多层电容器制造技术

本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中堆叠有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述内电极。所述多个介电层中的至少一个介电层包括多个晶粒，并且在所述多个晶粒中具有位错的晶粒的比例为20％或更大。的比例为20％或更大。的比例为20％或更大。

【技术实现步骤摘要】
多层电容器
[0001]本申请要求于2020年10月30日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0142695号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层电容器。

技术介绍

[0003]电容器是能够储存电力的装置，在电容器中，当向其施加电压时，电荷通常积聚在两个面对的电极中的每个中。当施加直流(DC)电压时，电流在电容器中流动，同时电荷在电容器中累积，并且当累积完成时，没有电流流动。此外，当施加交流(AC)电压时，AC电流流动，同时电极的极性交替。
[0004]电容器可分为各种类型，诸如其中电极利用铝形成并且在铝电极之间设置薄氧化膜的铝电解电容器、使用钽作为电极材料的钽电容器、在电极之间使用诸如氧化钛、氧化钡等的高k介电材料的陶瓷电容器、使用高k陶瓷的多层结构作为电极之间设置的介电材料的多层陶瓷电容器(MLCC)、使用聚苯乙烯膜作为电极之间的介电材料的薄膜电容器等。
[0005]在这些电容器中，MLCC的优势在于具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层电容器，包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中堆叠有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述多个介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述内电极，其中，所述多个介电层中的至少一个介电层包括多个晶粒，并且在所述多个晶粒中具有位错的晶粒的比例为20％或更大。2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述位错与所述多个晶粒之间的晶界间隔开。3.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述多个晶粒中的一个晶粒中的位错仅与所述多个晶粒中的所述一个晶粒和所述多个晶粒中的其他晶粒之间的晶界中的一个晶界接触。4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述多个晶粒中的一个晶粒内的位错设置在具有四方晶系晶体结构的相和具有立方晶系晶体结构的相之间。5.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述多个晶粒中的一部分晶粒具有多个位错。6.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，在多个晶粒中具有位错的晶粒的比例是通过对在介电层的切割表面中的至少四个单位面积中测量的值取平均值而获得的值。7.根据权利要求1至6中任一项所述的多层电容器，其中，在所述多个晶粒中，具有位错的晶粒的比例为40％或更小。8.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述位错中的每个位错与所述多个晶粒之间的晶界间隔开，或者仅与所述多个晶粒的所述晶界中的一个晶界接触。9.一种多层电容器，包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中堆叠有具有晶粒的多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述多个介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述内电极，其中，在所述主体的区域中的晶粒中，具有位错的晶粒的比...

【专利技术属性】
技术研发人员：李大熙，李相赫，宋琯宇，赵洙玎，李钟和，车梵夏，郑东俊，金润，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：