施例中步骤S80后量子点彩膜基板的层状结构示意图。
[0031]图中部件表示如下：
[0032]显示面板1；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
量子点彩膜基板10；
[0033]透光区101；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
红色子像素101R；
[0034]绿色子像素101G；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
蓝色子像素101B；
[0035]非透光区102；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基层11；
[0036]黑色矩阵12；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
挡墙层13；
[0037]色阻层14；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一色阻层141；
[0038]红色滤光层141R；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
绿色滤光层141G；
[0039]蓝色滤光层141B；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二色阻层142；
[0040]红色量子点层142R；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
绿色量子点层142G；
[0041]反射层15；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
保护层16；
[0042]开口17；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一开口171；
[0043]第二开口172；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
光阻层18；
[0044]光阻层的顶面181；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
光阻层的底面182；
[0045]阵列基板20；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
蓝色发光器件21。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点彩膜基板，其特征在于，具有透光区以及与所述透光区连接的非透光区；所述量子点彩膜基板包括：挡墙层，设于一基层上，并位于所述非透光区中；反射层，覆于所述挡墙层的表面上；色阻层，设于所述基层上，并位于所述透光区中；所述色阻层中含有量子点材料。2.如权利要求1所述的量子点彩膜基板，其特征在于，还包括：保护层，设于所述反射层远离所述挡墙层的一表面上。3.如权利要求2所述的量子点彩膜基板，其特征在于，所述反射层中含有金属材料；所述保护层中含有无机材料。4.如权利要求1所述的量子点彩膜基板，其特征在于，还包括：黑色矩阵，设于所述挡墙层与所述基层之间；所述色阻层包括：第一色阻层，设于所述基层上；第二色阻层，设于至少一部分所述第一色阻层上；其中，所述第二色阻层中含有所述量子点材料。5.如权利要求1所述的量子点彩膜基板，其特征在于，所述挡墙层的厚度为5
‑
200微米；所述反射层的厚度为100
‑
200纳米。6.一种量子点彩膜基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基层，并在所述基层上定义出透光区和非透光区；在所述透光区内的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：段淼，侯俊，陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：