一种含有α-Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚制造技术

技术编号:33377511 阅读:40 留言:0更新日期:2022-05-11 22:45
本发明专利技术涉及一种含有α

【技术实现步骤摘要】
一种含有
α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚


[0001]本专利技术涉及一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件


技术介绍

[0002]在单晶硅拉制过程中,目前普遍采用“炭/炭复合材料坩埚+石英坩埚”共同作用的方式进行拉制,如图1所示,将硅料放置于石英坩埚内部,再将石英坩埚嵌套于炭/炭复合材料坩埚中。由于在拉制单晶硅时工况环境的影响,高温状态下会造成石英坩埚的软化变形,且与炭/炭复合材料坩埚不易分离,只能敲碎旧石英坩埚并换上新的石英坩埚后才能进行下一炉的拉制。因此,每炉次将消耗1件石英坩埚,随着石英坩埚原材料的逐步减少,石英坩埚成本将持续增加,造成当前单晶硅拉制炉生产出的单晶硅成本偏高。因此开发一种新型复合材料坩埚代替传统的炭/炭复合材料坩埚结合石英坩埚的生产模式,将大幅度降低单晶硅拉制成本,具有显著的经济效益和行业价值。
[0003]专利CN 103553692 A公开了一种炭/碳化硅复合材料坩埚的制备方法,通过对炭纤维预制体的增密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,其特征在于:所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α

Al2O3涂层;其中,C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为β

SiC。2.根据权利要求1所述的一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,其特征在于:C/SiC复合材料坩埚本体是采用硅源气体通过化学气相渗透工艺对炭纤维预制体进行陶瓷致密处理获得的。3.根据权利要求2所述的一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,其特征在于:炭纤维预制体为轴向炭纤维无纬布/炭网胎复合铺层与环向炭纤维连续缠绕层交替叠加针刺形成的。4.根据权利要求2所述的一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,其特征在于:炭纤维预制体的体积密度为0.40g/cm3~0.60g/cm3,对炭纤维预制体进行陶瓷致密处理后的体积密度为1.40g/cm3~1.60g/cm3。5.根据权利要求2所述的一种含有α

Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,其特征在于:炭纤维预制体为轴向炭纤维无纬布/炭网胎复合铺层与环向炭纤维连续缠绕层交替叠加针刺形成的,炭纤维预制体的体积密度为0.40g/cm3~0.60g/cm3,对炭纤维预制体进行陶瓷致密处理后的体积密度为1.40g/cm3~1.60g/...

【专利技术属性】
技术研发人员:程皓张永辉白鸽郁荣候雯菲康媛媛程凯峰
申请(专利权)人:西安超码科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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