【技术实现步骤摘要】
一种高功率密度逆变器装置
[0001]本技术属于半导体变流
，更具体地，涉及一种高功率密度逆变器装置。
技术介绍
[0002]逆变器是把直流电能转变成交流电的设备，其工作原理为：通过PWM脉宽调制的技术把直流电变化成正弦交流电，通过正弦波的脉宽调制来控制电力电子器件的导通与截止来实现输出交流电。
[0003]常规的逆变器在高压大电流、频率相对较低时采用IGBT驱动，IGBT在逆变器中的基本作用是作为高速无触点电子开关。控制电路利用IGBT的开关原理给予适当的开通、关断信号，IGBT就能根据控制信号将直流电变换成交流电。IGBT逆变器驱动板可以通过控制信号的脉宽调节来控制电流的大小，也可以控制交流频率，从而控制电机的转速。
[0004]基于IGBT驱动的逆变器驱动能力强但逆变器的体积较大。在高频小电流的应用环境下，逆变器通常采用基于MOS管驱动的逆变器，相比基于IGBT驱动的逆变器，基于MOS管驱动的驱动器具有体积小重量轻的特点。但是常规MOS管的发热量较大，导致MOS管经常出现热击穿的问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高功率密度逆变器装置，包括主控板(3)、四个驱动板(1)，其特征在于，所述主控板(3)与所述四个驱动板(1)电连接；所述四个驱动板(1)围成一个空心四棱锥；所述空心四棱锥的横截面是正方形；每个驱动板(1)是所述空心四棱锥的锥面；每个驱动板(1)的正面朝向所述空心四棱锥的内部；所述驱动板(1)上设置有三相驱动电路，其中每一相驱动电路均相同；所述每一相驱动电路包括驱动芯片U1、前驱电路和两个碳化硅MOS管(8)；所述驱动芯片U1和前驱电路通过电信号连接；所述前驱电路包括A相上管驱动信号输出点S1、A相下管驱动信号输出点S3和A相交流点S2；所述2个碳化硅MOS管(8)为上管Q1和下管Q2；所述上管Q1的栅极和A相上管驱动信号输出点S1相连接；所述上管Q1的漏极用于与直流电压正极DC+相连接；所述上管Q1的源极和A相交流点S2相连接；所述下管Q2的栅极和A相下管驱动信号输出点S3相连接；所述下管Q2的源极用于与直流电压负极DC
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相连接；所述下管Q2的漏极和A相交流点S2相连接。2.如权利要求1所述的高功率密度逆变器装置，其特征在于，所述前驱电路包括稳压二极管D1，稳压二极管D2，驱动电阻R1，驱动电阻R2，滤波电容C2和滤波电容C5；所述驱动芯片U1包括驱动信号输出脚、驱动信号输出脚和辅助侧驱动器接地脚；所述驱动信号输出脚与稳压二极管D1的负极相连接，所述稳压二极管D1的正极和驱动电阻R1的一端相连接，所述驱动电阻R1的另一端为所述A相上管驱动信号输出点S1；所述驱动信号输出脚与稳压二极管D2的负极相连接，所述稳压二极管D2的正极和驱动电阻R2的一端相连接，所述驱动电阻R2的另一端为所述A相下管驱动信号输出点S3；所述滤波电容C2的一端与A相上管驱动信号输出点S1相连接，另一端为所述A相交流点S2；所述滤波电容C5的一端与A相下管驱动信号输出点S3相连接，另一端接地。3.如权利要求2所述的高功率密度逆变器装置，其特征在于，所述每一相驱动电路根据密勒效应调整所述滤波电容C2、滤波电容C5的电容值以使得信号平缓；选择相应的所述稳压二极管D1、稳压二极管D2调整栅源极电压Ugs的整体的幅值，以避免电压尖峰造成所述碳化硅MOS管(8)本该关断时导通或者半导通；同时，将所述上管Q1的外壳周长上的各点到驱动芯片U1的外壳周长上的各点的最小间距控制到80.9MM以内；将所述下管Q2的外壳周长上的各点到驱动芯片U1的外壳周长上的各点的最小间距控制到28.7MM以内；将PCB走线宽度控制在40mil以上。4.如权利要求3所述的高功率密度逆变器装置，其特征在于，所述滤波电容C2和滤波电容C5的电容值范围为1～100nf；所述稳压二极管D1和稳压二极管D2的稳压范围为1～5V。5.如权利要求2所述的高功率密度逆变器装置，其特征在于，所述每一相驱动电路还包括PWM1信号输入端，DIS1信号输入端，滤波电容C3，滤波电容C6，吸收电容C7，限流电阻R7，上拉电阻R8，下拉电阻R9，死区电阻R10；所述驱动芯片U1还包括死区时间脚，脉宽调制脚，关闭使能脚；所述前驱电路还...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文强，王壮，王颢雄，王坤，郭东仑，
申请(专利权)人：武汉新能源接入装备与技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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