显示装置制造方法及图纸

提供了显示装置。显示装置包括在衬底上方的第一有源图案、在第一有源图案上方的第一栅电极、在第一栅电极上方的第二有源图案、在第二有源图案上方的第二栅电极以及在第一栅电极与第二有源图案之间并且在第一方向上延伸的第一栅极线，其中，第二栅电极通过穿过第二栅电极和第一栅极线之间的绝缘层的接触部电连接到第一栅极线，其中，在平面视图中，第二栅电极的围绕接触部的宽度为1.5微米(μm)或更大。大。大。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月6日提交到韩国知识产权局的第10
‑
2020
‑
0148131号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]一个或多个实施方式的方面涉及显示装置。

技术介绍

[0004]随着用于在视觉上表达各种类型的电信号信息的显示领域的快速发展，已引入了具有诸如纤薄、重量轻且低功耗的优异特性的各种显示装置。在显示装置之中，有机发光显示装置具有诸如宽视角、高对比度和快速响应速度的优点，并因此作为下一代显示装置而受到关注。
[0005]这种显示装置包括作为驱动电路的薄膜晶体管(TFT)和电容器。就此而言，TFT可包括包含有沟道区、源区和漏区的有源层以及通过栅极绝缘层与有源层电绝缘的栅电极。通常，TFT的有源层可包括非晶硅或多晶硅。
[0006]在本
技术介绍
部分中所公开的以上信息仅用于增强背景的理解，并因此本
技术介绍
部分中讨论的信息并不必须构成现有技术。

