显示装置制造方法及图纸

提供了显示装置。显示装置包括在衬底上方的第一有源图案、在第一有源图案上方的第一栅电极、在第一栅电极上方的第二有源图案、在第二有源图案上方的第二栅电极以及在第一栅电极与第二有源图案之间并且在第一方向上延伸的第一栅极线，其中，第二栅电极通过穿过第二栅电极和第一栅极线之间的绝缘层的接触部电连接到第一栅极线，其中，在平面视图中，第二栅电极的围绕接触部的宽度为1.5微米(μm)或更大。大。大。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月6日提交到韩国知识产权局的第10
‑
2020
‑
0148131号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]一个或多个实施方式的方面涉及显示装置。

技术介绍

[0004]随着用于在视觉上表达各种类型的电信号信息的显示领域的快速发展，已引入了具有诸如纤薄、重量轻且低功耗的优异特性的各种显示装置。在显示装置之中，有机发光显示装置具有诸如宽视角、高对比度和快速响应速度的优点，并因此作为下一代显示装置而受到关注。
[0005]这种显示装置包括作为驱动电路的薄膜晶体管(TFT)和电容器。就此而言，TFT可包括包含有沟道区、源区和漏区的有源层以及通过栅极绝缘层与有源层电绝缘的栅电极。通常，TFT的有源层可包括非晶硅或多晶硅。
[0006]在本
技术介绍
部分中所公开的以上信息仅用于增强背景的理解，并因此本
技术介绍
部分中讨论的信息并不必须构成现有技术。
专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一有源图案，所述第一有源图案在衬底上方；第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一有源图案上方；第二有源图案，所述第二有源图案在所述第一栅电极上方；第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二有源图案上方；以及第一栅极线，所述第一栅极线在所述第一栅电极与所述第二有源图案之间并且在第一方向上延伸，其中，所述第二栅电极通过穿过所述第二栅电极与所述第一栅极线之间的绝缘层的接触部电连接到所述第一栅极线，其中，在平面视图中，所述第二栅电极的围绕所述接触部的宽度为1.5μm或更大。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二栅电极在所述第一方向上延伸，并且所述第二有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述第二有源图案和所述第二栅电极至少部分地彼此重叠，其中，在所述平面视图中，所述接触部与所述第二有源图案之间的距离为1.3μm或更大。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触部沿与所述第一方向交叉的第二方向的宽度大于所述第二栅电极的围绕所述接触部的所述宽度。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括至少两个绝缘层。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底包括显示区域和在所述显示区域外部的外围区域，其中，所述显示装置还包括包含有第一像素电路的第一像素和包含有第二像素电路的第二像素，其中，所述第一像素和所述第二像素在所述显示区域中彼此相邻，其中，所述第一像素电路包括所述第一有源图案、所述第一栅电极、所述第二有源图案和所述第二栅电极，其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路相对于所述接触部对称。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二像素电路包括：第三有源图案，所述第三有源图案在所述衬底上方；第三栅电极，所述第三栅电极在所述第三有源图案上方；第四有源图案，所述第四有源图案在所述第三栅电极上方；以及第四栅电极，所述第四栅电极在所述第四有源图案上方，其中，所述第二栅电极和所述第四栅电极包括在一体的栅极图案中。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述栅极图案隔离于在与所述栅极图案相同的层上的其它图案。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述接触部在所述栅极图案的中心处。9.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方琪皓，吕寅赫，李知嬗，李弼锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：