一种氯化亚铜催化剂的预处理方法技术

本发明专利技术涉及多晶硅生产工艺技术领域，具体涉及一种氯化亚铜催化剂的预处理方法。本发明专利技术在管弹反应器中装入氯化亚铜和Si硅粉，通过真空环境增加了氯化亚铜的分压，使其由固相转变为气相，加快氯化亚铜的扩散速率，形成均匀分散的铜硅活性中心；从而加快氯化亚铜在硅粒子表面吸附、沉积和反应并减少由Cu烧结引起的失活。通过实施例证实，对氯化亚铜和Si硅粉进行预处理后进行四氯化硅冷氢化反应不仅可以缩短诱导期，提高四氯化硅催化效率，提高冷氢化的反应效率，还可以减少后系统中铜杂质的量。本发明专利技术所提供的方法对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对冷氢化反应效果促进明显。对冷氢化反应效果促进明显。对冷氢化反应效果促进明显。

【技术实现步骤摘要】
一种氯化亚铜催化剂的预处理方法


[0001]本专利技术涉及多晶硅生产工艺
，具体涉及一种氯化亚铜催化剂的预处理方法。

技术介绍

[0002]改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺，其主要缺点是尾气回收单元中四氯化硅氢化效率低，每生产1t多晶硅，副产超过15t四氯化硅，四氯化硅属于剧毒物质，严重污染环境，我国规定多晶硅生产还原尾气中四氯化硅回收利用率不得低于98.5％。最有效的措施为在多晶硅生产过程中将四氯化硅氢化转化为三氯氢硅，对四氯化硅进行循环利用。目前国内多晶硅氢化方法大多采用冷氢化技术：SiCl4+3Si+2H2→
4SiHCl3，即硅粉、氢气和四氯化硅在催化剂的作用下在流化床/固定床中发生“气
‑
固
‑
固”反应。反应温度400
‑
600℃，压力1
‑
4MPa，氢气与四氯化硅的摩尔进料比为1
‑
10，使用的催化剂多为铜基催化剂。
[0003]有研究认为冷氢化过程中催化剂的活性相为铜硅化合物。在流化床内CuCl催化剂与硅颗粒相互接触被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四氯化硅冷氢化过程中催化剂的预处理方法，其特征在于，所述的预处理方法包括有：将CuCl和硅粉放入密闭反应器中，惰性气体置换出密闭反应器中空气，升温加热反应一段时间，冷却至室温完成预处理过程。2.根据权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述CuCl和硅粉的质量比为10:1～2。3.根据权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述加热反应的反应温度为400～550℃，反应时间为1～10小时。4.根据权利要求1所述的预处...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建树，籍煜雯，张金利，郭瑞丽，张海洋，
申请(专利权)人：石河子大学，
类型：发明
国别省市：