技术实现思路

[0007]一个或多个实施方式的方面涉及显示装置，并且例如涉及包括薄膜晶体管的电路的特性已改善的显示装置。
[0008]当薄膜晶体管(TFT)的有源层包括非晶硅时，电荷迁移率低，并因此，可能相对难以实现以高速操作的驱动电路。当TFT的有源层包括多晶硅时，可改善电荷迁移率；然而，TFT的阈值电压(Vth)是不均匀的，并因此，必须添加单独的补偿电路。
[0009]一个或多个实施方式的方面包括显示装置，显示装置中包括薄膜晶体管的电路的特性已改善。然而，这种技术问题是实例，并且根据本公开的实施方式不限于此。
[0010]附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而习得。
[0011]根据一个或多个实施方式，显示装置包括排列在衬底上方的第一有源图案、排列在第一有源图案上方的第一栅电极、排列在第一栅电极上方的第二有源图案、排列在第二有源图案上方的第二栅电极以及在第一栅电极与第二有源图案之间并且在第一方向上延伸的第一栅极线，其中第二栅电极通过穿过第二栅电极和第一栅极线之间的绝缘层的接触部电连接到第一栅极线，其中，在平面视图中，第二栅电极的围绕接触部的宽度为1.5μm或更大。
[0012]根据一些实施方式，第二栅电极可在第一方向上延伸，并且第二有源图案可在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中第二有源图案和第二栅电极可至少部分地彼此重
叠，其中，在平面视图中，接触部与第二有源图案之间的距离可为1.3μm或更大。
[0013]根据一些实施方式，接触部沿与第一方向交叉的第二方向的宽度可大于第二栅电极的围绕接触部的宽度。
[0014]根据一些实施方式，绝缘层可包括至少两个绝缘层。
[0015]根据一些实施方式，衬底可包括显示区域和在显示区域外部的外围区域，其中显示装置还可包括包含有第一像素电路的第一像素和包含有第二像素电路的第二像素，其中，第一像素和第二像素可在显示区域中彼此相邻，其中第一像素电路可包括第一有源图案、第一栅电极、第二有源图案和第二栅电极，其中，第一像素电路和第二像素电路可相对于接触部对称。
[0016]根据一些实施方式，第二像素电路可包括排列在衬底上方的第三有源图案、排列在第三有源图案上方的第三栅电极、排列在第三栅电极上方的第四有源图案以及排列在第四有源图案上方的第四栅电极，其中，第二栅电极和第四栅电极可包括在一体的栅极图案中。
[0017]根据一些实施方式，栅极图案可隔离于排列在与栅极图案相同的层上的其它图案。
[0018]根据一些实施方式，接触部可在栅极图案的中心处。
[0019]根据一些实施方式，显示装置还可包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的电源线，其中电源线可在第一像素电路和第二像素电路之间被共享。
[0020]根据一些实施方式，第一有源图案和第三有源图案可排列在彼此相同的层上，并且可包括硅半导体材料。
[0021]根据一些实施方式，第二有源图案和第四有源图案可彼此为一体。
[0022]根据一些实施方式，第二有源图案和第四有源图案可包括氧化物半导体材料。
[0023]根据一些实施方式，显示装置还可包括数据传输线，数据传输线绕过显示区域的一部分，并且数据信号施加到数据传输线。
[0024]根据一些实施方式，数据传输线可包括排列在第二栅电极上方并且在第一方向上延伸的第一连接线和排列在第一连接线上方并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二连接线，其中，第一连接线和第二连接线可通过连接接触部彼此电连接。
[0025]根据一些实施方式，相同的数据信号可施加到第一连接线和第二连接线。
[0026]根据一些实施方式，显示装置还可包括在从外围区域的边缘到外围区域的中心的方向上顺序地排列在外围区域中的第一输入线、第二输入线和第三输入线、连接到第一输入线的第一数据线、排列在第一数据线的一侧上并且连接到第三输入线的第三数据线、以及排列在第一数据线的另一侧上并且通过第一连接线和第二连接线电连接到第二输入线的第二数据线。
[0027]根据一些实施方式，第一连接线可不与第一数据线电连接，并且可至少部分地与第一数据线重叠。
[0028]根据一些实施方式，第一数据线至第三数据线和第二连接线可排列在彼此相同的层上。
[0029]根据一些实施方式，显示装置还可包括在第一方向上延伸并且至少部分地与第二有源图案重叠的第二栅极线。
[0030]根据一些实施方式，第二栅极线可排列在与第二栅电极相同的层上。
附图说明
[0031]通过结合附图的下面的描述，本公开的某些实施方式的以上和其它方面、特征和特性将更加显而易见，在附图中：
[0032]图1是根据一些实施方式的显示装置的一部分的示意性平面视图；
[0033]图2是根据一些实施方式的图1的显示装置的示意性侧视图；
[0034]图3是根据一些实施方式的显示面板的示意性平面视图；
[0035]图4和图5是根据一些实施方式的图3的区域A的示意性放大平面视图；
[0036]图6是根据一些实施方式的包括在显示装置中的像素的等效电路图；
[0037]图7是根据一些实施方式的像素电路的结构的示意性平面视图；
[0038]图8至图14是示出根据一些实施方式的对于每层的构成图7的像素电路的导电图案的平面视图；
[0039]图15是根据一些实施方式的像素电路的结构的一部分的示意性剖视图；
[0040]图16是根据一些实施方式的像素电路的一部分的示意性平面视图；
[0041]图17示出了根据一些实施方式的图16的修改实例；
[0042]图18是根据一些实施方式的沿图16的线B
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B'截取的图16的像素电路的示意性剖视图；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一有源图案，所述第一有源图案在衬底上方；第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一有源图案上方；第二有源图案，所述第二有源图案在所述第一栅电极上方；第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二有源图案上方；以及第一栅极线，所述第一栅极线在所述第一栅电极与所述第二有源图案之间并且在第一方向上延伸，其中，所述第二栅电极通过穿过所述第二栅电极与所述第一栅极线之间的绝缘层的接触部电连接到所述第一栅极线，其中，在平面视图中，所述第二栅电极的围绕所述接触部的宽度为1.5μm或更大。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二栅电极在所述第一方向上延伸，并且所述第二有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述第二有源图案和所述第二栅电极至少部分地彼此重叠，其中，在所述平面视图中，所述接触部与所述第二有源图案之间的距离为1.3μm或更大。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触部沿与所述第一方向交叉的第二方向的宽度大于所述第二栅电极的围绕所述接触部的所述宽度。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括至少两个绝缘层。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底包括显示区域和在所述显示区域外部的外围区域，其中，所述显示装置还包括包含有第一像素电路的第一像素和包含有第二像素电路的第二像素，其中，所述第一像素和所述第二像素在所述显示区域中彼此相邻，其中，所述第一像素电路包括所述第一有源图案、所述第一栅电极、所述第二有源图案和所述第二栅电极，其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路相对于所述接触部对称。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二像素电路包括：第三有源图案，所述第三有源图案在所述衬底上方；第三栅电极，所述第三栅电极在所述第三有源图案上方；第四有源图案，所述第四有源图案在所述第三栅电极上方；以及第四栅电极，所述第四栅电极在所述第四有源图案上方，其中，所述第二栅电极和所述第四栅电极包括在一体的栅极图案中。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述栅极图案隔离于在与所述栅极图案相同的层上的其它图案。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述接触部在所述栅极图案的中心处。9.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方琪皓，吕寅赫，李知嬗，李弼锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：