一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法技术

一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法，清洁处理二氧化硅半球样品，放置二氧化硅样品进入样品池；启动二次谐波光谱设备，并开始进行波数和能量检查；首先测试二氧化硅半球单独存在下去离子水和目标溶液的二次谐波光谱信号强度；放置储层样品进入样品池，获取总体样品存在下的信号强度：测量的总体样品信号强度减去二氧化硅样品强度得到储层的二次谐波样品强度；二次谐波信号强度归一化处理；进行储层二次谐波的pH滴定实验，获取储层等电点(pzc)性质，依次确定二阶磁化率的大小χ

【技术实现步骤摘要】
一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法


[0001]本专利技术涉及油气田开发
，特别涉及一种实时动态无损测试储层 zeta电位的方法。

技术介绍

[0002]储层中由于等电点的存在和溶液接触时会自身带负电。带电荷的储层和溶 液的接触会产生静电力，带相反电荷的反离子会吸附到带电界面，带相同电荷 的同离子会远离带电界面，从而形成了双电层结构。zeta电位指的是双电层结 构中从剪切面到溶液体相之间的电位差。双电层理论在油气田开发过程中作为 基础理论逐渐被普及和应用，例如低矿化度水驱中的主要机理认识为双电层效 应。具体的讲，更低浓度的溶液引起储层表面双电层的扩张，从而引起zeta电 位绝对值的增加，从而增加了储层表面的亲水性，进一步提高油藏的采收率。 因此，研究储层zeta电位的变化，对于从基础理论方面研究油藏的采收率有着 极其重要的指导意义。
[0003]目前对双电层的zeta电位探测手段有限且各有局限性，主要是使用基于电 泳的zeta电位仪，电流测量zeta仪，原子力显微镜辅助等手段。基于电泳的zeta 电位仪基于带电颗粒在电场中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实时动态无损测试储层zeta电位的方法，其特征在于，其步骤包括：(1)、清洁处理二氧化硅半球样品(1.1)将二氧化硅半球用去离子水冲洗多次，在去离子水中进行超声处理，处理后用去离子水再次冲洗多次；随后使用甲醇中进行超声处理，然后用去离子水冲洗多次；再次用去离子水冲洗并超声处理随后用去离子水再次冲洗；(1.2)将处理后的二氧化硅半球浸入强腐蚀性混合溶液中，洗去二氧化硅半球样品上可能附着的有机物；然后使用上述(1.1)冲洗超声方式再次进行同样处理；(1.3)处理结束后，将二氧化硅半球置于烘箱中干燥，再使其冷却至室温；(2)、放置二氧化硅样品进入样品池将清洁后的二氧化硅半球放入样品池中，二氧化硅半球在混合溶液的接触过程中，由于等电点在2
‑
3之间；因此二氧化硅半球界面会呈现负电荷性质，和溶液接触形成双电层结构；(3)启动二次谐波光谱设备，并开始进行波数和能量检查启动二次谐波光谱仪器，首先进行波数和能量调节下的信号检查，选取最强的信号强度下的波数和能量调节，待选取完成后，即开始二次谐波信号的测量；(4)首先测试二氧化硅半球单独存在下去离子水和目标溶液的二次谐波光谱信号强度将去离子水放入样品池中，平衡不少于30分钟后，开始测试其信号强度，测试时间为不少于60s，取平均值为去离子水状态下，二氧化硅半球附近双电层的信号强度I
silica
‑
water
；更换目标溶液为氯化钠溶液，平衡不少于30分钟后，再次相同步骤取平均值作为测试其信号强度I
silica
；；(5)放置储层样品进入样品池，获取总体样品存在下的信号强度：将目标储层样品放入样品池中，平衡不少于30分钟后，开始采集不少于60s的平均值作为储层和二氧化硅半球的总体信号，更改溶液环境，包括pH，浓度，不同离子；收集不同环境下的储层样品和二氧化硅半球总体...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志林，张文通，高辉，王琛，李腾，窦亮彬，
申请(专利权)人：西安石油大学，
类型：发明
国别省市：