开关装置制造方法及图纸

一种装置，用以连接在一个电路中，该装置包括：（１）一对ＦＥＴ，串联连接在电路一个线路中，其各源极连接在一起，或其各漏极连接在一起，其状态可通过加到其各栅极上的电压加以改变；（２）一个控制器，与起码其中一个ＦＥＴ的栅极相连接；该控制器根据线路上的过电流改变起码其中一个ＦＥＴ的状态。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本装置涉及电路的过电流保护，例如，设备故障，静电放电或其它迹象引起的过电流。这种装置最好是双向的，即能处理沿两个方向流过装置中的电流，而且最好能处理交流电流。通常，这种装置可以作为一个开关工作，在正常情况下闭合，响应过电流故障时打开。本装置特别适用于具有直流偏压，从该直流偏压可以引出电压的通信线路。1987年7月31日专利权授与WickmamWerke有限公司的德国专利申请3725390论述了一种形式较简单的电路保护装置。该装置有一个控制电路电流的串联开关晶体管和一个控制着开关晶体管的基极或栅极电压的控制晶体管。控制晶体管的基极或栅极电压用跨接开关晶体管的分压器调定，从而使装置遇到过电流时，控制晶体管会置成导通，同时使开关晶体管截止。虽然这种装置特别简单，但它不是双向的，而且有这样的缺点，即正常工作时，装置在导通之前其两端总是有很大的电压降，在双极型装置的情况下，这个电压降是由于开关晶体管的发射结电压加到基极电阻器两端的电压降产生的。现在我们设计了一种双向的、在诸最佳实施例中起码能对交流电路起保护作用的电路保护装置，具体地说，我们设计了一种采用一对场效应晶体管(FET)的电路保护开关，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以连接在电路中的装置，其特征在于包括：（１）一对ＦＥＴ，串联连接在该电路的一条线路中，其各源极或各漏极连接在一起，其状态可通过加到其各栅极上的电压来改变；（２）一个控制器，与起码其中一个ＦＥＴ的栅极连接；所述控制器根据线路 上的过电流改变起码其中一个ＦＥＴ的状态。

【技术特征摘要】
GB 1992-11-12 9223773.41.一种用以连接在电路中的装置，其特征在于包括(1)一对FET，串联连接在该电路的一条线路中，其各源极或各漏极连接在一起，其状态可通过加到其各栅极上的电压来改变；(2)一个控制器，与起码其中一个FET的栅极连接；所述控制器根据线路上的过电流改变起码其中一个FET的状态。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，各FET是个增强型FET，该FET可以通过往其栅极上加电压而偏置得使其导通，该电压可由控制器加以除去。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，各FET是个耗尽型FET，可由控制器使其截止。4.根据以上任一权利要求所述的装置，其特征在于，控制器由装置两端的电压降供电。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，控制器由一对控制晶体管组成，各控制晶体管连接在其中一个FET的栅极与源极之间，装置遇到过电流时，各控制晶体管进入偏置状态而导通。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，各FET是增强型FET，各控制晶体管系配置得使其导通时短接各FET的栅极和源极。7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，各FET是耗尽型FET，各控制晶体管则配置得使其导通时将一电压源连接在各FET的各栅极与各源极之间。8.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：DM普赖亚，M查里斯，
申请(专利权)人：雷伊化学有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]