电子系统及其电池模块技术方案

一种电子系统及其电池模块。电子系统包括电子装置及电池模块。电池模块包括电池、放电开关电路及突波电流抑制控制电路，且放电开关电路耦接至电池。突波电流抑制控制电路用以控制放电开关电路，使得当电子装置与放电开关电路耦接时，电池经由放电开关电路逐步地增加流入电子装置的电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电子系统及其电池模块，且特别是有关于一种具有突波 电流抑制控制电路的电子系统及其电池模块。
技术介绍
请参照图l，其所示为传统电子系统的方块图。传统电子系统io包括电子装置110及传统电池模块120。传统电池模块120用以提供电子装置IIO所需的电力， 而电子装置110例如为笔记本电脑、数字摄影机、数字相机和个人数字助理 (Personal Digital Assistant ，PDA)等等。请参照图2，其所示为当传统电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流 的波形图。然而，当图1所示的传统电池模块120与电子装置110耦接的瞬间，由 于传统电池模块120对电子装置110中的储能元件开始充电，因此将于短暂时间内 产生高达数十安培的突波电流(Surge Current)流入电子装置110，而容易造成突 波电流流经的电子零件因超出电流负荷而烧毁。
技术实现思路
本专利技术有关于一种具有突波电流抑制控制电路的电子系统及其电池模块。突 波电流抑制控制电路将抑制电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流，以确 保电池模块及电子装置的安全性。根据本专利技术，提出一种电池模块。电池模块用于一电子装置，且电池模块包 括电池(Cell)、放电开关电路及突波电流抑制控制电路。放电开关电路耦接至电池， 且突波电流抑制控制电路用以控制放电开关电路，使得当电子装置与放电开关电路 耦接时，电池经由放电开关电路逐步地增加流入电子装置的电流。根据本专利技术，提出一种电子系统。电子系统包括电子装置及电池模块。电池 模块包括电池、放电开关电路及突波电流抑制控制电路，且放电开关电路耦接至电 池。突波电流抑制控制电路用以控制放电开关电路，使得当电子装置与放电开关电路耦接时，电池经由放电开关电路逐步地增加流入电子装置的电流。 本专利技术的效果本专利技术利用突波电流抑制控制电路来抑制电池模块与电子装置耦接瞬间所产 生的突波电流，以确保电池模块及电子装置的安全性。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附 图式，作详细说明如下附图说明图1所示为传统电子系统的方块图。图2所示为当传统电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流的波形图。图3所示为依照本专利技术 -较佳实施例的一种电子系统的方块图。图4所示为依照本专利技术一较佳实施例的一种电池模块的部分电路图。图5、 6及7所示分别为依照本专利技术较佳实施例的突波电流量测波形图。具体实施方式请参照图3，其所示为依照本专利技术一较佳实施例的一种电子系统的方块图。电 子系统30包括电子装置310及电池模块320，而电池模块320更包括电池 322(Cel1)、放电开关电路324及突波电流抑制控制电路326。放电开关电路324 耦接至电池322，由电池322经由放电开关电路324对电子装置310放电。为了避免电池模块320与电子装置310耦接的瞬间产生过大的突波电流 (Surge Current),突波电流抑制控制电路326将控制放电开关电路324，使得电 池模块320与电子装置310耦接时，电池322经电池放电开关电路324逐步地增加 流入电子装置310的电流。请参照图4，其所示为依照本专利技术一较佳实施例的一种电池模块的部分电路 图。图3所示的电池放电开关电路324进一步包括晶体管Q2、电阻R21及保护 集成电路3242，然本
