电压模式开关模式转换器中的补偿制造技术

本申请涉及电压模式开关模式转换器中的补偿。在一些示例中，电路(100)包括第一场效应晶体管(FET)(104)，其具有适于耦合到参考电压源(102)的第一栅极、耦合到第一电流源(110)的第一源极，以及偶合到第二电流源(114)的第一漏极。电路(100)包括第二FET(118)，其具有耦合到第一漏极的第二栅极、耦合到第一电流源(110)的第二漏极，以及耦合到第一电阻器(122)的第二源极。电路(100)包括第三FET(132)，其具有适于耦合到电压转换器(302)的反馈环路(314)的第三栅极、耦合到第三电流源(136)的第三源极，以及耦合到第四电流源(144)的第三漏极。电路(100)包括第四FET(138)，其具有耦合到第三漏极的第四栅极、耦合到第三电流源(136)的第四漏极，以及耦合到第二电阻器(142)的第四源极。四源极。四源极。

【技术实现步骤摘要】
电压模式开关模式转换器中的补偿

技术介绍

[0001]下降(step
‑
down)转换器(例如，降压(buck)转换器)是接收输入电压并提供减小的(或下降的)电压的功率转换器。下降转换器可以使用许多不同的架构。在具有电压模式架构的下降转换器中，补偿网络提供从转换器的输出到转换器的输入的反馈控制环路以帮助稳定转换器。如果转换器响应于每个有限输入而产生有限输出，则该转换器是稳定的。不稳定的系统可以包括开关波形中的抖动、输出电压的振荡、晶体管的过热等等。补偿网络为转换器提供稳定性，但是过补偿可能导致低带宽和缓慢的瞬态响应。补偿网络也可以用于增加输出的频率范围。

技术实现思路

[0002]根据本说明书的至少一个示例，一种系统包括第一场效应晶体管(FET)，其具有适于耦合到参考电压源的第一FET栅极、耦合到第一电流源的第一FET源极，以及耦合到第二电流源的第一FET漏极。该系统包括第二FET，其具有耦合到第一FET漏极的第二FET栅极、耦合到第一电流源的第二FET漏极，以及耦合到第一电阻器的第二FET源极。该系统还包括第三FET，其具有适于耦合到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路，其包括：第一场效应晶体管即第一FET，其具有适于耦合到参考电压源的第一FET栅极、耦合到第一电流源的第一FET源极，以及耦合到第二电流源的第一FET漏极；第二FET，其具有耦合到所述第一FET漏极的第二FET栅极、耦合到所述第一电流源的第二FET漏极，以及耦合到第一电阻器的第二FET源极；第三FET，其具有适于耦合到电压转换器的反馈环路的第三FET栅极、耦合到第三电流源的第三FET源极，以及耦合到第四电流源的第三FET漏极；以及第四FET，其具有耦合到所述第三FET漏极的第四FET栅极、耦合到所述第三电流源的第四FET漏极，以及耦合到第二电阻器的第四FET源极。2.根据权利要求1所述的电路，还包括：第三电阻器，其耦合到所述第一电流源和所述第三电流源。3.根据权利要求2所述的电路，还包括：电容器，其并联耦合到所述第三电阻器。4.根据权利要求1所述的电路，其中耦合在所述第二FET源极和所述第四FET源极之间的电压输出被配置为提供来自所述参考电压源的参考电压与来自所述反馈环路的电压之间的电压差的指示。5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器耦合到地。6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一FET和所述第二FET具有超级源极跟随器配置，并且其中所述第三FET和所述第四FET具有超级源极跟随器配置。7.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电流源被配置为产生第一电流，所述第一电流是所述第二电流源被配置为产生的第二电流的大约两倍大。8.一种电路，其包括：第一场效应晶体管即第一FET，其具有适于耦合到参考电压源的第一FET栅极、耦合到第一电流源的第一FET源极，以及耦合到第二电流源的第一FET漏极；第二FET，其具有耦合到所述第一FET漏极的第二FET栅极、耦合到所述第一电流源的第二FET漏极，以及耦合到第一电阻器的第二FET源极，其中所述第一电流源、所述第二电流源和所述参考电压源被配置为将所述第一FET和所述第二FET偏置在超级源极跟随器配置中；第三FET，其具有耦合到第三电流源的第三FET源极、耦合到第四电流源的第三FET漏极，以及适于耦合到电压转换器的反馈环路的第三FET栅极，所述第三FET栅极被配置为接收来自所述反馈环路的电压；以及第四FET，其具有耦合到所述第三FET漏极的第四FET栅极、耦合到所述第三电流源的第四FET漏极，以及耦合到第二电阻器的第四FET源极，其中所述第三FET和所述第四FET...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：