高初始精度低温漂低功耗参考电压电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，包括：第一输入源，所述第一输入源的第一端与电源端电连接；第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；第一PNP型三极管，所述第一PNP型三极管的发射极与所述第一开关的第二端电连接，所述第一PNP型三极管的基极端与所述第一PNP型三极管的集电极端电连接，所述第一PNP型三极管的集电极端与接地端电连接；第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接。本实用新型专利技术所提供的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，具备较高的初始精度，因此不需要额外的电路开销来进行微调，节省了版图面积，减小了电路的复杂度。减小了电路的复杂度。减小了电路的复杂度。

【技术实现步骤摘要】
高初始精度低温漂低功耗参考电压电路


[0001]本技术涉及集成电路
，特别涉及一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路。

技术介绍

[0002]模拟电路广泛的包括电压基准和电流基准，这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的，普通的CMOS工艺阻容器件的工艺偏差一般在20％左右，而参考电压是随着电阻值的变化而变化，因此一般都需要对参考电压进行微调。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其目的是为了解决传统的参考电压电路初始精度较低，需要额外的电路开销来进行微调，版图面积大，电路复杂的问题。
[0004]为了达到上述目的，本技术的实施例提供了一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，包括：
[0005]第一输入源，所述第一输入源的第一端与电源端电连接；
[0006]第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；
[0007]第一PNP型三极管，所述第一PNP型三极管的发射极与所述第一开关的第二端电连接，所述第一PN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其特征在于，包括：第一输入源，所述第一输入源的第一端与电源端电连接；第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；第一PNP型三极管，所述第一PNP型三极管的发射极与所述第一开关的第二端电连接，所述第一PNP型三极管的基极端与所述第一PNP型三极管的集电极端电连接，所述第一PNP型三极管的集电极端与接地端电连接；第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一输入源的第二端电连接；第二PNP型三极管，所述第二PNP型三极管的发射极与所述第二开关的第二端电连接，所述第二PNP型三极管的基极端与所述第二PNP型三极管的集电极端电连接，所述第二PNP型三极管的集电极端与接地端电连接。2.根据权利要求1所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其特征在于，还包括：第一电容，所述第一电容的第一端与所述第二开关的第一端电连接。3.根据权利要求2所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其特征在于，还包括：第二电容，所述第二电容的第一端与所述第一电容的第二端电连接。4.根据权利要求3所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其特征在于，还包括：第三开关，所述第三开关的第一端与所述第二电容的第二端电连接。5.根据权利要求4所述的高初始精度低温漂低功耗参考电压电路，其特征在于，还包括：第二输入源，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖裕，孙丰毅，熊擘，郑宝，马广，颜盾，陈霞，
申请(专利权)人：长沙翼芯集成电路芯片有限公司，
类型：新型
国别省市：