一种采用开关电容耦合调节的宽带Class-F压控振荡器制造技术

本发明专利技术属于射频集成电路领域，具体提供一种采用开关电容耦合调节的宽带Class

【技术实现步骤摘要】
一种采用开关电容耦合调节的宽带Class
‑
F压控振荡器


[0001]本专利技术属于射频集成电路领域，涉及射频基础电路中的压控振荡器，具体涉及一种采用开关电容耦合调节的宽带Class
‑
F压控振荡器。

技术介绍

[0002]压控振荡器一般用于锁相环系统(PLL)，其主导PLL带宽外的相位噪声性能；随着第四代(4G)、第五代(5G)移动通信系统的发展，对于压控振荡器的输出的相位噪声性能以及可调节的输出频率范围有了更高的要求。传统结构中的Class
‑
B型压控振荡器相位噪声受限于尾电流源的噪声，必须使用噪声滤除技术保证相位噪声性能，同时其电容阵列的调节方式在相位噪声和调节范围之间进行折中，一般只能达到10％
‑
25％。
[0003]为了提升单个压控振荡器的相位噪声性能，文献“A Class
‑
F CMOSOscillator"(M.Babaie and R.Staszewski,IEEE J.Solid
‑
State Circuits本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用开关电容耦合调节的宽带Class
‑
F压控振荡器，其特征在于，包括：Class
‑
F型压控振荡器单元Class
‑
F Cell
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1与Class
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F Cell
‑
2，耦合电容Cpp1与Cpp2，耦合电容Css1与Css2，以及模式切换开关SW1与SW2；其中，所述模式切换开关SW1的第一端口连接于Class
‑
F Cell
‑
1的D
‑
P端口、第二端口连接于Class
‑
F Cell
‑
1的D
‑
N端口、第三端口连接于Class
‑
F Cell
‑
2的D
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P端口、第四端口连接于Class
‑
F Cell
‑
2的D
‑
N端口，所述模式切换开关SW2的第一端口连接于Class
‑
F Cell
‑
1的G
‑
P端口、第二端口连接于Class
‑
F Cell
‑
1的G
‑
N端口、第三端口连接于Class
‑
F Cell
‑
2的G
‑
P端口、第四端口连接于Class
‑
F Cell
‑
2的G
‑
N端口；所述耦合电容Cpp1连接于模式切换开关SW1的第一端口与第三端口之间，所述耦合电容Cpp2连接于模式切换开关SW1的第二端口与第四端口之间，所述耦合电容Css1连接于模式切换开关SW2的第一端口与第三端口之间，所述耦合电容Css2连接于模式切换开关SW2的第二端口与第四端口之间。2.按权利要求1所述采用开关电容耦合调节的宽带Class
‑
F压控振荡器，其特征在于，所述模式切换开关SW1与SW2采用相同结构，包括：CMOS开关管M3与M4、CMOS开关管M5与M6，隔直电容Cb1、Cb2、Cb3、Cb4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，田怡博，谢倩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：