【技术实现步骤摘要】
Ti掺杂单层二硫化钼单晶及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于二硫化钼单晶
，具体来说涉及一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]二维硫属化合物材料在柔性晶体管、光电子传感器以及信息存储方面有着巨大的应用潜力。但是二维材料本征的缺陷态较多，捕获大量载流子，导致其发光效率较弱，通过选择合适的掺杂原子可以在不改变其本征带隙的条件下改善其发光性能。
[0003]但目前存在的掺杂方法并不多，且在掺杂后无法保持单层MoS2单晶的高结晶质量，结晶性差且易污染、受外界的干扰较大。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶的制备方法，该制备方法可在保证单层MoS2单晶的高结晶质量的前提下，实现Ti元素对单层MoS2的面内掺杂，并实现MoS2的光致发光增强，解决了Ti掺杂二维单层MoS2技术难题，所获得的Ti掺杂单层二硫化钼单晶的光致发光效率大幅提升，为实现高性能的光电探测器提供了支撑。
[0005]本专利技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)准备一两端敞口的石英管，所述石英管的两端分别为原料端和基底端，在所述石英管的基底端内放置一基底，在所述石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对所述石英管抽真空，密封所述石英管，以使该石英管的管内压强为10
‑6～10
‑3Pa，其中，所述原材料为1.5～2.5质量份数的MoO3、0.36～0.42质量份数的S粉和0.2～1.0质量份数的TiO2，所述输运剂为单质碘；2)对所述石英管的原料端和基底端同时加热0.5～1h，冷却至室温20～25℃，在基底上得到Ti掺杂单层二硫化钼单晶，其中，所述原料端的加热温度为750～900℃，所述基底端的加热温度为400～700℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述基底为云母或石墨。3.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱海龙，马朝，胡章贵，吴以成，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：
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