【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。更详细而言,本专利技术涉及优选使用于能够应用于超大规模集成电路(Large Scale Integration,LSI)及高容量微芯片的制造工艺、纳米压印用模具制作工艺、以及高密度信息记录介质的制造工艺等的超微光刻工艺和其他光加工工艺(Photofabrication process)中的、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]以往,在IC(Integrated Circuit,集成电路)、LSI等半导体器件的制造工艺中,通过使用光致抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。近年来,随着集成电路的高集成化,越来越要求在亚微米区域或四分之一微米区域形成超微细的图案。与此同时,曝光波长也出现了从g射线到i射线再到KrF准分子激光这样的短波长化趋势,现在开发了以具有193nm波长的ArF准分子激光为光源的曝光机。并且,作为进一步提高解析力的技术,一直以来都在开发在投影透镜与试样之间填满高折射率液体(以下,还称为“液浸液”)的所谓液浸法。
[0003]并且,现在,除了准分子激光以外,使用电子束(EB)、X射线及极紫外线(EUV)等的光刻也正在开发中。与此同时,正在开发对各种光化射线或放射线有效感应的抗蚀剂组合物。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其含有:(A)具有通过酸的作用分解而极性增大的基团的树脂;(B)由下述通式(b1)表示的、通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物;及(C)由下述通式(c1)表示的、通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物,所述化合物(C)的含量相对于所述化合物(B)的含量的比例为0.01质量%以上且10质量%以下,通式(b1)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,A表示通过酸的作用分解的基团,当存在多个A时,多个A相同或不同,n表示1~5的整数,X表示n+1价的连接基团,M
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表示锍离子或碘鎓离子,通式(c1)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,n表示1~5的整数,X表示n+1价的连接基团,M
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表示锍离子或碘鎓离子,其中,通式(c1)中的L、n、X及M
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分别与通式(b1)中的L、n、X及M
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相同,B表示通过酸的作用分解的基团、羟基或羧基,当存在多个B时,多个B相同或不同,其中,至少1个B表示羟基或羧基。2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,所述化合物(B)由下述通式(b2)表示,所述化合物(C)由下述通式(c2)表示,通式(b2)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,A表示通过酸的作用分解的基团,当存在多个A时,多个A相同或不同,n表示1~5的整数,M
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表示锍离子或碘鎓离子,通式(c2)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,n表示1~5的整数,M
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表示锍离子或碘鎓离子,其中,通式(c2)中的L、n及M
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分别与通式(b2)中的L、n及M
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相同,B表示通过酸的作用分解的基团、羟基或羧基,当存在多个B时,多个B相同或不同,其中,至少1个B表示羟基或羧基。3.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,所述化合物(B)由下述通式(b3)表示,所述化合物(C)由下述通式(c3)表示,
通式(b3)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,A表示通过酸的作用分解的基团,当存在多个A时,多个A相同或不同,o、p及q分别独立地表示0~5的整数,其中,o、p及q的总和为1以上且5以下,M
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表示锍离子或碘鎓离子,通式(c3)中,L表示单键或2价的连接基团,当存在多个L时,多个L相同或不同,o、p及q分别独立地表示0~5的整数,其中,o、p及q的总和为1以上且5以下,M
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表示锍离子或碘鎓离子,其中,通式(c3)中的L、o、p、q及M
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分别与通式(b3)中的L、o、p、q及M
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相同,B表示通过酸的作用分解的基团、羟基或羧基,当存在多个B时,多个B相同或不同,其中,至少1个B表示羟基或羧基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,所述A所表示的通...
【专利技术属性】
技术研发人员:三好太朗,米久田康智,福崎英治,高桥年哉,
申请(专利权)人:富士胶片株式会社,
类型:发明
国别省市:
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