用于电构件的载体制造技术

本发明专利技术涉及一种用于至少一个电构件(5至7)的载体(3)。该载体(3)包括：具有冷却体表面(31)和两个从冷却体表面(31)突出的、相对置的侧壁(25)的冷却体(11)；两个平放在冷却体表面(31)上彼此间隔开的密封块(13)，密封块分别在两个侧壁(25)之间延伸并且在紧靠两个侧壁(25)的每一个侧壁处；和在冷却表面(31)上在两个密封块(13)之间布置的、用于至少一个电构件(5至7)的载体结构(15)。(5至7)的载体结构(15)。(5至7)的载体结构(15)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电构件的载体


[0001]本专利技术涉及一种用于至少一个电构件的载体、一种用于制造这种载体的方法以及一种电子模块。

技术介绍

[0002]具有功率半导体、如IGBT(具有绝缘栅极的双极晶体管，英文：insulated
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gate bipolar transistors)或MOSFET(金属氧半导体场效应晶体管，英文：metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistors)的电子模块的制造是复杂的且成本昂贵的。为了满足在这种电子模块的高的绝缘需求，半导体芯片和焊线被覆盖灌注料(例如硅基软灌注料)。灌注料附加地防止了构件的潮气的入侵和腐蚀。在灌注期间，灌注料非常稀薄。为了实现良好的浸湿和避免起泡，灌注在小的低压下进行。在灌注过程和硬化阶段期间通过模块外壳防止灌注料的流出。对此，模块外壳本身和相对于电子模块的底板必须具有高密封性。因此，模块外壳部分彼此通过高塑性粘合剂连接且与底板通过高塑性粘合剂连接。粘合过程和软灌注需要多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于至少一个电构件(5至7)的载体(3)，所述载体(3)包括：
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具有冷却体表面(31)和两个从所述冷却体表面(31)突出的、相对置的侧壁(25)的冷却体(11)；
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两个平放在所述冷却体表面(31)上、彼此间隔开的密封块(13)，所述密封块分别在两个所述侧壁(25)之间延伸并且紧靠在两个所述侧壁(25)的每一个所述侧壁处；和
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在所述冷却体表面(31)上在两个所述密封块(13)之间布置的、用于所述至少一个电构件(5至7)的载体结构(15)。2.根据权利要求1所述的载体(3)，其中，所述冷却体(11)具有基体(21)和构造成所述冷却体表面(31)的散热层(29)，例如铜层。3.根据权利要求2所述的载体(3)，其中，所述基体(21)由铝制成，其中，所述散热层(29)被实施为铜层并且其中，所述铜层与所述基体(21)通过连铸共同被制造或者其中，所述铜层添加地，特别是通过冷气体喷涂的方式被施加到基体表面(23)上。4.根据前述权利要求中任一项所述的载体(3)，其中，每个所述密封块(13)能够通过至少一个螺栓连接(33)与所述冷却体(11)力传递地连接。5.根据前述权利要求中任一项所述的载体(3)，其中，每个所述密封块(13)与所述冷却体(11)通过至少一个槽榫连接形状配合地连接。6.根据前述权利要求中任一项所述的载体(3)，其中，在至少一个所述密封块(13)处布置有至少一个用于电源连接的导电接片(17)。7.根据前述权利要求中任一项所述的载体(3)，其中，所述密封块(13)由合成材料制成。8.根据前述权利要求中任一项所述的载体(3)，其中，至少一个所述密封块(13)在朝向所述冷却体表面(31)的一侧上具有尤其正交于所述侧壁(25)的凹槽，在所述凹槽中布置有密封设备。9.根据权利要求8所述的载体(3)，其中，所述密封设备具有与所述冷却表面(31)和/或与至少一个所述密封块(13)的粘接连接。10.根据前述权利要求中任一项所述的载...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：