【技术实现步骤摘要】
晶体管衬底和包括晶体管衬底的显示装置
[0001]本申请要求于2020年11月2日提交的第10
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2020
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0144661号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
[0002]本专利技术的实施方式涉及晶体管衬底和包括晶体管衬底的显示装置。
技术介绍
[0003]发射显示装置具有自发射特性，因此与液晶显示装置不同，不需要额外的光源，从而减小其厚度和重量。此外，发光二极管显示器具有高品质特性，诸如低功耗、高亮度和高反应速度。
[0004]发射显示装置包括发光二极管(“LED”)，发光二极管包括两个电极和布置在两个电极之间的发射层，并且当空穴和电子从两个电极注入到发射层中时，作为注入的空穴与电子的结合的激子从激发态跃迁至基态并且发射光。
[0005]发射显示装置包括多个像素，多个像素分别包括有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的像素电路。像素电路可包括多个晶体管和至少一个电容器。
技术实现思路
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体管衬底，包括：衬底；半导体层，所述半导体层布置在所述衬底上，并且包括：第一沟道部、第二沟道部以及布置在所述第一沟道部与所述第二沟道部之间的连接部；第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述半导体层上；以及栅极导体，所述栅极导体布置在所述第一绝缘层上，并且包括：与所述第一沟道部重叠的第一栅电极以及与所述第二沟道部重叠的第二栅电极，其中，所述半导体层的所述第一沟道部和所述第二沟道部各自在与所述第一沟道部的主延伸方向和所述第二沟道部的主延伸方向分别垂直的方向上具有第一宽度，以及所述第一宽度大于所述连接部的在与所述连接部的主延伸方向垂直的方向上的第二宽度。2.如权利要求1所述的晶体管衬底，还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述栅极导体上；以及信号线，所述信号线布置在所述第二绝缘层上，其中，所述连接部隔着所述第二绝缘层与所述信号线重叠。3.如权利要求2所述的晶体管衬底，其中，所述连接部进一步包括在第一方向上延伸的第一连接部以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并且布置在所述第一连接部的相应侧上的两个第二连接部，所述半导体层还包括布置在所述第一沟道部与所述两个第二连接部中的一个第二连接部之间的第一倾斜部以及布置在所述第二沟道部与所述两个第二连接部中的另一个第二连接部之间的第二倾斜部，以及所述第一倾斜部的边缘和所述第二倾斜部的边缘相对于所述第一方向和所述第二方向以预定角度倾斜。4.如权利要求1所述的晶体管衬底，其中，所述连接部进一步包括在第一方向上延伸的第一连接部以及在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二连接部，所述半导体层还包括布置在所述第一沟道部与所述第一连接部之间的第一倾斜部以及布置在所述第二沟道部与所述第二连接部之间的第二倾斜部，以及所述第一倾斜部的边缘和所述第二倾斜部的边缘相对于所述第一方向和所述第二方向以预定角度倾斜。5.一种显示装置，包括：衬底；半导体层，所述半导体层布置在所述衬底上，并且包括：第一沟道部、第二沟道部、布置在所述第一沟道部与所述第二沟道部之间的连接部以及多个电极区；第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述半导体层上；栅极导体，所述栅极导体布置在所述第一绝缘层上，并且包括：与所述第一沟道部重叠的第一栅电极以及与所述第二沟道部重叠的第二栅电极；多个信号线，所述多个信号线布置在所述衬底上；第一电极，所述第一电极电连接到所述半导体层的所述多个电极区中的至少一个；
发射层，所述发射层布置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极布置在所述发射层上，并且所述半导体层的所述第一沟道部和所述第二沟道部各自在与所述第一沟道部的主延伸方向和所述第二沟道部的主延伸方向分别垂直的方向上具有第一宽度，以及所述第一宽度大于所述连接部的在与所述连接部的主延伸方向垂直的方向上的第二宽度。6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个信号线包括初始化电压线，以及所述连接部与所述初始化电压线重叠。7.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个信号线包括数...
【专利技术属性】
技术研发人员：金太熙，姜美在，金根佑，金斗娜，金相燮，李度炅，朱在焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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