一种草酸钴制备钴粉的方法技术

本发明专利技术提供一种草酸钴制备钴粉的方法,包括如下步骤：步骤一、草酸钴粉末在通入氢气的条件下升温至还原温度。步骤二、所述草酸钴粉末和氢气在还原温度下反应制得钴粉，然后冷却至常温。所述还原温度与钴粉中晶型含量具有对应关系，通过控制还原温度将钴粉晶型控制在一定比例范围内。本发明专利技术的制备方法具有工艺简单和控制晶型比例相对精确的优点。和控制晶型比例相对精确的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种草酸钴制备钴粉的方法


[0001]本专利技术涉及氢还原制备钴粉的领域，具体涉及一种草酸钴氢还原制备钴粉的方法。

技术介绍

[0002]钴因其独特的化学性质，常作为重要组成相被应用于硬质合金、金刚石工具和磁性材料中。钴属于同素异构多晶型金属，在特定条件下可发生晶型转变。研究表明，钴具有两种稳定晶型：高温状态下处于稳定状态的面心立方结构(FCC)，室温下处于稳定状态的密排六方结构(HCP)。面心立方钴拥有12个滑移系，具有更好的塑性，可以使硬质合金在应对外力冲击时表现出更好的韧性。密排六方钴仅有3个滑移系，表现出更多的脆性，有利于球磨时钴粉与碳化钨之间的破碎与混合。为了即满足球磨需要，又不影响合金性能，在钴粉制备时控制晶型的相对含量显得尤为重要，而目前的方法中仅有定性的研究，很难将最终产物的相成分比例控制在较小的范围内。
[0003]专利申请号为CN101653830B公开了一种氢还原制备密排六方结构(HCP)或面心立方结构(FCC)超细钴粉的方法，该方法采用高压氢还原和高温固相氢还原联用，控制二次氢还原温度得到密排六方结构或面心立方结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种草酸钴制备钴粉的方法,其特征在于，它包括如下步骤：步骤一、草酸钴粉末在通入氢气的条件下升温至还原温度；步骤二、所述草酸钴粉末和氢气在还原温度T下反应制得钴粉，然后冷却至常温；其中，所述还原温度T与钴粉中密排六方相的含量X对应关系如表Ⅰ所示，表Ⅰ含量还原温度85%<X≤100%280℃≤T≤300℃70%＜X≤85%300℃＜T≤330℃55%＜X≤70%330℃＜T≤340℃40%＜X≤55%340℃＜T≤370℃25%＜X≤40%370℃＜T≤390℃10%＜X≤25%390℃＜T≤440℃0%＜X≤10%440℃＜T≤550℃。2.根据权利要求1所述的草酸钴制备钴粉的方法,其特征在于，当反应体系温度在400℃以上时，步骤二冷却时的降温速度≤10℃/min；优选当反应体系温度在400
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430℃时，步骤二冷却时的降温速度≤10℃/min；优选所述降温速度为1
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5℃/min。3.根据权利要求2所述的草酸钴制备钴粉的方法,其特征在于，所述降温速度为1
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3℃/min。4.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：余杰，王朝安，杨生泉，梁闯，
申请(专利权)人：安徽寒锐新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：