的技术人员，应当知道保护集成电路3242仅为本发 明附加技术的一例子，并不用以限制本专利技术权利范围。而图3所示的突波电流抑制 控制电路326进一步包括电容C21、电阻R38、电阻Rr、晶体管Qa及晶体管Qb。晶体管Q2例如为P型金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)，而晶体管Qa及晶体管Qb例如为N型金氧 半场效晶体管。电容C21及电阻R21的两端分别耦接至晶体管Q2的源极与闸极，且电容C21例如介于0.广O. 4wF之间，而电阻R21例如为470KQ。晶体管Qb的 汲极经电阻R38耦接至晶体管Q2的闸极，且晶体管Qb的闸极经电阻Rr耦接至晶 体管Q2的源极。晶体管Qa的源极及汲极分别耦接至一接地端及晶体管Qb的闸极。其中，当 电池模块320与电子装置310耦接时，晶体管Q2的汲极及晶体管Qb的源极分别耦 接至电子装置310，且晶体管Qb的源极例如被耦接至电子装置310内部的系统接 地端。请继续参照图4，当电池模块320对电子装置310放电时，晶体管Qb及晶体 管Qa分别被导通(Turn On)及截止(Turn Off)，且电容C21两端电压逐渐地被增加， 以软导通(Soft Turn 0n)晶体管Q2。换言之，晶体管Q2不会瞬间被完全导通，而是随着电容C21两端电压的增加， 以逐步地提高流入电子装置310的电流。如此一来，将能抑制突波电流的峰值，以 避免突波电流流经的电子零件因超出电流负荷而烧毁。前述的突波电流抑制控制电路326不仅可抑制突波电流的峰值，更能当流入 电子装置310的电流大于一默认值时，根据保护集成电路3242输出的过放电信号 Sl，中断流入电子装置的电流。请继续参照图4，当电池模块320对电子装置310过放电时，保护集成电路 3242将输出过放电信号Sl至突波电流抑制控制电路326，以导通晶体管Qa，使得 晶体管Qb被截止。而晶体管Qb被截止后，电容C21两端电压随之下降，以截止晶 体管Q2，进而中断流入电子装置310的电流。本专利技术较佳实施例的突波电流量测波形图请同时参照图5、图6及图7，图5至7分别为依照本专利技术较佳实施例的突波 电流量测波形图。当图4所示的电阻R21及电容C21分别为470KQ及0. 1 u F曰寸， 突波电流的峰值仅为3.3A(如图5所示)。而当图4所示的电阻R21及电容C21 分别为470KQ及0.2iiF时，突波电流的峰值更下降至2. 92A。若图4所示的电阻 R21及电容C21分别为470KQ及0.4nF时，突波电流的峰值将下降至1. 76A。相 较于先前技术所产生的突波电流，本实施例将有效地抑制突波电流的峰值，以确保 电池模块及电子装置的安全性。本专利技术上述实施例所揭露的电池模块，不仅能抑制突波电流的峰值，且当流 入电子装置的电流大于一默认值时，更能中断流入电子装置的电流，以确保电池模 块及电子装置的安全性。综上所述，虽然本专利技术已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发 明。本专利技术所属
的技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各 种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池模块，用于一电子装置，其特征是，上述电池模块包括：　一电池（Ｃｅｌｌ）；　一放电开关电路，耦接至上述电池；以及　一突波电流抑制控制电路，用以控制上述放电开关电路，使得当上述电子装置与上述放电开关电路耦接时，上述电池经上述放电开关电路逐步地增加流入上述电子装置的电流。

【技术特征摘要】
1.一种电池模块，用于一电子装置，其特征是，上述电池模块包括一电池(Cell)；一放电开关电路，耦接至上述电池；以及一突波电流抑制控制电路，用以控制上述放电开关电路，使得当上述电子装置与上述放电开关电路耦接时，上述电池经上述放电开关电路逐步地增加流入上述电子装置的电流。2. 根据权利要求l所述的电池模块，其特征是，其中上述突波电流抑制控制 电路的地端与上述电子装置的系统接地端耦接。3. 根据权利要求l所述的电池模块，其特征是，其中上述放电开关电路包括 一第一晶体管，于上述电池模块放电时，电性连接上述电池及上述电子装置，上述 突波电流抑制控制电路用以控制上述第一晶体管软导通(Soft Turn On)，以抑制流入上述电子装置的突波电流。4. 根据权利要求3所述的电池模块，其特征是，其中上述第一晶体管为P型 金氧半场效晶体管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)。5. 根据权利要求3所述的电池模块，其特征是，其中上述突波电流抑制控制 电路包括一电容，上述电容的两端分别耦接至上述第一晶体管的源极与闸极； 一第二晶体管，当上述电子装置与上述放电开关电路耦接时，上述第二晶体管的源极耦接至一接地端；一第一电阻，上述第二晶体管的汲极经上述第一电阻耦接至上述第一晶体管的闸极；以及一第二电阻，上述第二晶体管的闸极经上述第二电阻耦接至上述第一晶体管 的源极。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李民伟，曾祥宾，
申请(专利权)人：华硕电脑股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]