阵列基板和显示面板制造技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；栅极线位于第一金属层，数据线位于第二金属层，像素电极和公共电极一者位于第一透明导电层、另一者位于第二透明导电层；阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；第一绝缘层位于第一透明导电层和第二透明导电层之间，第二绝缘层位于第一透明导电层和第二金属层之间，第三绝缘层位于第二金属层和第一金属层之间；第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层均为无机层；阵列基板的非显示区包括凹槽，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。本发明专利技术能够改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]现有的显示装置技术中，显示面板主要分为液晶显示面板和有机自发光显示面板两种主流的技术。其中，液晶显示面板通过在像素电极和公共电极上分别施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能。目前液晶显示产品在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种阵列基板和显示面板，解决现有技术中在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，阵列基板包括衬底以及位于衬底同一侧且依次远离衬底的第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；
[0005]阵列基板包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极，栅极线位于第一金属层，数据线位于第二金属层，像素电极和公共电极一者位于第一透明导电层、另一者位于第二透明导电层；
[0006]阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；第一绝缘层位于第一透明导电层和第二透明导电层之间，第二绝缘层位于第一透明导电层和第二金属层之间，第三绝缘层位于第二金属层和第一金属层之间；第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层均为无机层；
[0007]阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区包括凹槽；在垂直于衬底所在平面方向上，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。
[0008]第二方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括本专利技术任意实施例提供的阵列基板。
[0009]本专利技术实施例提供的阵列基板和显示面板，具有如下有益效果：在非显示区设置有凹槽，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层均为无机层，则对第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层进行刻蚀打孔形成凹槽时，刻蚀工艺耗时相对较短，能够节省工艺成本。并且设置凹槽贯穿三个无机绝缘层，能够保证凹槽具有足够大的深度。在阵列基板上涂布配向层时，配向层具有一定的流动性会向低凹处流动，当凹槽具有足够大的深度时，配向层会在凹槽的侧壁爬坡位置处断开，从而在非显示区内利用凹槽将配向层隔断。以防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀，改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板电路示意图；
[0012]图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0013]图3为在图2实施例提供的阵列基板上涂布配向层后的示意图；
[0014]图4为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0015]图5为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0016]图6为图5中凹槽位置处局部放大示意图；
[0017]图7为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0018]图8为图7中切线A
‑
A
′
位置处一种截面示意图；
[0019]图9为图6中切线A
‑
A
′
位置处一种截面示意图；
[0020]图10为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0021]图11为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0022]图12为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0023]图13为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0024]图14为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0025]图15为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0026]图16为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0027]图17为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0028]图18为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板示意图；
[0029]图19为本专利技术实施例提供的显示面板示意图。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0032]在现有技术中，显示面板包括阵列基板、彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。阵列基板中制作有用于驱动显示面板进行显示的电路结构。在阵列基板的靠近液晶层的一侧需要涂布配向层。在高温高湿环境中工作时水汽会通过配向层进入阵列基板内部，阵列基板内部包括驱动电路和像素电路，驱动电路和像素电路中均包括金属结构，而进入阵列基板内部会对金属结构造成腐蚀，进而影响电路性能导致乱显。
[0033]本专利技术实施例提供一种阵列基板，在非显示区内制作凹槽，并设置凹槽贯穿阵列基板中的多个绝缘层，以使得凹槽具有足够大的深度，保证在涂布配向层时，利用凹槽将配向层进行隔断，以防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀。
[0034]图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板电路示意图，图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图。
[0035]如图1所示，阵列基板包括栅极线10、数据线20、像素电极30阵列基板还包括多个晶体管T。栅极线10和数据线20相互交叉限定出多个像素区域。晶体管T作为像素开关，晶体管T包括栅极、源极和漏极，晶体管T的栅极耦接到栅极线10，晶体管T的源极耦接数据线20，晶体管T的漏极耦接像素电极30。阵列基板还包括公共电极，图1中并未示出公共电极。
[0036]如图2所示，阵列基板包括衬底010以及位于衬底010同一侧且依次远离衬底的第一金属层011、第二金属层012、第一透明导电层013和第二透明导电层014。其中，栅极线10位于第一金属层011，数据线20位于第二金属层012，公共电极40位于第一透明导电层013，像素电极30位于第二透明导电层014。图2中示意像素电极30位于公共电极40的远离衬底010的一侧，在另一些实施例中，像素电极30位于公共电极40的靠近衬底010的一侧，则像素电极30位于第一透明导电层013，公共电极40位于第二透明导电层014，在此不再附图示意。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底同一侧且依次远离所述衬底的第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；所述阵列基板包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极，所述栅极线位于所述第一金属层，所述数据线位于所述第二金属层，所述像素电极和所述公共电极一者位于所述第一透明导电层、另一者位于所述第二透明导电层；所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；所述第一绝缘层位于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间，所述第二绝缘层位于所述第一透明导电层和所述第二金属层之间，所述第三绝缘层位于所述第二金属层和所述第一金属层之间；所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层均为无机层；所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括凹槽；在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述凹槽贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述第一金属层的靠近所述衬底的一侧；在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述凹槽贯穿至少部分所述第四绝缘层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽包括第一子槽和第二子槽；在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述第一子槽和所述第二子槽相交叠，所述第一子槽贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二子槽贯穿所述第三绝缘层；所述第一子槽的侧壁包括靠近所述衬底一侧的第一端，所述第二子槽的侧壁包括远离所述衬底一侧的第二端；所述第一端位于所述第二端的远离所述衬底的一侧；在第一方向上，所述第一端和所述第二端之间的间距为d1，d1≤1μm，所述第一方向与所述衬底所在平面平行。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子槽的侧壁与所述衬底所在平面形成的朝向所述凹槽的夹角为θ1，所述第二子槽的侧壁与所述衬底所在平面形成的朝向所述凹槽的夹角为θ2，其中，120
°
≤θ1≤150
°
，120
°
≤θ2≤150
°
。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述非显示区的驱动电路，所述驱动电路位于所述凹槽的靠近所述显示区的一侧；所述阵列基板还包括阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述驱动电路的远离所述衬底的一侧；所述第一阻挡层在所述衬底的正投影覆盖至少部分所述驱动电路在所述衬底的正投影。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡层包括第一子阻挡层，所述第一子阻挡层位于第一绝缘层的远离所述衬底的一侧；和/或，所述第一阻挡层包括第二子阻挡层，所述第二子阻挡层位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板包括阻挡层，所述阻挡层包括第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述凹槽的至少部分侧壁。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，由所述显示区指向所述非显示区的方向上，所述凹槽包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁距所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓晓，戴复山，刘冰萍，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：