可变比近场无线装置制造方法及图纸

一个例子公开了一种近场无线装置，包括：控制器，所述控制器被配置成耦合到近场天线；其中所述近场天线包括：近场电性天线，所述近场电性天线被配置成发射和/或接收近场电性(E)信号；以及近场磁性天线，所述近场磁性天线被配置成发射和/或接收近场磁性(H)信号；电导率监测器，所述电导率监测器被配置成确定接近所述近场装置的介质的电导率；其中所述控制器被配置成基于所述介质的所述电导率而对由所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线生成的和/或从所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线接收到的场的E/H比进行调制。磁性(H)天线接收到的场的E/H比进行调制。磁性(H)天线接收到的场的E/H比进行调制。

【技术实现步骤摘要】
可变比近场无线装置


[0001]本说明书涉及用于近场无线通信的系统、方法、设备、装置、制品和指令。

技术介绍

[0002]本文中论述的是用户身体上的一个或多个近场装置或导电表面的主体(即，体上装置)与其它导电表面和/或其它无线装置(即，体上或离体装置)之间的近场交互，所述近场交互基于以下各项中的任一项：近场电磁感应(NFEMI)，其中发射器和接收器通过磁(H)场和电(E)场耦合；近场电感应(NFEI)，其中发射器和接收器通过电(E)场耦合；以及近场磁感应(NFMI/NFC)，其中发射器和接收器通过磁(H)场耦合。尽管RF无线通信是通过穿过自由空间传播RF平面波来实现的，但NFEMI、NFEI、NFMI和NFC使用非传播的准静态E场和/或H场信号来进行通信。

