一种保护电路制造技术

技术编号:3333986 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种保护电路,包括连接在两根并行信号线之间的气体放电管和硅保护电路,以及连接于气体放管和硅保护电路间信号线上的退耦器件;其特征在于,所述硅保护电路包括硅保护二极管和由二极管组成的桥式电路,硅保护二极管连接于桥式电路两平衡连接点之间,桥式电路的另两平衡连接点与信号线连接。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信设备的防护技术,特别涉及一种保护电路
技术介绍
通信设备上常用的信号接口,如RS422、RS485、E1/T1等,传输距离在数百米以上,在实际使用中这些接口的电缆很可能由户内延伸到户外,当有雷电时,电磁脉冲能够在这些信号线路及其回路中感应比较大的暂态过电压,容易将信号接口损坏。因此,为了维护通信设备的安全可靠运行,必须对信号口电路采取过电压防护措施。目前,过电压防护的技术方案采用一级气体放电管、一级硅保护电路或气体放电管与硅保护电路对信号接口进行差模、共模保护。采用一级气体放电管保护电路,其缺点是放电管响应时间比较慢,在动作时,产生的残压比较高,对后面敏感电路的保护不利。采用一级硅保护电路,缺点是耐受雷电冲击通流容量不够。如果采用通流容量大的硅保护电路,其结电容就会很大,影响电路中信号的传输质量,信号的传输速率就达不到20Mbit/s的最大要求。若在前面增加硅保护电路之前加一级气体放电管,由于后级硅保护电路通流量小,两极之间配合的电阻阻值就要选用比较大的值,这样就会增大信号的衰减,影响信号的传输距离。
技术实现思路
本专利技术提供一种保护电路,以解决现有技术中当有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护电路,包括连接在两根并行信号线之间的气体放电管和硅保护电路,以及连接于气体放管和硅保护电路间信号线上的退耦器件;其特征在于,所述硅保护电路包括硅保护二极管和由二极管组成的桥式电路,硅保护二极管连接于桥式电路两平衡连接点之间,桥式电路的另两平衡连接点与信号线连接。2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述硅保护电路为N个时,则形成N级保护。3.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述气体放电管可以是二极气体放电管或三极气体放电管,用于抑制差模过电压。4.如权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述的二极气体放电管为一个,其连接在两根并行信号线间。5.如权利要求3所述的保护电路,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗新会
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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