一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明专利技术通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。形貌。形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体存储器
，具体涉及一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]数据流量的日益增加以及数据存储技术的快速迭代，对于存储设备性能的提升提出了迫切的需求。目前半导体存储器的高索度集成已经接近物理极限，进一步通过减小器件其尺寸达到提升存储容量的手段，在未来的很长一段时间内都难以实现。面对日益增大的存储需求和半导体器件小型化无法继续的矛盾，采用性能优异并且价格低廉的有机物使器件在原有尺寸基础上实现性能的提升，无疑是一个优良的解决方案。有机场效应晶体管存储器作为一种基础且重要的电子元器件，可以实现存储，且通过调控可具有非易失性，迅速成为了研究的热点，并且已经取得了较多的成就。然而其存储容量以及存储的稳定性，还有较大的提升空间。
[0003]根据工作原理和器件结构的不同，目前国内外研究的有机非易失性存储器可以分为基于有机场效应晶体管结构的浮栅型、驻极体型和铁电型存储器件。有机场效应晶体管存储器的主要表征参数是转移曲线、输出曲线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。2.根据权利要求1所述的一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述聚乙烯醇溶液为聚乙烯醇溶于二甲基亚砜溶剂中形成。3.根据权利要求1所述的一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述源漏电极的材料为金属Cu；所述有机半导体层的材料为并五苯；所述栅绝缘层的材料为二氧化硅；所述栅电极为高掺杂硅。4.根据权利要求1所述的一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述源漏电极的厚度为100nm；所述有机半导体层的厚度为30～50nm；所述电荷存储层的厚度为20～30nm；所述栅绝缘层的厚度为50nm。5.权利要求1
‑
4任一项所述的一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)配制疏水薄膜层材料溶液：将聚四氟乙烯悬浊液分散于水中，稀释后的浓度为6％～17％，超声处理15min，即得疏水薄膜溶液，备用；步骤2)配制电荷存储层材料溶液：将聚乙烯醇溶于二甲基亚砜溶剂中，其浓度为3mg/mL，80℃条件下加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪明东，孙珂，李雯，钱扬周，钱浩文，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：