技术实现思路

[0003]根据例子实施例，一种近场无线装置包括：控制器，所述控制器被配置成耦合到近场天线；其中所述近场天线包括，近场电性天线，所述近场电性天线被配置成发射和/或接收近场电性(E)信号；以及近场磁性天线，所述近场磁性天线被配置成发射和/或接收近场磁性(H)信号；电导率监测器，所述电导率监测器被配置成确定接近所述近场装置的介质的电导率；其中所述控制器被配置成基于所述介质的所述电导率而对由所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线生成的和/或从所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线接收到的场的E/H比进行调制。
[0004]在另一例子实施例中，如果所述电导率低于阈值，则所述控制器被配置成维持或增大所述E/H比。
>[0005]在另一例子实施例中，如果所述电导率高于所述阈值，则所述控制器被配置成减小所述E/H比。
[0006]在另一例子实施例中，所述E/H比被计算为：电场(E场)能量除以磁场(H场)能量。
[0007]在另一例子实施例中，所述E/H比被计算为：电场(E场)幅度除以磁场(H场)幅度。
[0008]在另一例子实施例中，所述E/H比被计算为：电场(E场)相位减去磁场(H场)相位。
[0009]在另一例子实施例中，另外包括被配置成设置所述近场无线装置的谐振频率和/或带宽的调谐值集合；其中所述电导率监测器被配置成基于所述调谐值集合而确定所述介质的所述电导率；并且其中所述控制器被配置成基于所述调谐值集合而对所述E/H比进行调制。
[0010]在另一例子实施例中，所述调谐值集合包括电容；并且如果所述介质的所述电导率增大，则所述控制器被配置成减小所述电容。
[0011]在另一例子实施例中，所述调谐值集合包括电容；并且如果所述介质的所述电导率减小，则所述控制器被配置成增大所述电容。
[0012]在另一例子实施例中，所述电导率监测器被配置成根据电耦合到所述介质的电极
集合来确定所述电导率。
[0013]在另一例子实施例中，所述电导率监测器被配置成根据从远程电导率传感器接收到的数据通信来确定所述电导率。
[0014]在另一例子实施例中，所述电导率监测器被配置成根据预编程介质电导率集合来确定所述电导率。
[0015]在另一例子实施例中，此类预编程介质电导率是基于医疗和/或运动协议的。
[0016]在另一例子实施例中，所述电导率监测器被配置成根据来自多个电导率传感器的电导率读数的聚合集合来确定所述电导率。
[0017]在另一例子实施例中，所述近场装置是第一近场装置，所述第一近场装置被配置成利用第二近场装置和第三近场装置发射和/或接收近场信号；所述第一近场装置和所述第二近场装置周围的聚合介质的聚合电导率不同于所述第一近场装置和所述第三近场装置周围的聚合介质的聚合电导率；所述控制器被配置成在利用所述第二近场装置发射和/或接收所述近场信号时将所述E/H比调整为第一E/H比；并且所述控制器被配置成在利用所述第三近场装置发射和/或接收所述近场信号时将所述E/H比调整为第二E/H比。
[0018]在另一例子实施例中，所述近场装置被配置成利用第二近场装置发射和/或接收所述近场信号；并且所述控制器被配置成响应于所述近场装置距所述第二近场装置的距离而进一步调整所述E/H比。
[0019]在另一例子实施例中，所述介质是液体。
[0020]在另一例子实施例中，所述介质在所述近场装置外部。
[0021]在另一例子实施例中，所述介质包围所述近场装置。
[0022]在另一例子实施例中，所述装置嵌入以下各项中的至少一项中：智能电话、智能手表、传感器、医疗传感器、耳塞或音频装置。
[0023]以上论述并非旨在表示当前或未来权利要求集的范围内的每一例子实施例或每一实施方案。以下附图和具体实施方式还举例说明了各种例子实施例。
[0024]结合附图考虑以下详细描述可以更全面地理解各种例子实施例。
附图说明
[0025]图1是近场无线装置的例子集合。
[0026]图2是例子单线圈近场电磁感应(NFEMI)天线。
[0027]图3是近场无线装置的另一例子。
[0028]图4A是不存在人体情况下的两个近场电感应(NFEI)装置的例子俯视图。
[0029]图4B是存在人体情况下的两个近场电感应(NFEI)装置的例子俯视图。
[0030]图4C是两个近场装置的例子侧视图。
[0031]图5A是两个近场装置的例子空气中
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非体上侧视图。
[0032]图5B是两个近场装置的例子空气中
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体上侧视图。
[0033]图5C是两个近场装置的例子纯水中
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非体上侧视图。
[0034]图5D是两个近场装置的例子纯水中
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体上侧视图。
[0035]图5E是两个近场装置的例子海水中
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非体上侧视图。
[0036]图5F是两个近场装置的例子海水中
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体上侧视图。
[0037]图6A是附接到人体且浸没在水中的两个NFeMI装置的例子侧视图。
[0038]图6B是在人体存在的情况下的例子测得接收信号强度(RSS)链路。
[0039]图7是示出用于近场电性(E)天线的电容(C)和取决于近场装置所处的介质的对应调谐电容(C组)值的例子集合的图表。
[0040]图8是包括近场天线和被配置成接收近场信号的支持电路的例子近场装置。
[0041]虽然本公开容许各种修改和替代形式，但其细节已经借助于例子在图式中示出且将进行详细描述。然而，应理解，除所描述的具体实施例以外的其它实施例也是可能的。也涵盖落在所附权利要求书的精神和范围内的所有修改、等效物和替代实施例。
具体实施方式
[0042]在各种例子实施例中，第一近场天线包括近场电感应天线(例如，NFEI或NFEMI天线)，并且被配置成用于体上通信。第二近场天线包括近场磁感应天线(例如，NFC天线)，并且被配置成用于离体通信。
[0043]例如，第一近场无线装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近场无线装置，其特征在于，包括：控制器，所述控制器被配置成耦合到近场天线；其中所述近场天线包括，近场电性天线，所述近场电性天线被配置成发射和/或接收近场电性(E)信号；以及近场磁性天线，所述近场磁性天线被配置成发射和/或接收近场磁性(H)信号；电导率监测器，所述电导率监测器被配置成确定接近所述近场装置的介质的电导率；其中所述控制器被配置成基于所述介质的所述电导率而对由所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线生成的和/或从所述近场电性(E)天线和所述近场磁性(H)天线接收到的场的E/H比进行调制。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：如果所述电导率低于阈值，则所述控制器被配置成维持或增大所述E/H比。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：如果所述电导率高于所述阈值，则所述控制器被配置成减小所述E/H比。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述E/H比被计算为：电场(E场)的能量、幅度和相位三者中的一个除以磁场(H场)能量。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：另外包括被配置成设置所述近场无线装置的谐振频率和/或带宽的调谐值集合；其中所述电导率监测器被配置成基于所述调谐值集合而确定所述介质的所述电导率；并且其中所述控制器被配置成基于所述调谐值集合而对所述E/H比进行调制。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述调谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：莉斯贝思，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：