一种新型Si-SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件制造技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，提供一种新型Si

【技术实现步骤摘要】
一种新型Si
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SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件


[0001]本专利技术属于半导体器件
，涉及隧穿场效应管半导体器件，具体为一种新型Si(硅)
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SiC(碳化硅)异质结隧穿MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)器件及集成电路技术。

技术介绍

[0002]碳化硅半导体材料作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、载流子饱和漂移速度高、介电常数小等优点；用碳化硅材料制备的功率器件及功率集成电路性能要高于普通硅材料的功率器件，因此碳化硅材料具有更广阔的应用前景。
[0003]另一方面，随着MOSFET沟道长度的不断缩短，许多可以忽略的效应变得显著起来，这些效应统称为短沟道效应；当MOSFET的沟道长度缩短到可以和源区、漏区的结深相比拟时，阈值电压将随着沟道长度L的缩短而减小，这便是阈值电压的短沟道效应。当沟道长度减小后还会出现漏致势垒降低效应(DIBL)，会发生穿通使得源、漏之间产生很大的漏电流。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型Si
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SiC异质结隧穿MOSFET器件，包括：SiC衬底、位于SiC衬底上的NM OS；其特征在于，所述NMOS包括：相邻接的N型碳化硅半导体区与P型硅半导体区，N型碳化硅半导体区中设置有重掺杂N型半导体区、重掺杂N型半导体区上设置金属化漏极，P型硅半导体区中设置有重掺杂P型半导体区、重掺杂P型半导体区上设置金属化源极，N型碳化硅半导体区与P型硅半导体区于邻接处跨接设置金属栅极。2.一种新型Si
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SiC异质结隧穿MOSFET器件，包括：SiC衬底、位于SiC衬底上的PMOS；其特征在于，所述PMOS包括：相邻接的N型硅半导体区与P型碳化硅半导体区，N型硅半导体区中设置有重掺杂N型半导体区、重掺杂N型半导体区上设置金属化源极，P型碳化硅半导体区中设置有重掺杂P型半导体区、重掺杂P型半导体区上设置金属化漏极，N型硅半导体区与P型碳化硅半导体区于邻接处跨接设置金属栅极。3.按权利要求1或2所述Si
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SiC异质结隧穿MOSFET器件，其特征在于，所述金属栅极为表面栅极结构或槽型栅极结构。4.一种新型Si
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SiC异质...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔谋夫，黄柯，高佳成，胡泽伟，陈宗棋，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：