一种角位移传感器及电子设备制造技术

本公开实施例提供了一种角位移传感器及电子设备，角位移传感器至少包括：介质基板、共面波导结构和开口谐振环；共面波导结构与介质基板连接，设置在介质基板远离待测体的一侧；开口谐振环设置在靠近待测体的一侧，用于与待测体连接；其中，开口谐振环具有一个或多个开口，开口谐振环的设计图案为非旋转对称图案，以使得非旋转对称图案满足在360度旋转过程中无重合的S21曲线。本公开实施例与现有的开口谐振环完全不同，本公开实施例的开口谐振环的设计图案为非旋转对称图案，即任何角度下的图案均不存在相同图案，进而对应的S21曲线完全不会存在重合的情况，能够清楚的确定各个角度方位，提升了可检测的方位，系统性能得到了明显提升。显提升。显提升。

【技术实现步骤摘要】
一种角位移传感器及电子设备


[0001]本公开涉及检测领域，特别涉及一种角位移传感器及电子设备。

技术介绍

[0002]SRR(开口谐振环，Split Ring Resonators)通常使用被用于合成左手材料和负折射率的材料。当一个随时间变化的磁场垂直穿过SRR时，SRR可在其谐振点附近表现为负的磁导率。将SRR置于平面传输线的背面，可在SRR谐振点附近抑制信号在传输线上的传播。
[0003]SRR从初始位置绕SRR所在平面中心轴旋转时，其S21值会有变化。通过探测其S21值，可以实现对SRR的角位移探测。
[0004]现有基于SRR的角位移探测系统采用的SRR为双轴对称结构，其可探测角位移范围为0
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，探测范围较小，对于需要探测角度范围较大的设备，现有角位移探测系统无法实现。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例提出了一种角位移传感器及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：SRR为双轴对称结构，其可探测角位移范围为0
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°本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种角位移传感器，其特征在于，至少包括：介质基板、共面波导结构和开口谐振环；所述共面波导结构与所述介质基板连接，设置在所述介质基板远离待测体的一侧；所述开口谐振环设置在靠近所述待测体的一侧，用于与所述待测体连接；其中，所述开口谐振环具有一个或多个开口，所述开口谐振环的设计图案为非旋转对称图案，以使得所述非旋转对称图案满足在360度旋转过程中无重合的S21曲线。2.如权利要求1所述的角位移传感器，其特征在于，所述开口谐振环设置在所述介质基板靠近所述待测体的一侧上。3.如权利要求1所述的角位移传感器，其特征在于，所述共面波导结构包括：一条导体带，以及，在所述导体带两侧分别设置的导体平面，所述导体带与所述导体平面之间具有狭缝。4.如权利要求1所述的角位移传感器，其特征在于，所述开口谐振环为金属材质。5.如权利要求1至4中任一项所述的角位移...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐国强，郭倩玉，曲峰，李必奇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：