一种用于两端读出型DOIPET的SiPM偏压控制电路制造技术

本发明专利技术提供一种用于两端读出型DOIPET的SiPM偏压控制电路，包括ADC芯片、热敏电阻、MCU和偏压调节模块；所述DOIPET探测器模块包括闪烁晶体和设置在闪烁晶体顶部和底部的SiPM阵列，每个所述SiPM阵列内均设置有热敏电阻；ADC芯片通过线缆接收每个热敏电阻的温度信息并将其数字化后传至MCU，所述MCU根据温度计算并输出偏压校正量，然后通过偏压调节模块传输至对应的SiPM阵列进行偏压校正。本发明专利技术通过ADC芯片读取SiPM阵列内部温度，对SiPM的偏压根据温度进行补偿，获得更佳的DOIPET探测器性能。获得更佳的DOIPET探测器性能。获得更佳的DOIPET探测器性能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于两端读出型DOI PET的SiPM偏压控制电路


[0001]本专利技术主要涉及偏压控制电路领域，尤其涉及一种用于两端读出型DOI PET的SiPM偏压控制电路。

技术介绍

[0002]对于两端读出型DOI PET探测器来说，底部SiPM阵列(4靠近伽马射线入射面一侧)和顶部SiPM阵列(4靠近发热较为严重的读出电路一侧)由于所处位置不同，温度往往会存在较大差异(3-4度甚至更高，与探测器的功耗相关)。
[0003]已公开中国专利技术专利，申请号CN201710695358.4，专利名称：一种修正温度对SiPM增益影响的方法，申请日：2017-08-15，本专利技术涉及一种修正温度对SiPM增益影响的方法，该方法通过一种SiPM暗计数测量算法计算得到SiPM输出信号中的暗计数率，利用暗计数率与SiPM工作温度之间的固定关系，确定SiPM的当前温度，并在此基础上确定SiPM需要调节的工作偏压增量参数。从而有效地修正温度对SiPM增益的影响，提高了系统的稳定性，降低了硬件成本，并提高了系统效率。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于两端读出型DOI PET的SiPM偏压控制电路，其特征在于，包括ADC芯片、热敏电阻(1)、MCU和偏压调节模块；所述DOI PET探测器模块(2)包括闪烁晶体(3)和设置在闪烁晶体(3)顶部和底部的SiPM阵列(4)，每个所述SiPM阵列(4)内均设置有热敏电阻(1)；所述ADC芯片通过线缆(5)接收每个热敏电阻(1)的温度信息并将其数字化后传至MCU，所述MCU根据温度计算并输出偏压校正量，然后通过偏压调节模块传输至对应的SiPM阵列(4)进行偏压校正。2.根据权利要求1所述的用于两端读出型DOI PET的SiPM偏压控制电路，其特征在于：所述偏压调节模块包括数模转换器DAC和DC-DC电源转换模块，所述偏压校正量依次经过数模转换器DAC和DC-DC电源转换模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈春蕾，
申请(专利权)人：天津市通透医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：