基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用。宽带近红外荧光粉化学式为A

【技术实现步骤摘要】
基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于发光材料
的一种荧光粉及其制备方法和应用，具体涉及一种基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]发射波长位于650～1700nm近红外光源应用极为广泛，例如近红外(NIR)光谱仪、光学相干断层扫描系统和太阳模拟器等。特别是在NIR光谱技术，由于某些官能团中的含氢基团(O
‑
H、N
‑
H、C
‑
H)的振动倍频和合频处于近红外区，因此，通过扫描样品的近红外光谱，即可分析样品中含氢基团的特征信息。将具有无损诊断与分析功能的NIR光谱技术与日益兴起的便携式智能终端设备(例如手机、智能手表)相结合，有望实现人们在日常生活中对食品、药物、衣物等的即时分析和对人体健康状态的实时监测。作为NIR光谱技术的核心部件之一，传统的宽带近红外光源不但效率低、而且体积大，无法满足集成化需求。
[0003]一种获得微型宽带NIR光源的方式是通过多波段LED NIR芯片集成，从而实现宽带NIR发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽带近红外荧光粉，其特征在于：所述的宽带近红外荧光粉为无机化合物，其化学式为A
x
(B1‑
y
C
y
)2O4:zCr
3+
，其中，A为Mg、Zn、Ca、Sr、Ba、Be元素中的一种或多种，B为Ga、Al、Sc、In、Y、La、Lu元素中的一种或多种，C为Si、Sn、In、Ta、As、Li、Na、K元素中的一种或多种，且所述参数x、y、z满足如下条件：0.4≤x≤1.2，0.01＜y＜0.50，0.01＜z＜0.20。2.如权利要求1所述的宽带近红外荧光粉，其特征在于：所述宽带近红外荧光粉的主晶相具有尖晶石结构。3.如权利要求1所述的宽带近红外荧光粉，其特征在于：所述的荧光粉被波长范围为400～700nm的可见光有效激发，发射650～1300nm范围的近红外光。4.一种权利要求1所述的宽带近红外荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照权利要求1所述的化学计量比分别称取含有A、B、C和Cr的化合物为原料，A为Mg、Zn、Ca、Sr、Ba、Be元素中的一种或多种，B为Al、Ga、Sc、In、Y、La、Lu元素中的一种或多种，C为Si、Ge、Sn、In、Ta、As、Li、Na、K元素中的一种或多种，然后将原料充分混合均匀，得到均匀混合物；(2)将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国君，肖文戈，邱建荣，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：